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Thermal Analysis of Implant-Defined Vertical Cavity Surface Emitting Laser Array 被引量:1
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作者 荀孟 徐晨 +3 位作者 解意洋 邓军 许坤 陈弘达 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2015年第1期79-82,共4页
A three-dimensional electrical-thermal coupling model based on the finite element method is applied to study thermal properties of implant-defined vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) arrays. Several param... A three-dimensional electrical-thermal coupling model based on the finite element method is applied to study thermal properties of implant-defined vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) arrays. Several parameters including inter-element spacing, scales, injected current density and substrate temperature are considered. The actual temperatures obtained through experiment are in excellent agreement with the calculated results, which proves the accuracy of the model. Due to the serious thermal problem, it is essential to design arrays of low self-heating. The analysis can provide a foundation for designing VCSEL arrays in the future. 展开更多
关键词 vcsel Thermal Analysis of Implant-Defined Vertical Cavity surface emitting laser Array
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Vertical cavity surface emitting laser transverse mode and polarization control by elliptical hole photonic crystal
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作者 曹田 徐晨 +4 位作者 解意洋 阚强 魏思民 毛明明 陈弘达 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第2期261-264,共4页
The polarization of traditional photonic crystal(PC) vertical cavity surface emitting laser(VCSEL) is uncontrollable,resulting in the bit error increasing easily.Elliptical hole photonic crystal can control the tr... The polarization of traditional photonic crystal(PC) vertical cavity surface emitting laser(VCSEL) is uncontrollable,resulting in the bit error increasing easily.Elliptical hole photonic crystal can control the transverse mode and polarization of VCSEL efficiently.We analyze the far field divergence angle,and birefringence of elliptical hole PC VCSEL.When the ratio of minor axis to major axis b/a = 0.7,the PC VCSEL can obtain single mode and polarization.According to the simulation results,we fabricate the device successfully.The output power is 1.7 mW,the far field divergence angle is less than 10°,and the side mode suppression ratio is over 30 dB.The output power in the Y direction is 20 times that in the X direction. 展开更多
关键词 photonic crystal vertical cavity surface emitting laser(vcsel) elliptical holes single mode polarization control
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Simulation of Far-Field Properties of Coherent Vertical Cavity Surface Emitting Laser Array
3
作者 荀孟 徐晨 +5 位作者 解意洋 邓军 蒋国庆 潘冠中 董毅博 陈弘达 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2016年第4期40-43,共4页
