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Distribution and engulfment behavior of TiB_2 particles or clusters in wedge-shaped copper casting ingot 被引量:1
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作者 孙靖 张晓波 +3 位作者 蔡庆 张亦杰 马乃恒 王浩伟 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第1期54-60,共7页
Wedge-shaped copper casting experiment was conducted to study the engulfment behavior of TiB2 particle and the interaction between particle or cluster and the solid/liquid front in commercial pure aluminum matrix. The... Wedge-shaped copper casting experiment was conducted to study the engulfment behavior of TiB2 particle and the interaction between particle or cluster and the solid/liquid front in commercial pure aluminum matrix. The experimental results show that the particle size distribution obeys two separate systems in the whole wedge-cast sample. Furthermore, it is found that the big clusters are pushed to the center of the wedge shaped sample and the single particle or small clusters consisting of few particles are engulfed into the α-Al in the area of the sample edge. The cluster degree of particles varies in different areas, and its value is 0.2 and 0.6 for the cluster fraction in the edge and in the center of the wedge sample, respectively. The cluster diameter does not obey the normal distribution but approximately obeys lognormal distribution in the present work. More importantly, in the whole sample, the particle size obeys two separate log-normal distributions. 展开更多
关键词 discontinuously reinforced aluminum matrix composites Ti B2 wedge-shaped copper mold casting particle distribution particle engulfment
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RECENT DEVELOPMENTS OF DIRECT BONDED COPPER(DBC)SUBSTRATES FOR POWER MODULES 被引量:1
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作者 Dr.JuergenSchulz-Harder Dr.KarlExel curamik 《电力电子》 2003年第5期42-47,共6页
DBC substrates are the standard circuit boardsfor power modules. Using the DBC technologythick copper foils (0.125mm - 0.Tmm) arecladded to Alumina or Aluminum Nitride,The strong adhesion of the copper to ceramicbond ... DBC substrates are the standard circuit boardsfor power modules. Using the DBC technologythick copper foils (0.125mm - 0.Tmm) arecladded to Alumina or Aluminum Nitride,The strong adhesion of the copper to ceramicbond reduces the thermal expansion coefficientin horizontal direction only slightly above theTEC of the ceramic itself. This allows directsilicon attach of large dies without using TECcontrolling layers.As DBC technology is using copper foils,integralleads overhanging the ceramic can be realized... 展开更多
关键词 DBC)substrateS FOR POWER MODULES of or on with as RECENT DEVELOPMENTS OF DIRECT BONDED copper AIN
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Deposition of Diamond Films on Copper Substrate
3
作者 马志斌 邬钦崇 +3 位作者 舒兴胜 汪建华 王传新 黎向锋 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2000年第2期207-212,共6页
