(Bi_(0.5)Li_(0.5))HfO_(3)掺杂铌酸银基反铁电陶瓷的储能特性研究

通过在AgNbO_(3)的A位引入7%(摩尔分数)的Sr2+(Ag_(0.86)Sr_(0.07)NbO_(3)),在降低了电滞ΔE的同时,将M_(2)-M_(3)相变调节至室温附近。在此基础上,结合轧膜成型工艺,设计了(1-x)Ag_(0.86)Sr_(0.07)NbO_(3)-x(Bi_(0.5)Li_(0.5))HfO_(3)(ASN-100xBLH,x=0.00~0.12)体系,在1050~1140℃氧气氛下保温2 h制备出致密性良好的厚膜陶瓷样品。结果表明,随着BLH掺杂浓度的增加,ASN-100xBLH陶瓷的击穿场强与储能特性均有不同程度的提升。在460 kV·cm^(-1)电场下,ASN-11BLH的储能性能达到最优,储能密度和储能效率分别为4.6 J·cm^(-3)和90.0%。此外,ASN-11BLH陶瓷表现出较好的温度稳定性和频率稳定性。在300 kV·cm-1电场下,25~120℃的温度范围内,储能密度和储能效率的变化率分别为9.4%和9.8%;10~500 Hz频率范围内,储能密度和储能效率的变化率分别为1.9%和1.2%。