Far-field properties dependent on array scale, separation, element width and emitted wavelength are system atically analyzed theoretically and experimentally. An array model based on the finite-difference method is es... Far-field properties dependent on array scale, separation, element width and emitted wavelength are system atically analyzed theoretically and experimentally. An array model based on the finite-difference method is established to simulate the far-field profile of the coherent arrays. Some important conclusions are obtained. To achieve a higher quality beam, it is necessary to decrease separation between elements, or to increase the element width. Higher brightness can be achieved in the array with larger scale. Emitted wavelength also has an influence on the far-field profile. These analyses can be extended to the future design of coherent vertical cavity surface emitting laser arrays. 展开更多
关键词 of is it as Simulation of Far-Field Properties of Coherent Vertical Cavity surface emitting laser Array in vcsel FAR
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Beam Steering Analysis in Optically Phased Vertical Cavity Surface Emitting Laser Array
4
作者 荀孟 孙昀 +5 位作者 徐晨 解意洋 金智 周静涛 刘新宇 吴德馨 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2018年第3期30-34,共5页
Beam steering in implant defined coherently coupled vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) arrays is simulated using the FDTD solution software. Angular deflection dependent on relative phase differences amo... Beam steering in implant defined coherently coupled vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) arrays is simulated using the FDTD solution software. Angular deflection dependent on relative phase differences among elements, inter-element spacing, element size and emitted wavelength is analyzed detailedly and systematically. We design and fabricate 1×2 implant defined VCSEL arrays for optimum beam steering performance. Electroni- cally controlled beam steering with a maximum deflection angle of 1.6° is successfully achieved in the 1 × 2 VCSEL arrays. The percentage of the power in the central lobe is above 39% when steering. The results show that the steering is controllable. Compared with other beam steering methods, the fabrication process is simple and of low cost. 展开更多
关键词 vcsel Beam Steering Analysis in Optically Phased Vertical Cavity surface emitting laser Array
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Simplified modeling of frequency behavior in photonic crystal vertical cavity surface emitting laser with tunnel injection quantum dot in active region
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作者 Mehdi Riahinasab Vahid Ahmadi Elham Darabi 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第2期260-267,共8页
