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A comparative study of digital low dropout regulators 被引量:2
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作者 Mo Huang Yan Lu Rui P.Martins 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2020年第11期52-60,共9页
Granular power management in a power-efficient system on a chip(SoC)requires multiple integrated voltage regulators with a small area,process scalability,and low supply voltage.Conventional on-chip analog low-dropout ... Granular power management in a power-efficient system on a chip(SoC)requires multiple integrated voltage regulators with a small area,process scalability,and low supply voltage.Conventional on-chip analog low-dropout regulators(ALDOs)can hardly meet these requirements,while digital LDOs(DLDOs)are good alternatives.However,the conventional DLDO,with synchronous control,has inherently slow transient response limited by the power-speed trade-off.Meanwhile,it has a poor power supply rejection(PSR),because the fully turned-on power switches in DLDO are vulnerable to power supply ripples.In this comparative study on DLDOs,first,we compare the pros and cons between ALDO and DLDO in general.Then,we summarize the recent DLDO advanced techniques for fast transient response and PSR enhancement.Finally,we discuss the design trends and possible directions of DLDO. 展开更多
关键词 low dropout regulator(LDO) digital control fast transient response power supply rejection(PSR) integrated voltage regulator
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An Ultra-Low Quiescent Current CMOS Low-Dropout Regulator with Small Output Voltage Variations 被引量:2
2
作者 Xin Cheng Yizhong Yang +2 位作者 Longjie Du Yang Chen Guangjun Xie 《Journal of Power and Energy Engineering》 2014年第4期477-482,共6页
An ultra-low quiescent current low-dropout regulator with small output voltage variations and improved load regulation is presented in this paper. It makes use of dynamically-biased shunt feedback as the buffer stage ... An ultra-low quiescent current low-dropout regulator with small output voltage variations and improved load regulation is presented in this paper. It makes use of dynamically-biased shunt feedback as the buffer stage and the LDO regulator can be stable for all load conditions. The proposed structure also employs a momentarily current-boosting circuit to reduce the output voltage to the normal value when output is switched from full load to no load. The whole circuit is designed in a 0.18 μm CMOS technology with a quiescent current of 550 nA. The maximum output voltage variation is less than 20 mV when used with 1 μF external capacitor. 展开更多