The direct deposition of diamond films on copper substrate has been suffered fromadhesion problems due to the mismatch of the thermal expansion coefficients of diamond andcopper. In this paper nuclei with valuable den... The direct deposition of diamond films on copper substrate has been suffered fromadhesion problems due to the mismatch of the thermal expansion coefficients of diamond andcopper. In this paper nuclei with valuable density were directly introduced thirough a submicrondiamond powder layer. The diamond grits partially were buried in the copper substrate leadingto better adhesion. Another method with nickel intermediate layer for enhancing the adhesionwas studied here in detail. It was suggested that Cu-Ni eutectic between the copper substrate andNi interlayer might contribute to the adhesion improvement. The quality of the diamond filmsdeposited wlth rnckel interlayer was investigated by scanning electron microscopy and Ramanspectroscopy. 展开更多
关键词 NI OO Deposition of Diamond Films on copper substrate
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LED黄铜基材绿色制造的生产实践
4
作者 方德祥 闫成琨 +3 位作者 谭智泉 刘军德 刘云飞 王悦晗 《山西冶金》 CAS 2024年第1期120-123,150,共5页
通过对清远楚江高精铜带有限公司的LED灯导电引线支架用黄铜基础带材原料的绿色利用和基材低耗能、低排放的绿色制造的生产实践进行介绍,希望能够助力中国“碳达峰、碳中和”目标的早日实现。重点介绍了在对LED黄铜基材原料的绿色利用... 通过对清远楚江高精铜带有限公司的LED灯导电引线支架用黄铜基础带材原料的绿色利用和基材低耗能、低排放的绿色制造的生产实践进行介绍,希望能够助力中国“碳达峰、碳中和”目标的早日实现。重点介绍了在对LED黄铜基材原料的绿色利用过程中,对Fe和Pb含量的工艺优化和选择。在基材绿色制造的过程中,应抓核心工序以稳定质量,提高成材率;抓全流程生产以提升效率,提高产量,减少设备无效能耗;抓污染源头以控制治理,减少污染物排放。 展开更多
关键词 LED黄铜基材 再生铜 绿色制造 大卷径铜卷
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压延率对无氧铜板高温退火的组织及性能影响
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作者 晏小猛 王善林 +2 位作者 陈卫民 吴懿平 李欢欢 《电子工艺技术》 2024年第2期1-4,18,共5页
高导热AMB陶瓷基板的覆铜厚板性能直接影响基板的电性能和力学性能。通过对无氧铜原料板的加工、微观组织调整以及陶瓷与铜板的活性焊料复合,达到AMB陶瓷覆铜基板最优的组织状态和电学与力学性能。首先对无氧铜板原料进行450℃和650℃... 高导热AMB陶瓷基板的覆铜厚板性能直接影响基板的电性能和力学性能。通过对无氧铜原料板的加工、微观组织调整以及陶瓷与铜板的活性焊料复合,达到AMB陶瓷覆铜基板最优的组织状态和电学与力学性能。首先对无氧铜板原料进行450℃和650℃再结晶退火0.5 h处理,得到两种原始的铜板组织。其次,对原始铜板进行压延率为15%、30%、45%、60%、75%的压延和800℃/1 h的退火处理,研究了退火铜板的微观组织及力学性能和电学性能。结果表明:当压延率在15%~75%时,随着压延率增加,晶粒逐渐被拉长变成扁平状,再变成纤维状;硬度随着压延率增加逐渐增大,铜板的延伸率逐渐减小,抗拉强度在压延率为15%~60%时逐渐增大,压延率达到75%时出现了小幅度降低。当在800℃退火1 h后,铜板表面晶粒尺寸随着压延率的增加逐渐减小,晶粒分布更加均匀,其大小稳定在400~800μm之间。铜板在压延率为15%~60%时的抗拉强度基本保持不变;当压延率到达75%时,抗拉强度出现小幅度降低。铜板硬度随着压延率增加基本保持不变。当压延率从15%变为75%时,铜板的电阻率有小幅度上升。 展开更多
关键词 无氧铜 AMB陶瓷覆铜基板 压延率 晶粒尺寸 电阻率
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基于铜尾矿生态化利用的矿山修复技术试验研究
6
作者 毛喆 杨涛涛 +1 位作者 张金桃 廖斌 《地球环境学报》 CSCD 2024年第5期790-798,共9页
铜尾矿的大规模堆存和矿山修复中优质客土的不足已成为矿山企业面临的两大难题。为了同时解决以上问题,以某铜尾矿为研究对象,基于“以废治废”的理念,通过对尾矿添加石灰、土壤改良基质、微生物菌剂、磷肥、复合肥进行掺混改良,改善其... 铜尾矿的大规模堆存和矿山修复中优质客土的不足已成为矿山企业面临的两大难题。为了同时解决以上问题,以某铜尾矿为研究对象,基于“以废治废”的理念,通过对尾矿添加石灰、土壤改良基质、微生物菌剂、磷肥、复合肥进行掺混改良,改善其返酸、重金属毒性和寡营养等不利于植物生长的条件,并将改良尾矿替代优质客土用于尾矿库库坝的生态修复,实现生态化利用。结果表明:野外试验实施三个月后,改良后的尾矿理化性质得到较好的改善;试验区域植被恢复效果显著,整体覆盖度高达96%,生物多样性高,已记录的植物品种达到16种;铜尾矿利用的掺混比例达到93%。该试验成果有助于大量堆存铜尾矿的综合利用,并可为粤港澳大湾区同类矿山的生态环境保护工作提供一定的思路。 展开更多
关键词 铜尾矿 基质改良 生态修复 生态化利用
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SiC功率模块封装材料的研究进展
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作者 程书博 张金利 +2 位作者 张义政 吴亚光 王维 《科技创新与应用》 2024年第3期106-109,共4页
随着SiC功率模块的高频高速、高压大电流、高温、高散热和高可靠发展趋势,基于封装结构和封装材料的SiC功率模块封装技术也在不断地更新换代。与封装结构相比,SiC功率模块封装材料的相关研究报道较少。该文从封装材料角度出发,综述近年... 随着SiC功率模块的高频高速、高压大电流、高温、高散热和高可靠发展趋势,基于封装结构和封装材料的SiC功率模块封装技术也在不断地更新换代。与封装结构相比,SiC功率模块封装材料的相关研究报道较少。该文从封装材料角度出发,综述近年来陶瓷覆铜基板、散热底板、黏结材料、互连材料及灌封材料的研究进展,同时引出相关封装材料的研究重点,以满足SiC功率模块的应用需求。 展开更多
关键词 SiC功率模块 封装材料 陶瓷覆铜基板 散热底板 黏结材料 互连材料 灌封材料
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基于铜模电路工艺的Mini LED显示用基板玻璃
8
作者 李培浩 田英良 +3 位作者 赵志永 刘武站 王长军 杨会良 《中国建材科技》 CAS 2024年第S01期12-16,共5页
