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大功率IGBT过压与过热的分析计算及其对策
被引量:
7
1
作者
陆广香
沈国荣
+1 位作者
陈泉
陆子见
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2006年第2期119-121,共3页
结合150kVA超导线圈和锂电池-电容组合式SVG-APF的研制工作,首先剖析了IGBT的内部结构,详细讨论了杂散电感引起的过电压以及对容性母线的设计,最后分析了IGBT通态损耗和开关损耗引起的过热问题,给出了计算实例和实验结果。
关键词
电力半导体器件/绝缘栅双极晶体管
半导体特性
超导线圈
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职称材料
题名
大功率IGBT过压与过热的分析计算及其对策
被引量:
7
1
作者
陆广香
沈国荣
陈泉
陆子见
机构
东南大学
国电自动化研究院/南瑞集团公司
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2006年第2期119-121,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(50477020)
江苏省高技术研究项目(BG2004039)~~
文摘
结合150kVA超导线圈和锂电池-电容组合式SVG-APF的研制工作,首先剖析了IGBT的内部结构,详细讨论了杂散电感引起的过电压以及对容性母线的设计,最后分析了IGBT通态损耗和开关损耗引起的过热问题,给出了计算实例和实验结果。
关键词
电力半导体器件/绝缘栅双极晶体管
半导体特性
超导线圈
Keywords
vower semiconduetor/igbt: semiconductor characterrstic
superconduction coil
分类号
TM725 [电气工程—电力系统及自动化]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
大功率IGBT过压与过热的分析计算及其对策
陆广香
沈国荣
陈泉
陆子见
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2006
7
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