关键词 Ultra-low Quiescent CURRENT low-dropout REGULATOR SMALL OUTPUT VARIATIONS
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Design of a fast-transient and high-stabilized GPS low dropout regulator
3
作者 胡正飞 Xue Shaojia 《High Technology Letters》 EI CAS 2014年第2期208-212,共5页
A high stabilized low dropout(LDO) voltage regulator fabricated for GPS radio frequency(RF) chip in SMIC 0.18μm CMOS technology is presented.The LDO mainly consists of bandgap reference,error amplifier,resistive feed... A high stabilized low dropout(LDO) voltage regulator fabricated for GPS radio frequency(RF) chip in SMIC 0.18μm CMOS technology is presented.The LDO mainly consists of bandgap reference,error amplifier,resistive feedback network and AC current path.A fast current path is added to improve the performance of LDO's transient response.Equivalent series resistance(ESR)compensation and internal Miller compensation are used to constitute the frequency compensation.The measurement results of the transient response of the output voltage show that it can recover within 2μs with less than 120 mV ripple when the load current is changed from 0 to 100 mA.The total quiescent current of LDO and bandgap reference(without load) is 260 μA. 展开更多
关键词 低压差稳压器 瞬态响应 GPS 高稳定 带隙基准源 设计 CMOS技术 频率补偿
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Integrated Multi-channel High Accuracy Current Control LED Driver with Low Dropout Regulator
4
作者 Wan-Rone Liou Mary Loralie E.Bulasa Yi-Cheng Lu Wei-Chih Chen Shi-Xian Wang 《Journal of Energy and Power Engineering》 2013年第3期583-588,共6页
关键词 LED驱动器 低压差稳压器 电流控制 多通道 集成 多媒体应用程序 高精度 低压降稳压器
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基于Dropout-多尺度空洞卷积神经网络的轴承故障诊断 被引量:1
5
作者 陈伟 王复淞 +2 位作者 郭婧 黄博昊 白艺硕 《机电工程》 CAS 北大核心 2023年第5期644-654,共11页
为了提高故障诊断模型对故障轴承低信噪比信号的特征提取能力,使模型在强噪声环境下仍能发挥作用,提出了一种基于Dropout-多尺度空洞卷积神经网络(D-MDCNN)的滚动轴承故障诊断模型。首先,通过Dropout数据预处理,对训练数据进行“损坏”... 为了提高故障诊断模型对故障轴承低信噪比信号的特征提取能力,使模型在强噪声环境下仍能发挥作用,提出了一种基于Dropout-多尺度空洞卷积神经网络(D-MDCNN)的滚动轴承故障诊断模型。首先,通过Dropout数据预处理,对训练数据进行“损坏”,强迫模型仅依靠少量特征便可进行故障诊断,以提高模型的抗噪声能力;然后,使用不同扩张率的空洞卷积扩充了多尺度信息,并利用CNN模块来完成对特征的提取与故障诊断;同时,在模型中加入批量归一化处理操作,用来加快模型训练的收敛速度,提高了模型的性能;最后,利用美国凯斯西储大学轴承数据集和东南大学齿轮箱数据集对基于D-MDCNN的模型进行了实验验证,并将实验结果与采用其他深度学习模型所得的实验结果进行了对比分析。实验结果表明:在无噪声至4dB的噪声环境下,D-MDCNN在西储大学和东南大学两个数据集上均可取得99%的诊断准确率;相比于其他同类模型,基于D-MDCNN的模型具有更高的诊断准确率和抗噪声能力。研究结果表明:基于D-MDCNN的模型是一种有效的轴承故障诊断模型。 展开更多
