FeSi熔体中SiC晶须的VLS生长

在1500℃、1600℃、1650℃和1750℃氩气中保温3 h,使Fe-Si在石墨基板上熔化并敷展,分别在熔层表面获得SiC颗粒层、SiC颗粒与晶须混合层、SiC晶须层和SiC腾空薄膜。XRD分析确定所有产物均为3C-SiC;TEM和SAED分析表明,SiC晶须为3C-SiC单晶,生长方向为[111]。基于上述结果,提出不同温度下C与熔体中的Si经不同反应路径,生成不同形貌SiC的反应机理：低温时（≤1500℃）,Fe提高了熔体中C的饱和溶解度,以液-固（LS）反应生成SiC颗粒;较高温度时（1500-1750℃）,借助Fe的催化作用,以气-液-固（VLS）机理生成SiC晶须;更高温度时（≥1750℃）,气-液-固（VLS）变得无序,生成SiC腾空连续膜。

SiC晶须VLS生长机理及生长动力学研究

对ＶＬＳ机理下稻壳合成ＳｉＣ晶须（ＳｉＣＷ）及生长动力学进行了研究。结果表明，ＳｉＯ２与Ｃ在高温下生成ＳｉＯ的反应是ＳｉＣ晶须生长的速率控制步骤；在形成晶须的催化剂作用下，ＳｉＣ晶须的生长速率与ＳｉＯ在催化剂熔球周围的浓度成正比；ＳｉＣ晶须生长的催化选择性随温度的增加而提高；复合催化剂可提高合成ＳｉＣ晶须的反应速率及催化选择性。

全息法制作VLS光栅及其性能研究

在全息光路中设计采用球面波与非球面波代替平面波的技术,制作了VLS光栅。用遗传算法分析了VLS光栅的栅距变化规律,实现了光路优化。观察了VLS光栅的衍射图像,分析了VLS光栅性能。实验检测证明,球面波与非球面波干涉法制作的光栅的确是VLS光栅,与理论相符。

用VLS机制制备硅纳米线的生长阶段研究

在镀Ni的Si衬底上用硅烷高温分解的方法由VLS机制制备了硅纳米线，在不同的实验条件下研究了VLS机制生长的三个阶段：结晶阶段、共熔阶段和生长阶段，特殊条件下制备的处于结晶阶段的长度仅几十纳米的硅纳米线显示硅纳米线是从催化剂颗粒中长出来的，观察到的硅纳米线的生长过程说明VLS机制在纳米尺度仍然有效，可用于各种材料纳米线的制备。

CSI与公安ESP教学——流行文化在英语VLS教学中的导入

针对当前公安院校的英语教学尚大多停留在EGP基础英语教学的层面,不能很好地适应新时期培养公安复合型人才的时代需求这一局限性,将流行文化CSI系列片导入公安ESP教学的VLS课程中,可实现公安ESP教学的实用性与专业性的双赢效果。

基于Fe催化条件下周期性VLS机制大量合成SiC纳米棒的研究

通过简单化学气相反应法,在1300℃下合成出大量SiC纳米棒产物,着重研究了Fe催化条件下该SiC纳米棒的生长机制。采用数码相机、立式显微镜、场发射扫描电镜、能谱分析仪、透射电镜、选区电子衍射仪、高分辨透射电镜及X射线粉末衍射仪对产物的宏观产量、微观形貌、化学成分及晶体结构进行了表征。结果表明,石墨基片上生成1层较厚的浅蓝色产物,产量达克量级,产物由均匀的纳米棒组成,直径约100nm,长达几微米,具有立方β-SiC晶体结构。基于Fe-C-Si三元合金相变原理及传统的VLS机制,首次提出一种周期性的气-液-固(Periodic-VLS)生长模型对SiC纳米棒的形成过程进行了详细讨论。

单侧唇裂修复术后畸形的VLS分类评价

目的 探讨唇裂术后畸形的描述与评价。方法 采用VLS分类评价了 5 8例单侧唇裂修复术后患者的畸形 ,其中 2 4人 (4 1.4% )采用Tennison法修复 ,34人 (5 8.6 % )采用Millard法修复。结果 Tennison法修复的患者中 ,2 0 .8% (5人 )两侧唇高相等 ,79.2 % (19人 )患侧唇高过短 (短唇 ) ;在Millard法修复的患者中 ,35 .3% (12人 )两侧唇高相等 ,6 1.3% (2 0人 )患侧唇高不足 (短唇 )。结论 唇红缘不齐、上唇疤痕过宽和不规则是唇裂修复术后常见的畸形。

基于VLS理论的准一维碳材料生长模型

气 液 固相理论(VLS)能有效地用于准一维碳材料生长的分析研究。以镍为催化剂,利用微波等离子体化学气相沉积法制备了弹簧状碳纤维。根据准一维碳材料的生长特点,在VLS理论基础上,通过扩散模型的建立,分析了催化剂对一维碳材料形状的影响,指出了催化剂形状的不对称是造成一维碳材料弯曲的主要原因。