In this work, the characteristics of the photonic crystal tunneling injection quantum dot vertical cavity surface emitting lasers(Ph C-TIQD-VCSEL) are studied through analyzing a modified modulation transfer functio... In this work, the characteristics of the photonic crystal tunneling injection quantum dot vertical cavity surface emitting lasers(Ph C-TIQD-VCSEL) are studied through analyzing a modified modulation transfer function. The function is based on the rate equations describing the carrier dynamics at different energy levels of dot and injector well. Although the frequency modulation response component associated with carrier dynamics in wetting layer(WL) and at excited state(ES) levels of dots limits the total bandwidth in conventional QD-VCSEL, our study shows that it can be compensated for by electron tunneling from the injector well into the dot in TIQD structure. Carrier back tunneling time is one of the most important parameters, and by increment of that, the bias current dependence of the total bandwidth will be insignificant. It is proved that at high bias current, the limitation of the WL-ES level plays an important role in reducing the total bandwidth and results in rollovers on 3-d B bandwidth-I curves. In such a way, for smaller air hole diameter of photonic crystal, the effect of this reduction is stronger. 展开更多
关键词 modulation transfer function photonic crystal(PhC) tunnel injection quantum dot(TIQD) vertical cavity surface emitting laser(vcsel)
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表面菱形孔795 nm VCSEL的偏振特性
6
作者 付秋雪 孙玉润 +3 位作者 于淑珍 范屹梁 仇伯仓 董建荣 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期609-617,共9页
795 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为铷基芯片级原子钟(Rb-CSAC)的光源,其输出光的偏振不稳定会降低Rb-CSAC的稳定度和精确度。为了满足Rb-CSAC对795 nm VCSEL偏振稳定的需求,设计了一种具有表面菱形孔的偏振稳定的795 nm VCSEL。通过... 795 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为铷基芯片级原子钟(Rb-CSAC)的光源,其输出光的偏振不稳定会降低Rb-CSAC的稳定度和精确度。为了满足Rb-CSAC对795 nm VCSEL偏振稳定的需求,设计了一种具有表面菱形孔的偏振稳定的795 nm VCSEL。通过有限时域差分(FDTD)法计算了VCSEL的偏振特性,结果表明VCSEL的顶部分布式布拉格反射镜(DBR)在表面菱形孔的长轴和短轴方向具有不同的反射率。反射率高的偏振模式阈值增益低,成为VCSEL优先激射的主导偏振模式。为进一步提高VCSEL的偏振抑制比(OPSR),将VCSEL的氧化孔制作成尺寸为5.5μm×4.1μm的菱形。对不同长、短轴的表面菱形孔795 nm VCSEL进行偏振测试,结果表明,当表面菱形孔的尺寸为4μm×6μm,且菱形氧化孔的长轴与表面菱形孔的长轴相互垂直时,VCSEL的OPSR可达到16.22 dB。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器(vcsel) 表面菱形孔 偏振控制 芯片级原子钟(CSAC) 分布式布拉格反射镜(DBR)
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增厚DBR型894 nm窄线宽VCSEL
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作者 范屹梁 孙玉润 +3 位作者 付秋雪 于淑珍 仇伯仓 董建荣 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期449-454,共6页
垂直腔面发射激光器(VCSEL)是芯片级原子钟(CSAC)的主流光源,其光束质量会影响CSAC的各项性能。扩展VCSEL内部有效腔长能够以压缩冷腔线宽的方式压窄器件最终辐射激光的线宽,从而可以减小CSAC短时间内的计时频率噪声。根据所计算的VCSE... 垂直腔面发射激光器(VCSEL)是芯片级原子钟(CSAC)的主流光源,其光束质量会影响CSAC的各项性能。扩展VCSEL内部有效腔长能够以压缩冷腔线宽的方式压窄器件最终辐射激光的线宽,从而可以减小CSAC短时间内的计时频率噪声。根据所计算的VCSEL表面反射谱,将VCSEL中4层下分布式布拉格反射镜(DBR)的厚度由常规的四分之一波长增加至404 nm,压缩了VCSEL冷腔线宽,并生长了对应的外延结构,制备了通过增厚DBR扩展有效腔长的894 nm窄线宽VCSEL。测试结果表明,研制的VCSEL在90℃下波长为893.1 nm,功率为0.335 mW,线宽约为32 MHz,且具有稳定的偏振特性。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器(vcsel) 芯片级原子钟(CSAC) 有效腔长 分布式布拉格反射镜(DBR) 线宽
