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大功率IGBT过压与过热的分析计算及其对策 被引量:7
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作者 陆广香 沈国荣 +1 位作者 陈泉 陆子见 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2006年第2期119-121,共3页
结合150kVA超导线圈和锂电池-电容组合式SVG-APF的研制工作,首先剖析了IGBT的内部结构,详细讨论了杂散电感引起的过电压以及对容性母线的设计,最后分析了IGBT通态损耗和开关损耗引起的过热问题,给出了计算实例和实验结果。
关键词 电力半导体器件/绝缘栅双极晶体管 半导体特性 超导线圈
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