关键词 强噪声环境 低信噪比信号 滚动轴承故障诊断 故障特征提取 dropout-多尺度空洞卷积神经网络 损坏训练数据 抗噪声能力
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一种低功耗高稳定性的LDO设计
6
作者 谢海情 曹武 +2 位作者 崔凯月 赵欣领 刘顺城 《电子设计工程》 2024年第14期115-120,共6页
基于Nuvoton 0.35μm CMOS工艺,设计了一种低功耗、高稳定性、高瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。误差放大器为交叉耦合结构,通过调节耦合对的比例可在低电流下获得相对大带宽和高增益,从而保证系统稳定性。电路基于自适应... 基于Nuvoton 0.35μm CMOS工艺,设计了一种低功耗、高稳定性、高瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。误差放大器为交叉耦合结构,通过调节耦合对的比例可在低电流下获得相对大带宽和高增益,从而保证系统稳定性。电路基于自适应偏置结构,动态跟随负载电流变化,为前级误差放大器提供偏置电流,提高环路带宽进而提高LDO的瞬态响应。仿真结果表明,LDO的输入范围为1.3~3.3 V,输出电压稳定在1.2 V,压差仅为100 mV;全负载范围内相位裕度(PM)最差为64.4°;负载电流在0.1μA~20 mA跳变时,欠冲电压为71.52 mV、恢复时间为526 ns,过冲电压为90.217 mV、恢复时间为568 ns,最小静态电流为5.17μA。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(LDO) 无片外电容 低功耗 瞬态响应
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一种高PSR低静态电流LDO设计
7
作者 王天凯 张瑛 +2 位作者 程双 杨华 王宁 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第2期221-227,共7页
设计了一种基于0.18μm BCD工艺的高电源抑制(PSR)低静态电流低压差线性稳压器(LDO)。详细分析了多条电源噪声传递路径对系统PSR的影响。为优化系统中低频段PSR,设计了一种双轨供电的三级误差放大器。此外还引入了预稳压单元,降低了电... 设计了一种基于0.18μm BCD工艺的高电源抑制(PSR)低静态电流低压差线性稳压器(LDO)。详细分析了多条电源噪声传递路径对系统PSR的影响。为优化系统中低频段PSR,设计了一种双轨供电的三级误差放大器。此外还引入了预稳压单元,降低了电压基准模块对系统低频段PSR的影响。为降低系统的静态电流,设计了一种基于耗尽管的超低静态电流电压基准。仿真结果表明,该LDO在不同输出电压下静态电流仅5μA,并且在250 mA负载电流内PSR<-110 dB@1 kHz, PSR<-55 dB@1 MHz。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 电源抑制 预稳压器 低静态电流
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一种用于低噪声LDO的动态零点补偿技术
8
作者 吴嘉祺 姚思远 +3 位作者 刘智 陈泽强 魏巍 于洪波 《微电子学与计算机》 2024年第1期142-150,共9页
为提高低压差线性稳压器(Low-DropOut Linear Regulator,LDO)的稳定性并降低前馈电路所产生的噪声,提出了一种生成自适应补偿零点的低噪声前馈电路。该前馈电路通过镜像调整管的负载电流,通过低值反馈电阻形成高增益反馈信号,与LDO输出... 为提高低压差线性稳压器(Low-DropOut Linear Regulator,LDO)的稳定性并降低前馈电路所产生的噪声,提出了一种生成自适应补偿零点的低噪声前馈电路。该前馈电路通过镜像调整管的负载电流,通过低值反馈电阻形成高增益反馈信号,与LDO输出电压经反馈网络传递给反馈端的信号耦合形成由负载电容、负载电流控制的可控零点,可有效提高LDO电路整体的稳定性。此外,电路内部加入了产生动态极点的自适应电流补偿电路以保证次极点不会对环路的相位裕度产生影响。基于0.18μm BCD工艺设计,该电路在0~800 mA的宽负载范围、5 V输入3.3 V输出下相位裕度均高于48°,适用负载电容范围≥1μF,同时该LDO在10~100 kHz的频率范围内输出噪声仅为5.0617μVrms。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(LDO) 前馈电路 自适应补偿 低噪声 频率补偿 稳定性
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一种基于有源滤波电路的高PSRR低噪声LDO电路设计
9
作者 吴嘉祺 姚思远 +3 位作者 刘智 陈泽强 魏巍 于洪波 《微电子学与计算机》 2024年第2期67-75,共9页