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带宽超30 GHz的850 nm方形横向耦合腔VCSEL
8
作者 佟海霞 王延靖 +4 位作者 田思聪 蒋宁 李浩 佟存柱 魏志鹏 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期493-499,共7页
如今,人们对研究耦合腔面发射激光器结构的兴趣逐渐增加。这种结构通过向主腔施加调制电的同时向每个反馈腔施加直流电来实现带宽提升。然而,单独驱动主腔对器件性能的影响尚未得到深入研究。为了更全面地了解耦合腔激光器,我们设计并... 如今,人们对研究耦合腔面发射激光器结构的兴趣逐渐增加。这种结构通过向主腔施加调制电的同时向每个反馈腔施加直流电来实现带宽提升。然而,单独驱动主腔对器件性能的影响尚未得到深入研究。为了更全面地了解耦合腔激光器,我们设计并制备了边长为30μm×30μm的方形横向耦合腔VCSEL,并研究了在方形横向耦合腔中单独驱动主腔时器件性能的变化。室温下,-3 dB带宽达30.1 GHz,在非归零调制下,在背对背传输速率40 Gbit/s时获得清晰的眼图,相对强度噪声值为-160 dB/Hz。证明了反馈腔在不加驱动的条件下仍会对主腔的性能提供正向作用。设计的TCC-VCSEL器件只需要一个电源驱动,使其适用于高密度集成,为封装集成应用提供了新的思路。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 横向耦合腔 高速
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利用VCSEL激光二极管在1.58μm波段对CO_2气体温度的测量 被引量:5
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作者 李宁 严建华 +2 位作者 王飞 池涌 岑可法 《燃烧科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期458-462,共5页
利用1.58μm处的VCSEL激光二极管对CO2气体的两条特征谱线进行扫描以实现气体温度的测量.介绍了利用可调谐激光光谱结合波长调制方法进行温度测量的基本原理,并讨论了相关的影响因素.在常压下的加热石英管中进行了实验,在温度为20... 利用1.58μm处的VCSEL激光二极管对CO2气体的两条特征谱线进行扫描以实现气体温度的测量.介绍了利用可调谐激光光谱结合波长调制方法进行温度测量的基本原理,并讨论了相关的影响因素.在常压下的加热石英管中进行了实验,在温度为20~300℃时,计算值与热电偶信号的温差在35℃以内.通过对测量误差的分析,为实现单激光器同时测量气体温度与浓度提供参考. 展开更多
关键词 vcsel激光二极管 可调谐激光吸收光谱技术 温度测量 波长调制
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延迟光反馈VCSEL的混沌动力学特性 被引量:5
10
作者 谭建锋 张胜海 +1 位作者 王伟 赵振华 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期272-276,共5页
根据延迟光反馈垂直腔面发射半导体激光器动力学模型,数值模拟了激光器的混沌动力学特性,分析了外腔长度和光反馈强度对激光器混沌动力学特性的影响.结果表明:外腔较短的激光器,经过混沌区后仍会回到锁频状态;外腔较长的激光器,经过混... 根据延迟光反馈垂直腔面发射半导体激光器动力学模型,数值模拟了激光器的混沌动力学特性,分析了外腔长度和光反馈强度对激光器混沌动力学特性的影响.结果表明:外腔较短的激光器,经过混沌区后仍会回到锁频状态;外腔较长的激光器,经过混沌区后不是进入锁频状态而是回到周期1.取定激光器外腔长度为3.0 cm,使反馈强度由小增大,得到激光器由倍周期分岔进入混沌的过程,并在混沌区中出现周期12窗口.本文对混沌保密通信的实际应用具有一定的理论参考价值. 展开更多
关键词 延迟光反馈 垂直腔面发射半导体激光器 混沌动力学特性 锁频 倍周期分岔
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外包壳对具有氧化孔径层的圆柱形VCSEL阈值增益的影响 被引量:2
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作者 王英龙 郑云龙 +4 位作者 武德起 尚勇 阎正 赵顺龙 阎常瑜 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期16-19,共4页
采用矢量场模型,对具有诱人应用前景的圆柱形垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的模式阈值增益进行了数值模拟;为减弱金属圆柱的反射以使理论计算更接近实际,采用两种方案,将外加金属包壳视为非理想导体,或在此基础上,将金属包壳与激光... 采用矢量场模型,对具有诱人应用前景的圆柱形垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的模式阈值增益进行了数值模拟;为减弱金属圆柱的反射以使理论计算更接近实际,采用两种方案,将外加金属包壳视为非理想导体,或在此基础上,将金属包壳与激光器主体结构隔开.从模式的阈值增益与顶Bragg反射镜层周期数的关系方面,与理想金属外包壳情况进行了比较.结果表明,高阶贝塞耳函数模式的阈值增益变化规律基本相同,而0阶贝塞耳函数模式的阈值增益变化规律相差较大. 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 氧化孔径 闽值增益
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N-DBR和双氧化限制层对VCSEL电、光、热特性的影响 被引量:3
12
作者 刘立新 赵红东 牛憨笨 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期325-329,共5页
