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HfO2基铁电薄膜在循环电场载荷下的极化翻转行为
1
作者
李帅东
周大雨
+2 位作者
徐进
石志鑫
Uwe Schr der
《湘潭大学学报(自然科学版)》
CAS
2019年第5期104-120,共17页
二氧化铪(HfO2)铁电薄膜具有优秀的CMOS工艺兼容性,10 nm以下工艺制程的微缩能力,可采用原子层沉积(ALD)技术实现在3D电容器结构中的保型生长,因此在实现低功耗、高集成密度的非易失性存储器应用方面显示出巨大的潜力.该文首先简要回顾...
二氧化铪(HfO2)铁电薄膜具有优秀的CMOS工艺兼容性,10 nm以下工艺制程的微缩能力,可采用原子层沉积(ALD)技术实现在3D电容器结构中的保型生长,因此在实现低功耗、高集成密度的非易失性存储器应用方面显示出巨大的潜力.该文首先简要回顾了HfO2基铁电薄膜的发现过程和随后的国内外研究现状,然后以Si掺杂HfO2铁电薄膜在循环电场载荷下的实测结果为例,介绍了这一新型铁电材料极化翻转行为中出现的唤醒(wake-up)、疲劳和饱和极化翻转电流峰劈裂等效应,分别总结了对上述现象现有的实验和理论研究进展.
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关键词
铁电薄膜
二氧化铪
极化翻转
wake-up效应
疲劳
split-up
效应
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职称材料
题名
HfO2基铁电薄膜在循环电场载荷下的极化翻转行为
1
作者
李帅东
周大雨
徐进
石志鑫
Uwe Schr der
机构
大连理工大学材料科学与工程学院
大连东软信息学院
NaMLab研究所
出处
《湘潭大学学报(自然科学版)》
CAS
2019年第5期104-120,共17页
基金
国家自然科学基金资助项目(NSFC 51672032,51972037)
文摘
二氧化铪(HfO2)铁电薄膜具有优秀的CMOS工艺兼容性,10 nm以下工艺制程的微缩能力,可采用原子层沉积(ALD)技术实现在3D电容器结构中的保型生长,因此在实现低功耗、高集成密度的非易失性存储器应用方面显示出巨大的潜力.该文首先简要回顾了HfO2基铁电薄膜的发现过程和随后的国内外研究现状,然后以Si掺杂HfO2铁电薄膜在循环电场载荷下的实测结果为例,介绍了这一新型铁电材料极化翻转行为中出现的唤醒(wake-up)、疲劳和饱和极化翻转电流峰劈裂等效应,分别总结了对上述现象现有的实验和理论研究进展.
关键词
铁电薄膜
二氧化铪
极化翻转
wake-up效应
疲劳
split-up
效应
Keywords
ferroelectric thin films
hafnium oxide
polarization switching
wake-up
effect
fatigue
split-up effect
分类号
TM221 [一般工业技术—材料科学与工程]
TQ134.1 [化学工程—无机化工]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
HfO2基铁电薄膜在循环电场载荷下的极化翻转行为
李帅东
周大雨
徐进
石志鑫
Uwe Schr der
《湘潭大学学报(自然科学版)》
CAS
2019
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职称材料
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