本文综述了Mini LED显示产业发展的重要性,Mini-LED显示结构以及铜膜电路工艺对玻璃基板的理化性能要求,总结了Mini LED所用基板玻璃的发展趋势及实现路径。
关键词 Mini LED 铜膜电路 直接显示 基板玻璃 理化性能
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基于氮化铝HTCC的表面Cu互连制备技术
9
作者 杨欢 张鹤 +1 位作者 杨振涛 刘林杰 《微纳电子技术》 CAS 2024年第7期156-161,共6页
针对高集成密度、高散热封装外壳发展需求,基于氮化铝(AlN)高温共烧陶瓷(HTCC)多层基板,结合直接镀铜(DPC)工艺,提出了一种薄厚膜相结合的高散热封装基板及其制备方法。重点对氮化铝HTCC与表面铜(Cu)层间的结合力进行研究和优化,通过扫... 针对高集成密度、高散热封装外壳发展需求,基于氮化铝(AlN)高温共烧陶瓷(HTCC)多层基板,结合直接镀铜(DPC)工艺,提出了一种薄厚膜相结合的高散热封装基板及其制备方法。重点对氮化铝HTCC与表面铜(Cu)层间的结合力进行研究和优化,通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和剥离强度测试仪分析和研究了界面的微观结构和力学性能。研究结果表明:与氮化铝/钛钨(TiW)/Cu相比,氮化铝/钛(Ti)/Cu界面的缺陷更少,金属Ti的黏附性能更优,拉脱断裂面在陶瓷基板上。当采用厚度为400 nm的Ti作为黏附层时,表面金属化剥离强度高达592 MPa,实现了高界面结合力,保证了产品封装性能的稳定性。 展开更多
关键词 氮化铝 高温共烧陶瓷(HTCC)多层基板 直接镀铜(DPC) 黏附层 钛(Ti) 剥离强度
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OFHC copper substrates for niobium sputtering:comparison of chemical etching recipes 被引量:1
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作者 Fuyu Yang Pei Zhang +1 位作者 Jin Dai Zhongquan Li 《Radiation Detection Technology and Methods》 CSCD 2020年第2期139-146,共8页
Purpose Niobium sputtered on copper has been a popular alternative approach for superconducting radio frequency(SRF)community in the last few decades.Comparing to bulk materials of a few millimeters,high-purity niobiu... Purpose Niobium sputtered on copper has been a popular alternative approach for superconducting radio frequency(SRF)community in the last few decades.Comparing to bulk materials of a few millimeters,high-purity niobium of merely a few microns is sufficient to realize superconductivity on the coated surface.Being niobium thin film,it has been widely acknowledged that surface quality of the substrate plays a vital role in obtaining a superior niobium coating with excellent SRF performance.Therefore,proper chemical treatment of the substrate before coating is crucial and the ultimate goal is to create a smooth and defect-free surface.Prior to the design of a cavity etching system,the mechanism of SUBU as well as two industry-used solutions is studied in detail on samples.Methods Copper samples were first pre-treated by mechanical grinding to remove fabrication damages,obvious defects and visible impurities.Two chemical solutions widely used in industries were subsequently chosen to etch the samples.Finally,the established SUBU solution was used independently on these pre-treated samples for comparison.Surface morphology and etching rate were measured accordingly.Results and conclusions Mirror-like copper surface was created by using the SUBU solution thus qualified for subsequent niobium sputtering,while the other two solutions used in industries were less effective with nonideal surface morphology.The chemical reactions,the experimental requisites and the involved processes are extensively elucidated for all three solutions.Limitations for SUBU were examined,and the optimum ratio of the chemical bath volume to sample surface area was also determined.These investigations will serve as an important guidance for the development of a chemical etching system for elliptical copper cavities. 展开更多
关键词 Chemical etching copper substrate Dilute sulfuric acid SUBU Surface roughness
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铜基板面积、焊锡和导电铜箔厚度对高功率密度LED极限光电性能的影响