为了减少低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电路中的噪声以及输入电压携带的纹波对输出电压精度所带来的影响,提出了一种基于有源滤波思想的优化LDO噪声和电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)的电路设计技术,在... 为了减少低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电路中的噪声以及输入电压携带的纹波对输出电压精度所带来的影响,提出了一种基于有源滤波思想的优化LDO噪声和电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)的电路设计技术,在不考虑功耗以及压差的条件下,采用多级稳压设计以大幅提升LDO的电源抑制比。通过前级LDO电路对输入电压进行稳压,形成二次电源后对后续电路进行供电,同时在后级LDO的基准端加入一级额外的稳压电路进行稳压,并通过低功耗RC滤波器和跨导放大器以减少环路噪声。此外,电路还加入了低噪声前馈电路以及快速启动电路提高LDO的响应速度。基于0.18μm BCD工艺,在5 V输入3.3 V输出,负载电流为10 mA的仿真验证下,测得整体电路在1 kHz时PSRR达到−110 dB,同时在10~100 kHz下其噪声仅为5.3μVrms。同时,通过改变基准端负载电容以及负载电流对LDO的PSRR以及噪声进行仿真,其结果均满足设计需求,有效提高了LDO输出电压的精度。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 电源抑制比 低噪声 有源滤波器 二次电源 低通滤波器
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LDO与VLDO的设计原理及性能测试 被引量:7
10
作者 马洪涛 沙占友 王彦朋 《电源技术应用》 2006年第10期26-29,共4页
首先分析了低压差稳压器(LDO)、准低压差稳压器(QLDO)和超低压差稳压器(VLDO)的设计原理,然后对几种线性稳压器的性能作了比较,最后通过低压差稳压器的测试数据来证明其优良特性。
关键词 低压差稳压器 超低压差稳压器 电压控制 测试
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一种适用于LDO的无过冲软启动电路设计
11
作者 邓家雄 冯全源 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第6期708-712,共5页
设计了一种适用于LDO的无过冲软启动电路。其核心是采用线性升压的软启动策略来消除浪涌电流,电路结构简单、易于实现。为了解决超调现象,利用晶体管与正反馈电路设计了一种快速比较器,使得软启动电路输出电压能平滑地过渡到稳定工作状... 设计了一种适用于LDO的无过冲软启动电路。其核心是采用线性升压的软启动策略来消除浪涌电流,电路结构简单、易于实现。为了解决超调现象,利用晶体管与正反馈电路设计了一种快速比较器,使得软启动电路输出电压能平滑地过渡到稳定工作状态。为了减小版图面积,利用少量的MOS管设计了斜坡产生电路和输入不平衡比较器电路。该软启动电路集成到一款低压差线性稳压器中,采用SMIC 0.18μm BCD工艺实现,电源电压为4.5 V。仿真结果表明,软启动电路有效地消除了浪涌电流,实现输出电压平稳上升无过冲,并能平滑地过渡到稳定工作状态,无超调现象产生。电路结构简单,版图面积为98μm×60μm,便于片上集成,该电路也可以应用到一般的DC-DC稳压器中。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 快速比较器 软启动 浪涌电流 超调现象
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基于负载追踪补偿的大电流LDO设计
12
作者 朱琪 黄登华 《电子技术应用》 2024年第3期26-30,共5页
提出一种有效提升大电流输出应用的低压差线性稳压器(LDO)环路稳定性的技术,采用负载追踪补偿方式消除电路输出端与负载相关的极点对环路稳定性的影响,且在维持环路低频增益不变的前提下降低高频下环路中节点阻抗,从而达到同时提升输出... 提出一种有效提升大电流输出应用的低压差线性稳压器(LDO)环路稳定性的技术,采用负载追踪补偿方式消除电路输出端与负载相关的极点对环路稳定性的影响,且在维持环路低频增益不变的前提下降低高频下环路中节点阻抗,从而达到同时提升输出精度和优化瞬态响应性能的目的。采用TSMC 0.18µm BCD工艺进行仿真验证,结果表明电路最大输出电流6 A,在6 A/6μs的负载突变情况下输出电压下冲为36.6 mV,过冲为35.3 mV,稳定时间小于56.3μs。全负载电流范围内,瞬态性能大幅提升。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 负载追踪 环路增益 瞬态响应
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一种宽输入瞬态增强LDO设计
13
作者 汪西虎 康敏安 +2 位作者 郭仲杰 杨靳 郭世骁 《西安邮电大学学报》 2024年第1期41-52,共12页
当应用于恶劣的电子电路环境中时,汽车电子中电源管理类芯片可能发生瞬态高压和线路的动态变化。为了拓宽输入范围和改善瞬态响应性能,提出了一种宽输入瞬态增强低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator, LDO)设计。采用预稳压电路将输... 当应用于恶劣的电子电路环境中时,汽车电子中电源管理类芯片可能发生瞬态高压和线路的动态变化。为了拓宽输入范围和改善瞬态响应性能,提出了一种宽输入瞬态增强低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator, LDO)设计。采用预稳压电路将输入高电压转化为低压电源,为电路内部模块供电来实现宽输入。主环路使用双调整管设计方式,通过添加快速响应通路的方式加快环路对输出电压变化的响应速度,结合快速放电电路以实现快速瞬态响应。应用米勒调零补偿和零点补偿方法以保证不同带载条件下环路的稳定性。仿真结果表明,设计LDO电路输入电压的范围为3~40 V,预稳压电路可以将输入的高电压降压至2.8 V;LDO输出电压典型值为5 V,最大可带载150 mA;当负载电流发生150 mA的跳变时,输出的上冲电压和下冲电压分别为40.32 mV和55.77 mV。与已有的相关设计相比,所提设计实现了较宽的输入范围,同时具有较好的瞬态响应性能。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 汽车电子 宽输入范围 快速瞬态响应 米勒调零补偿 零点补偿