根据增益波导垂直腔面发射激光器直接耦合的准三维理论模型,通过有限差分法对注入电流密度、载流子浓度、光场和热场分布方程求自洽解.研究了垂直腔面发射激光器的电、热和光波导特性,同时提出了一种具有双氧化限制层的增益波导垂直腔... 根据增益波导垂直腔面发射激光器直接耦合的准三维理论模型,通过有限差分法对注入电流密度、载流子浓度、光场和热场分布方程求自洽解.研究了垂直腔面发射激光器的电、热和光波导特性,同时提出了一种具有双氧化限制层的增益波导垂直腔面发射激光器结构,并通过对比研究了N-型分布布喇格反射镜和双氧化限制层对增益波导垂直腔面发射激光器特性的影响·计算结果表明,如果忽略N-型分布布喇格反射镜的影响将与实际的垂直腔面发射激光器有较大偏差;双氧化限制层结构对激光器特性有较大的改善,它为增益波导垂直腔面发射激光器提供了一种降低阈值,抑制高阶横模的方法· 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 有限差分法 N-型分布布喇格反射镜层 双氧化限制层
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基于AlN膜结构VCSEL热特性的研究(英文) 被引量:1
13
作者 马祥柱 张斯钰 +3 位作者 赵博 李辉 霍晋 曲轶 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期2113-2117,共5页
本文用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和Si O2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布和热矢量分布.目的是证明Al N膜钝化层要比SiO2膜钝化层有具更好的特性,使器件能更稳定的工作,提高器件... 本文用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和Si O2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布和热矢量分布.目的是证明Al N膜钝化层要比SiO2膜钝化层有具更好的特性,使器件能更稳定的工作,提高器件的特性,经模拟得到基于Al N膜钝化层的VCSEL热阻为3.12℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.77℃/W.经实验测得基于Al N膜钝化层的VCSEL热阻为3.59℃/W而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.82℃/W,模拟结果和实验结果吻合较好.说明AlN膜钝化层要比SiO2膜钝化层具有更好的热特性. 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 AlN膜 SIO2膜 ANSYS
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VCSELs与EELs多模弛豫振荡的研究 被引量:1
14
作者 李孝峰 潘炜 +2 位作者 罗斌 赵峥 邓果 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期248-250,258,共4页
根据多模速率方程 ,利用MATLAB提供的SIMULINK软件包对垂直腔面发射激光器 (VCSELs)和边发射激光器 (EELs)多模弛豫振荡进行了研究。结果表明 ,与单模情况相比 ,多模时EELs弛豫振荡频率增大、弛豫和延迟时间缩短 ,而VCSELs动态特性变化... 根据多模速率方程 ,利用MATLAB提供的SIMULINK软件包对垂直腔面发射激光器 (VCSELs)和边发射激光器 (EELs)多模弛豫振荡进行了研究。结果表明 ,与单模情况相比 ,多模时EELs弛豫振荡频率增大、弛豫和延迟时间缩短 ,而VCSELs动态特性变化不大。与此同时 ,在得出VCSELs的单模工作、高速调制以及提高偏置电流或自发辐射因子可改善两类器件动态特性等结论外还看到 ,VCSELs边模抑制比 (SMSR)随偏置电流变化率高于EELs;自发辐射因子增大时 ,边模强度同比例增大、主模强度减小 ,利用微腔效应有效控制自发辐射因子可以优化VCSELs的单模特性。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 边发射激光器 弛豫振荡 边模抑制比 自发辐射因子
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基于AlN膜钝化层VCSEL激光器热特性的研究 被引量:1
15
作者 马祥柱 霍晋 +1 位作者 曲轶 杜石磊 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1023-1026,共4页
用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和SiO2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布和热矢量分布。经模拟得到基于AlN膜钝化层的VCSEL热阻为3.123℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.377... 用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和SiO2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布和热矢量分布。经模拟得到基于AlN膜钝化层的VCSEL热阻为3.123℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.377℃/W。经实验测得基于AlN膜钝化层的VCSEL热阻为3.54℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.75℃/W,模拟结果与实验结果吻合较好。 展开更多
关键词 垂直腔面发射半导体激光器 AlN膜 SIO2膜 ANSYS
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基于CPT原子钟的VCSEL激光器控制系统设计 被引量:3
16
作者 赵军 秦丽 +1 位作者 闫树斌 任小红 《电子设计工程》 2009年第8期118-119,共2页
