有机载体对石墨烯-铜复合浆料性能的影响

为提高铜浆的导电性,选用松油醇-乙基纤维素系列有机载体,粒径为10μm的铜粉为主导电相,添加少量石墨烯为导电增强相,熔点为430℃的玻璃粉为粘结剂,按一定质量分数配合比混合制备石墨烯-铜复合浆料。并利用四探针测试仪、扫描电子显微镜(SEM)等分析测试研究有机载体对石墨烯-铜复合浆料性能的影响。结果表明:乙基纤维素、松油醇、消泡剂、硅烷偶联剂、乙酸乙酯的质量分数配合比为4.75∶82.18∶2.57∶5.37∶5.13条件下制得的有机载体性能较好;有机载体用量为20%(wt,质量分数)条件下,制得的石墨烯-铜复合浆料在丝网印刷过程中能够获得平整的印刷结构,具有较小的电阻率,为17.14mΩ·cm;添加少量石墨烯后复合铜浆电阻率比纯铜浆料降低了50.22%。

烧结温度对铜复合电子浆料烧结膜组织和性能的影响

烧结温度和玻璃粉熔点对铜复合电子浆料烧结膜的性能有重要影响。本文选用熔点为430℃的玻璃粉作为复合电子浆料的粘结相,采用四探针测试仪、扫描电镜(SEM)等方法研究了不同烧结温度下导电铜膜的电阻率及其微观结构。结果表明460℃烧结时,玻璃液粘度适中,能完全润湿、包覆铜粉,且铜粉能均匀悬浮在玻璃液中,制得的导电膜平整、致密,导电通道多,因而导电性能较好,同时玻璃液凝固、收缩使膜层与基体之间获得良好的附着力和抗老化性能。

微胶囊铜粉对铜复合浆料性能的影响

为提高铜浆料的导电性,利用微胶囊技术在铜粉表面包覆液体石蜡,增强铜粉的抗氧化性,并添加少量导电性能优异的碳纳米管作为导电增强相,制备碳纳米管-铜复合浆料.利用四探针测试仪、扫描电镜等测试方法研究了液体石蜡含量对包覆铜粉性能的影响以及微胶囊铜粉作为主导电相,碳纳米管作为导电增强相对浆料导电性能的影响.结果表明:液体石蜡包覆含量为4 wt%的微胶囊铜粉具有良好的导电性和抗氧化性,其电导率为44.32%IACS;微胶囊铜粉作为碳纳米管-铜浆料的主导电相,制备浆料膜层电阻率为22.59 mΩ·cm,相比于未包覆的铜粉为主导电相制备的浆料膜层电阻率降低了12.44%;碳纳米管作为导电增强相所制备的浆料相比于纯铜浆料,电阻率降低31.74%.

水基石墨烯-铜复合导电浆料的制备及性能

采用水基载体替代有机载体,以粒径为5和15μm的混合铜粉作为主导电相,添加少量石墨烯为导电增强相,按一定的质量配比制备水基石墨烯-铜复合导电浆料。用四探针测试仪、SEM等分析测试手段研究水基载体对浆料性能的影响,分析其导电机理并建立导电相连接模型。结果表明,在m(去离子水)∶m〔羧甲基纤维素钠(CMC)〕∶m〔聚乙二醇(PEG)〕∶m(消泡剂)=96.9∶1.5∶1.5∶0.1的条件下制备的水基载体性能较好;水基载体含量为30%(质量分数)时,制备的水基石墨烯-铜复合导电浆料具有优良的印刷性能,且电阻率较小,为1.65 mΩ·cm;添加石墨烯的水基复合浆料较纯铜浆料电阻率降低了97.1%,较有机载体制备的石墨烯-铜复合浆料电阻率降低了75.78%。制得的导电膜更平坦、致密,导电相间的接触更紧密,大量的石墨烯在铜粉间隙之间或横向搭接,或径向填充,与铜粉形成并联或串联的导电通道,从而形成致密的导电网络,改善复合浆料的导电性能。

变电站电容器组连接处发热的处理与改进

高压电容器组在运行过程中存在着很大的电流,若电容器组内部各连接头处的设计、施工安装、检修工艺、运行维护不到位,则其内部各连接处易发生发热现象,长期存在时会破坏电容器组的正常运行。本文针对电容器组内部软铜排与汇流母排连接处发热的原因,提出相应的处理措施,并从设计、安装、运行、检修四个角度对连接处进行改进,有效降低该连接处发热的发生概率,并杜绝长期发热现象的存在,保障电容器组的安全稳定运行。

水基载体对铜复合浆料性能的影响

为了提高铜复合浆料流变性、表面张力和导热性,改善印刷性能和导电性,采用去离子水代替传统浆料中的有机溶剂,添加少量助剂来改善载液的流变性能,通过正交试验设计水基浆料配方,考察助剂对水基铜复合浆料性能的影响。采用JSM-6700F场发射扫描电子显微镜、X射线衍射仪及FT-340四探针电阻率测试仪等对铜复合浆料进行微观形貌观察和性能测试。结果表明;水基载体最佳配比为PEG-400∶黄原胶∶吐温-80∶去离子水=1.5∶0.5∶1.0∶97.0时,膜层致密化,导电网络完整,导电性及微观形貌极佳,铜复合浆料电阻率低至2.13×10^(-5)Ω·m。水基载体提高了铜复合浆料的印刷性能和导电性。

导电银浆添加用纳米晶/非晶复合铜锆银粉的惰性气体冷凝法制备

导电银浆是一种重要的电子材料,可以提高电子器件的连接和传输效率,广泛应用于太阳能和电子工业领域。目前导电银浆的制作流程繁琐,通常使用纳米银等成本较高的填料以保证良好的导电性。本研究采用惰性气体冷凝(inert gas condensation, IGC)法制备了纳米晶/非晶复合铜锆银(Cu-Zr-Ag)粉,通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)等方式对其微观结构和形貌进行了表征,并将其作为导电填料制备了导电银浆,测量了含有不同复合Cu-Zr-Ag粉添加量的导电银浆高温烧结后样品的导电性。结果表明:通过IGC法制备的纳米晶/非晶复合Cu-Zr-Ag粉尺寸分布均匀,平均尺寸约为35 nm;纳米晶/非晶复合Cu-Zr-Ag粉添加量为0.5%~1.5%的导电银浆导电性得到优化,其中,纳米粉的添加量为1%时,方阻最低,达到5.63 mΩ/□。