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一种超低压差高性能LDO设计
14
作者 徐晨涛 程旭 张霖 《中国集成电路》 2024年第4期39-46,共8页
基于0.35μm工艺,本文设计了一款为便携式电子设备供电的LDO线性稳压器,其输出电压控制为1.8V。该电路既可工作在轻载也可工作在重载状态下。本文对LDO线性稳压器的原理进行了简要分析,详细阐述了关键电路的工作原理,通过同时增加密勒... 基于0.35μm工艺,本文设计了一款为便携式电子设备供电的LDO线性稳压器,其输出电压控制为1.8V。该电路既可工作在轻载也可工作在重载状态下。本文对LDO线性稳压器的原理进行了简要分析,详细阐述了关键电路的工作原理,通过同时增加密勒补偿与片外电阻ESR的方式进行频率补偿,通过Cadence Spectre仿真验证了设计的可行性。低功耗模式下,静态电流可以低至45μA。在重载情况下,增益可达65dB以上,压差可在50 mV以下。 展开更多
关键词 超低压差 高性能 密勒补偿
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一种基于修正激活函数的CNN车载毫米波雷达目标检测方法 被引量:3
15
作者 王晨 王明江 陈嵩 《信号处理》 CSCD 北大核心 2023年第1期116-127,共12页
为了提高车载毫米波雷达在复杂城市道路环境中目标检测的抗杂波与干扰能力,本文利用卷积神经网络(CNN)特征参数提取和目标分类特性,提出了一种改进的基于CNN的车载毫米波雷达目标检测方法。该方法首先将毫米波雷达回波信号距离-多普勒... 为了提高车载毫米波雷达在复杂城市道路环境中目标检测的抗杂波与干扰能力,本文利用卷积神经网络(CNN)特征参数提取和目标分类特性,提出了一种改进的基于CNN的车载毫米波雷达目标检测方法。该方法首先将毫米波雷达回波信号距离-多普勒二维数据运用滑窗进行分割,并采用CNN网络模型处理分割后的二维矩阵,训练二维CNN网络模型及其参数,使其具有提取回波特征并基于特征参数模型进行目标分类的能力,从而实现目标检测功能。通过对卷积神经网络模型结构进行优化,增加批量归一化层,优化Dropout层使得低权重特征失活,自适应地删减部分神经元节点修正该层非线性激活函数,进一步降低了CNN模型目标检测的虚警概率。实验结果表明,在相同虚警概率条件下,CNN网络检测方法目标发现概率优于传统的单元平均恒虚警检测方法,并且在低信噪比的条件下仍然能够保持较高的发现概率;在同等发现概率水平下,修正后CNN网络检测方法的虚警概率较修正前可提高约1个数量级。 展开更多
关键词 雷达目标检测 深度学习 卷积神经网络(CNN) 低虚警率 优化dropout
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一种采用负反馈超级源随器的无片外电容LDO设计 被引量:1
16
作者 李天硕 李严 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第3期341-346,共6页
为了解决无片外电容低压差线性稳压器(LDO)频率稳定性和瞬态响应特性较差的问题,设计了一种包含负反馈机制的超级源随器,作为误差放大器输出端的缓冲级。通过缓冲级降低误差放大器的输出阻抗,利用极点分裂从而实现稳定性的提高。通过负... 为了解决无片外电容低压差线性稳压器(LDO)频率稳定性和瞬态响应特性较差的问题,设计了一种包含负反馈机制的超级源随器,作为误差放大器输出端的缓冲级。通过缓冲级降低误差放大器的输出阻抗,利用极点分裂从而实现稳定性的提高。通过负反馈机制增大功率管栅极的驱动电流,从而提升电路的瞬态响应特性。电路基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行设计,仿真结果表明,在1.5 V至3.3 V电源电压下能够稳定输出1.2 V电压,在负载电流为1 mA至100 mA范围内正常工作,且与普通源跟随器作缓冲级的LDO相比,稳定性和瞬态特性均有提升。经蒙特卡洛仿真分析得出,所设计的LDO在最差条件下的相位裕度为74.5°,且过冲电压小于260 mV,下冲电压小于140 mV,恢复时间为1.2μs,电路在最大的工艺误差和失配条件下仍保持较好的稳定性和瞬态特性。 展开更多
关键词 无片外电容 低压差线性稳压器 频率稳定性 瞬态响应特性 超级源随器 极点分裂
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低压差线性稳压器噪声测试研究
17
作者 林卓逸 王小强 +3 位作者 吴朝晖 李斌 罗军 余永涛 《电子器件》 CAS 北大核心 2023年第5期1199-1203,共5页