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作者 黄林凤 熊传兵 +3 位作者 汤英文 袁慧 马依豪 杨欣雨 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期1196-1210,共15页
高功率密度LED器件能实现传统光源和普通LED器件无法实现的诸多功能,将半导体照明技术链推向了一个崭新的高度。在实际应用中,单颗LED器件需要在数百瓦及近100 A电流下工作,铜基板面积、焊锡和导电铜箔厚度均会对该类型LED器件的极限光... 高功率密度LED器件能实现传统光源和普通LED器件无法实现的诸多功能,将半导体照明技术链推向了一个崭新的高度。在实际应用中,单颗LED器件需要在数百瓦及近100 A电流下工作,铜基板面积、焊锡和导电铜箔厚度均会对该类型LED器件的极限光电性能这一关键指标产生显著影响。本文将单颗极限电功率为300 W和200 W的两种规格的LED蓝光和白光器件,分5μm、100μm和200μm三个焊锡厚度,分别贴片焊接在直径为20 mm、25 mm和32 mm三种不同面积的热电分离铜凸台基板上,测试了当散热器温度分别为25℃、50℃、75℃和100℃时蓝光LED器件光功率、白光LED光通量及其灯板导线焊点间的电压随电流的变化。同时,还研究了铜基板的导电铜箔厚度分别为70μm和140μm时,极限电功率为150 W的蓝光LED器件的I-L特性和I-V特性,并对其极限发光进行了研究。研究结果表明,焊锡厚度、铜基板面积和导电铜箔厚度均会对LED的极限发光强度和工作电压产生明显影响;减小焊锡厚度和增加铜基板面积能显著提高高功率LED器件的极限光强,P110和T90两种规格蓝光LED器件极限光功率的提升幅度高达16%和19%,白光器件极限光通量的提升幅度均高达15%左右;当铜箔厚度由70μm增加到140μm、散热器温度为25℃时,P70蓝光LED的极限光功率提升幅度为9.2%,50℃和75℃时极限光功率提升幅度为12.9%,100℃时极限光功率提升幅度为16.4%。 展开更多
关键词 高功率密度LED 热电分离铜凸台基板 焊锡 导电铜箔
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腔体材料对氧化铜箔衬底上制备石墨烯的影响
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作者 沈曦 史永贵 +4 位作者 万玉慧 付影 马嘉恒 杨浩东 王艺佳 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第9期1648-1654,共7页
传统的化学气相沉积法制备的石墨烯普遍存在晶畴面积小、晶界缺陷多的问题,严重制约了大面积石墨烯的性能及应用。本文采用低压化学气相沉积技术在受限生长腔中的氧化铜箔衬底上制备石墨烯,对比研究了石英和刚玉两种材质的受限生长腔中... 传统的化学气相沉积法制备的石墨烯普遍存在晶畴面积小、晶界缺陷多的问题,严重制约了大面积石墨烯的性能及应用。本文采用低压化学气相沉积技术在受限生长腔中的氧化铜箔衬底上制备石墨烯,对比研究了石英和刚玉两种材质的受限生长腔中,不同甲烷流量和生长时间条件下氧化铜箔衬底上石墨烯的形核生长状况。结果表明,相同生长条件下,相较于石英受限生长腔,虽然刚玉受限生长腔中石墨烯的晶畴尺寸较小,但是氧化铜箔衬底表面沉积的杂质颗粒较少,因而石墨烯的形核密度较低,晶体质量较高,更有利于大尺寸、高质量石墨烯的制备。 展开更多
关键词 石墨烯 低压化学气相沉积 受限生长腔 氧化铜箔 衬底 形核
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Large-scale Growth of Copper Oxide Nanowires on Various Copper Substrates
13
《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第12期1156-1160,共5页
Large-scale growth of copper oxide nanowires was realized on surfaces of various copper-containing substrates, including copper grids, high-purity copper foils, and small copper blocks, by the stress-induced method. A... Large-scale growth of copper oxide nanowires was realized on surfaces of various copper-containing substrates, including copper grids, high-purity copper foils, and small copper blocks, by the stress-induced method. A relatively low heating temperature of 340 ~C was demonstrated to give rise to dense nanowire growth with fine crystal structures and high aspect ratio of approximately 300. Gradual cooling process, which is positive for the growth of nanowires on multi-layer substrates, is shown to have no effect on the nanowire growth on other pure copper substrates. Diameter of as-obtained nanowires is mainly dependent on the heating temperature. Moreover, the nanowires growing on copper grids are much longer than those growing on two other substrates. 展开更多
关键词 copper oxide nanowires Stress-induced method Gradual cooling process copper-containing substrate
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Surface preparation by mechanical polishing of the 1.3-GHzmono-cell copper cavity substrate prior chemical etching for niobium coating
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作者 Fuyu Yang Pei Zhang +1 位作者 Jin Dai Zhongquan Li 《Radiation Detection Technology and Methods》 CSCD 2021年第1期33-41,共9页