VLS机制下SiC晶须的生长

采用化学气相沉积(CVD)法以气-液-固(VLS)机制生长了碳化硅(SiC)晶须,系统研究了基片表面的气流状况、生长温度和反应室总气压等对SiC晶须形貌的影响。研究结果表明:当基片表面存在较强的平流状态时,以生长SiC薄膜为主,很难形成晶须;生长温度及反应室总气压对晶须的直径有较大影响,合适的生长温度以及较高的总压有利于晶须的生长。

宽温域VL型密封结构应力分析及寿命预测

建立VL密封结构模型,在不同温度条件下,研究其应力状态分布。以Miner损伤机理为基础,疲劳累计损伤理论为指导,研究不同温度条件下,VL型密封结构中O型橡胶圈、L型圈的疲劳寿命变化规律和疲劳寿命状况。结果表明:随着温度增加,O型橡胶圈的Mises应力变化不大,疲劳寿命先增加后减小,当温度为25℃时,危险点处疲劳寿命最大,为7.341×10^(7)次,且疲劳寿命随着温度的增加,由局部变化转变为整体变化;L型圈的Mises应力由60.19 MPa逐渐减小到26.38 MPa,位置由底部开始,向内壁转移,最后到L型圈内部为止,最小疲劳寿命为2.21×10^(5)次。此外,在低温环境下,L型圈最小疲劳寿命较小,但平均疲劳寿命较大;在高温环境下,L型圈最小疲劳寿命较大,但平均疲劳寿命较小。

VLSFO对气候有影响吗?

核心提示在寻找黑碳排放结论的道路上,需要分三步走。芬兰和德国提交给国际海事组织(IMO)的一份报告指出,符合IMO2020限硫令要求的船用VLSFO(低硫燃油)会对气候产生不利影响。报告称,VLSFO主要由芳香族化合物组成,因此在发动机中燃烧时会产生更多导致气候变化的黑碳。

Vacant Level Structure (VLS) Dependence in Isocharged Sequence Ions Collision with Helium

In highly charged ions(HCI)-atom collisions, many electrons are active and much more channels are opened, and the collision dynamics therefore is much more complicated. Because of the complexity originated from many active electrons which are involved in HCI and atoms collisions, the full quantum treatment is rather difficult, whereas the simple classical over-the-barrier models and semiempirical

航空作动器的VL密封特性分析

为提高航空作动器的往复密封性能,对其新型密封结构进行特性分析.通过分析液压往复密封机理,指出接触压力分布对往复密封泄漏和摩擦的影响,并获得高性能密封的接触压力分布方法.对航空作动器新型密封VL密封结构进行仿真分析,获得4种流体压力下的接触压力分布,以此揭示流体压力建立过程中密封结构与接触压力分布的变化关系,并指出VL密封对高压流体的密封适应性,以及其结构对产生不同接触压力分布的特殊性规律.将VL密封与O形密封和斯特封进行性能对比,分别计算摩擦力与泄漏量,证明VL密封具有密封性能好、可靠性高的特点.

基于VL Motion的装载机工作装置耦合仿真分析研究

针对装载机工作装置系统响应缓慢、液压缸位移跟踪效果差等问题,借助Virtual Lab Motion中内嵌的Catia软件,根据HT25-J装载机具体尺寸建立了工作装置三维模型,在VL Motion中定义了构件、添加运动副和耦合仿真相应驱动接口,形成了机械系统动力学模型。通过对装载机工作装置电液系统进行分析,利用AMEsim建立了工作装置电液系统模型,同时添加了相应的VL Motion无缝集成应用接口,最终通过两者间的接口进行变量的数据交互,实现了在VL Motion耦合仿真分析平台上进行耦合仿真分析。通过采用经典PID闭环控制系统控制改善了工作装置液压缸性相应速度和位移跟踪效果等性能。仿真结果表明,借助VL Motion和AMEsim耦合仿真分析平台,在PID闭环控制下的装载机工作装置综合性能较之前有较大的提高,响应迅速,并且跟踪位移误差可以控制在2%以内。

基于ABAQUS的航空作动器VL密封圈有限元分析

利用ABAQUS流体压力渗透载荷的加载方式对航空作动器VL密封圈进行有限元仿真分析,该方法不但可以得到高压(35 MPa)下的收敛解而且可以自动寻找唇口接触与分离的临界点。仿真过程分为过盈装配和流体压力加载两个分析步。分别得出在不同的压力下流体压力载荷下密封圈的应力应变云图、唇口接触宽度以及唇口接触区接触压力分布图。计算结果可以为高压下航空作动器密封的理论计算提供相关参数,为航空作动器VL密封圈的实际应用提供相关依据。

航空作动器VL密封圈唇口接触压力分析

该文简要介绍了往复动密封的密封机理,定性地分析了影响密封性能的相关参量。利用ANSYS分析软件对航空作动器VL密封圈进行分析,得出不同密封介质压力下的唇口接触压力分布曲线。通过对比不同密封介质压力条件下的曲线变化,发现密封介质压力对密封唇口接触区接触压力分布有很大的影响。压力越大,密封唇接触宽度越大,接触压力曲线在靠近密封流体侧变化越陡,更接近往复密封三角形接触压力分布图,有利于实现往复密封的零泄漏甚至负泄漏。证实了VL型密封圈可以应用在重要的往复密封环境,并且可以实现高压下自动补偿密封功能。