输出负载、输出电容是影响低压差线性稳压器输出噪声特性的重要因素,但国内外缺乏系统性研究。在宽范围的输出负载和输出电容的条件下,开展了正电压输出的LDO噪声测试和分析。结果表明,稳压器件输出噪声电压功率谱密度曲线表现出先减小... 输出负载、输出电容是影响低压差线性稳压器输出噪声特性的重要因素,但国内外缺乏系统性研究。在宽范围的输出负载和输出电容的条件下,开展了正电压输出的LDO噪声测试和分析。结果表明,稳压器件输出噪声电压功率谱密度曲线表现出先减小然后增大,并在达到拐点峰值后快速减小,最后基本不变的特征。不同的输出负载、输出电容条件下,LDO的输出噪声存在显著差异。随着输出电流的增大或输出电容减小,输出噪声电压功率谱密度曲线拐点右移,频率增加,输出噪声电压增大。输出负载、输出电容与LDO输出噪声的相关性在于输出电阻或输出电容的改变,会直接影响影响LDO环路的主极点频率,进而影响环路增益和带宽,最终导致器件输出噪声的变化。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 噪声测试 输出负载 输出电容 传输函数
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一种快速瞬态响应的LDO设计 被引量:1
18
作者 孙力 王志亮 +2 位作者 杨雨辰 谭庶欣 陈靖 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第8期690-698,共9页
针对传统低压差线性稳压器(LDO)的瞬态响应差、电源抑制比(PSRR)低、片外电容大等问题,提出了一种由采样运算放大器和补偿运算放大器构成的新型摆率增强电路,改善了LDO的瞬态响应能力,实现了无片外电容设计。电路基于BCD-120 V CMOS工... 针对传统低压差线性稳压器(LDO)的瞬态响应差、电源抑制比(PSRR)低、片外电容大等问题,提出了一种由采样运算放大器和补偿运算放大器构成的新型摆率增强电路,改善了LDO的瞬态响应能力,实现了无片外电容设计。电路基于BCD-120 V CMOS工艺完成了建模。仿真结果显示,负载电流为50 mA时,10、103和104Hz下的PSRR分别为108、96和80 dB;负载调整率为0.002 95 V·A^(-1);典型TT工艺角25℃/5 V条件下,1μs内负载电流从100μA跳变到500 mA,输出端上冲电压为19.16 mV,响应时间为0.4μs,下冲电压为56.41 mV,响应时间为0.2μs。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(LDO) 瞬态响应 电源抑制比(PSRR) 无片外电容 摆率增强
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车规级LIN总线中55V摆率增强型LDO 被引量:1
19
作者 孙力 王志亮 +2 位作者 崔子豪 章一鸣 陈靖 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第9期776-786,共11页
针对传统车载芯片中高压型低压差线性稳压器(LDO)的负载电流小、电源抑制比低、瞬态响应差等问题,提出了一种增强型高压LDO,通过一种新型高压预调制电路,提高了高压LDO的电源抑制比;通过一种新型摆率增强电路,改善了高压LDO的瞬态响应... 针对传统车载芯片中高压型低压差线性稳压器(LDO)的负载电流小、电源抑制比低、瞬态响应差等问题,提出了一种增强型高压LDO,通过一种新型高压预调制电路,提高了高压LDO的电源抑制比;通过一种新型摆率增强电路,改善了高压LDO的瞬态响应。电路基于BCD-120 V CMOS工艺完成建模,仿真结果显示,电压可调范围为5.5~55 V,输出5 V;负载电流为800 mA;低频电源抑制比为96 dB;1μs内负载电流从1 mA跳变到800 mA时,输出端最大上冲电压为26.6 mV,响应时间为8μs;下冲电压为45.4 mV,响应时间为7μs,满足车规级局域互联网(LIN)总线中高压LDO的性能要求。 展开更多
关键词 高压型低压差线性稳压器(LDO) 高压预调制 负载电流 摆率增强 电源抑制比(PSRR)
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一种低压差线性稳压器的单粒子瞬态失效分析和加固设计
20
作者 沈凡 陈建军 +4 位作者 池雅庆 梁斌 王珣 文溢 郭昊 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第11期3965-3972,共8页
随着集成电路特征尺寸的不断缩减,CMOS集成电路的单粒子效应问题越来越严重。为了提高低压差线性稳压器(LDO)的单粒子瞬态(SET)效应加固效果,该文通过SPICE电路仿真和重离子实验研究了一种28 nm CMOS工艺LDO的SET失效机制,并研究了关键... 随着集成电路特征尺寸的不断缩减,CMOS集成电路的单粒子效应问题越来越严重。为了提高低压差线性稳压器(LDO)的单粒子瞬态(SET)效应加固效果,该文通过SPICE电路仿真和重离子实验研究了一种28 nm CMOS工艺LDO的SET失效机制,并研究了关键器件尺寸大小对SET脉冲的影响,提出一种有效的LDO加固方法。SPICE电路仿真发现这种LDO的敏感节点主要位于误差放大器(EA)内部。功率管(MOSFET)栅极节点的环路滤波电容会明显地影响单粒子瞬态脉冲的幅度,也会轻微地影响单粒子瞬态脉冲的宽度。误差放大器内部关键节点的器件尺寸会影响稳压器输出的单粒子瞬态脉冲的幅度和宽度。通过增加功率管(MOSFET)栅极节点电容和调整误差放大器内部相关节点器件尺寸的方法对LDO进行了SET加固设计。电路仿真和重离子实验结果表明这种加固方法能够有效地降低LDO输出的单粒子瞬态脉冲的幅度和宽度。 展开更多
关键词 单粒子瞬态 低压差线性稳压器 重离子实验 SPICE电路仿真 28 nm CMOS工艺
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