SiO_2对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO_2基压敏陶瓷电性能的影响

研究SiO2对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷的压敏特性、电容特性及晶粒半导化的影响,发现按照配方TiO2+0.3%(SrCO3+Bi2O3)+0.075%Ta2O5+0.3%SiO2配制的样品具有最低的压敏电压、最大的相对介电常数及最小的晶粒电阻。

Ta_2O_5对TiO_2基压敏陶瓷半导化的影响

研究T a2O5对(S r,B i,S i,T a)掺杂的T iO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着T a2O5增加,晶粒电阻呈现“U”字型变化规律,按照配方T iO2+0.3%(S rCO3+B i2O3+S iO2)+0.1%T a2O5(摩尔分数)配制的样品的晶粒电阻最小,这表明适当增加施主T a2O5的含量有助于材料晶粒的半导化。

ZnO压敏电阻器非欧姆特性的分析

本文对压敏电阻的非欧姆特性做了一定分析． ＺｎＯ压敏陶瓷电阻内可形成晶界偏析和晶界空间电荷区，利用空间电荷限制电流理论可解释压敏电阻器的非欧姆特性，

压敏电阻非欧姆特性的研究

本文对压敏电阻的非欧姆特性做了一定分析.Zno压敏陶瓷电阻内可形成晶界偏析和晶界空间电荷区,利用空间电荷限制电流理论可解释压敏电阻器的非欧姆特性.