设计基于原子相干布居俘获原理(CPT)的原子钟系统中垂直腔面发射激光器(VCSEL)控制器,其包括20 mA量程、低噪声、精密直流稳流电源、介绍VCSEL控制系统组成和工作原理,并对VCSEL激光器系统进行了测试分析。结果表明,该控制系统可以实现... 设计基于原子相干布居俘获原理(CPT)的原子钟系统中垂直腔面发射激光器(VCSEL)控制器,其包括20 mA量程、低噪声、精密直流稳流电源、介绍VCSEL控制系统组成和工作原理,并对VCSEL激光器系统进行了测试分析。结果表明,该控制系统可以实现单模态、窄线宽及低功耗稳定光源,对CPT原子钟VCSEL光源应用具有参考和使用价值。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器(vcsel) 相干布居俘获(CPT) 驱动器 温度控制
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VCSEL技术及其在光互连中的应用 被引量:3
17
作者 刘杰 高剑刚 李玉权 《光子技术》 2006年第1期8-12,共5页
垂直腔表面发射激光器(VCSELs)是并行光互连、高速光交换系统中最合适的光源。它具有易耦合、易封装和测试的优点。由于其独特的性能,可以较为方便地制作二维激光器阵列。基于VCSEL阵列的光电混合集成及并行光互连是当前的研究热点。本... 垂直腔表面发射激光器(VCSELs)是并行光互连、高速光交换系统中最合适的光源。它具有易耦合、易封装和测试的优点。由于其独特的性能,可以较为方便地制作二维激光器阵列。基于VCSEL阵列的光电混合集成及并行光互连是当前的研究热点。本文介绍了VCSEL基本结构及设计中的关键技术,并对VCSEL在光互连中的应用进行了研究。 展开更多
关键词 垂直腔表面发射激光器 光互连 分布布喇格反射器 倒装焊 多芯片模块
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注入电流引起质子轰击VCSEL中的模式竞争
18
作者 赵红东 彭晓灿 +1 位作者 马俐 孙梅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期996-1001,共6页
为了分析质子轰击垂直腔面发射激光器(VCSEL)中注入电流引起的激光模式竞争过程,在三维空间中对VCSEL激射后光电热进行了研究。给出仿真光电热的方程之后,在室温连续工作条件下,对电流孔半径r为4μm、阈值电流Ith为4.5 m A的VCSEL进行... 为了分析质子轰击垂直腔面发射激光器(VCSEL)中注入电流引起的激光模式竞争过程,在三维空间中对VCSEL激射后光电热进行了研究。给出仿真光电热的方程之后,在室温连续工作条件下,对电流孔半径r为4μm、阈值电流Ith为4.5 m A的VCSEL进行自洽求解。当注入电流Iin分别为5.0,5.5,6.0 m A时,得到了对应的外加电压和输出光功率,并绘制了VCSEL的电势、注入电流、载流子、光场和热场的空间分布,给出了连续工作下输出光功率随注入电流变化的曲线。仿真结果表明:随着注入VCSEL中的电流增加,电流密度增大,激光的横向基模和横向一阶模式同时增强。横向一阶模式增加的强度及扩展的范围大于横向基模,激光输出能量逐渐向横向一阶模式过渡,横向模式竞争的同时产生载流子空间烧孔,因此在电流孔半径r≥4μm的VCSEL中,连续工作激光模式不稳定。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 横模 光电热仿真
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808nm高功率VCSEL刻蚀工艺研究
19
作者 冯源 晏长岭 +4 位作者 郝永芹 王勇 芦鹏 李洋 李再金 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2014年第6期8-11,共4页
为提高808nm高功率VCSEL的光电性能,对不同实验条件下的氧化限制型VCSEL湿法刻蚀工艺进行了实验研究,制备出多环形电极结构VCSEL器件。实验中采用H3PO4系腐蚀液替代以往常用的H2SO4系腐蚀液,通过改变湿法刻蚀工艺的温度条件及腐蚀液的... 为提高808nm高功率VCSEL的光电性能,对不同实验条件下的氧化限制型VCSEL湿法刻蚀工艺进行了实验研究,制备出多环形电极结构VCSEL器件。实验中采用H3PO4系腐蚀液替代以往常用的H2SO4系腐蚀液,通过改变湿法刻蚀工艺的温度条件及腐蚀液的浓度配比,能够较精确的控制腐蚀深度,消除"燕尾"结构,最终确定808nm高功率VCSEL湿法腐蚀工艺的最佳温度条件及腐蚀液的最佳浓度配比。测试结果表明,采用这种湿法刻蚀工艺条件制备的808nm高功率VCSEL器件,室温下的阈值电流为430m A,微分量子效率为0.44W/A,最大输出功率达到0.42W,其光电性能远优于传统湿法刻蚀工艺制备的同种高功率VCSEL器件。 展开更多
关键词 垂直腔面发射半导体激光器 高功率 湿法刻蚀 燕尾结构 刻蚀速率
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电流调制下光注入VCSEL-SA的可重构逻辑运算 被引量:1
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作者 肖路遥 唐曦 +6 位作者 林晓东 高子叶 段志飞 杜潇睿 夏光琼 吴正茂 邓涛 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期153-165,共13页
基于电流调制和光注入共同作用下的带有饱和吸收体的垂直腔面发射激光器(VCSEL-SA),提出了一种可重构的光电逻辑门(NOT,NAND,NOR,XOR),数值研究了电流调制下VCSEL-SA的spiking动力学特性,及电流调制下光注入VCSEL-SA的逻辑运算性能。研... 基于电流调制和光注入共同作用下的带有饱和吸收体的垂直腔面发射激光器(VCSEL-SA),提出了一种可重构的光电逻辑门(NOT,NAND,NOR,XOR),数值研究了电流调制下VCSEL-SA的spiking动力学特性,及电流调制下光注入VCSEL-SA的逻辑运算性能。研究结果表明,对于电流调制下的光注入VCSEL-SA,光电逻辑门可以在一定的偏置电流范围内实现。通过选取合适的调制电流,可以实现重构的逻辑运算(NAND,NOR),且两个调制信号之间的时延对逻辑运算性能影响较小。通过改变电流调制信号的输入方式并移除光注入信号,VCSEL-SA可以实现XOR逻辑运算。此外,基于电流调制下光注入VCSEL-SA的可重构逻辑运算对噪声有较好的容忍性。研究结果可为未来光子神经网络解决复杂的信号处理任务提供一定的理论基础。 展开更多
关键词 带有饱和吸收体的垂直腔面发射激光器(vcsel-SA) spiking动力学特性 电流调制 可重构性 光电逻辑门
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