Purpose Surface quality of the substrate is widely acknowledged to be essential for the niobium thin film deposition. Mucheffort has thus been spent to improve the surface roughness by using various chemical etching t... Purpose Surface quality of the substrate is widely acknowledged to be essential for the niobium thin film deposition. Mucheffort has thus been spent to improve the surface roughness by using various chemical etching techniques. However, surfacepreparation before the chemical etching also plays a part in obtaining a satisfactory substrate, but has rarely been studiedbefore. This paper aims to define a specification for the pre-polished copper substrate prior chemical etching and searches forsuitable alternative non-chemical grinding methods for the copper cavity.Methods Copper samples were mechanically pre-polished at first by using flap sanding wheels of different grits and thenchemically etched by using the well-established SUBU solutions. Surface roughness, as a figure of merit, was measuredand compared before and after SUBU. Optimum practice for pre-polishing may therefore be determined. The mechanicalgrinding was subsequently applied on the 1.3-GHz mono-cell copper cavity. Meantime, the previously reported centrifugalbarrel polishing method was also applied with new abrasive materials and modified schemes. A comprehensive study ofetching rate, surface roughness and morphologies was conducted.Results and conclusions The specification for surface roughness prior SUBU was determined. Due to a complex geometryand curved surfaces possessed by the 1.3-GHz copper cavity, the traditional mechanical grinding was proved to be not ideal.Satisfactory surface quality was obtained by using the alternative centrifugal barrel polishing on the cavity. The proposed newscheme and new abrasive materials were demonstrated to be effective, and a mirror-like surface was achieved on the coppercavity. The traditional mechanical grinding can therefore be replaced. This constitutes a dedicated study on pre-polishing ofthe 1.3-GHz copper cavity substrate prior chemical etching for niobium sputtering. 展开更多
关键词 copper substrate Surface roughness Mechanical grinding Centrifugal barrel polishing ABRASIVES SUBU
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化学镀铜过程混合电位本质的研究 被引量:20
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作者 谷新 胡光辉 +1 位作者 王周成 林昌健 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第2期113-117,共5页
现场测量了铜基和陶瓷基化学镀铜过程混合电位-时间曲线(Emix-t),成功地检测到了化学镀诱发过程.考察了添加剂和络合剂的浓度以及pH值对Emix-t曲线的影响,结合阴、阳极极化曲线及双电层理论对各种影响因素进行了讨论.新生铜活化的铜基... 现场测量了铜基和陶瓷基化学镀铜过程混合电位-时间曲线(Emix-t),成功地检测到了化学镀诱发过程.考察了添加剂和络合剂的浓度以及pH值对Emix-t曲线的影响,结合阴、阳极极化曲线及双电层理论对各种影响因素进行了讨论.新生铜活化的铜基化学镀铜的诱发过程是一个缓慢激活过程,所对应的Emix-t曲线是一个稍微倾斜的台阶,这不同于钯活化的基体的诱发过程.通过对不同活化工艺的Emix-t曲线的比较,发现较高的活化温度能明显减少活化时间,而且还可加速诱发过程,从而提高化学沉积铜的速度. 展开更多
关键词 化学镀铜 铜基体 陶瓷基体 新生铜 混合电位 诱发时间 活化工艺 电化学过程 钯催化剂
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难镀基材上乙醛酸作为还原剂的化学镀铜 被引量:13
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作者 唐电 魏喆良 +4 位作者 邵艳群 孙荆华 LEE Ye-kun 游少鑫 李敬业 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期1252-1256,共5页
采用乙醛酸代替有害的化学药品 (如甲醛 )作为还原剂的化学镀技术 ,在工业纯铝片、工业纯钛片、以TiN作为扩散防护层的硅片和以TiSiN作为扩散防护层的硅片等难镀材料实现了化学镀铜。被覆铜镀层的表面形貌和晶粒结构的分析结果表明 :不... 采用乙醛酸代替有害的化学药品 (如甲醛 )作为还原剂的化学镀技术 ,在工业纯铝片、工业纯钛片、以TiN作为扩散防护层的硅片和以TiSiN作为扩散防护层的硅片等难镀材料实现了化学镀铜。被覆铜镀层的表面形貌和晶粒结构的分析结果表明 :不同基材对铜镀层的组织结构影响很大 ,尤其在以TiN作为扩散防护层的硅片和以TiSiN作为扩散防护层的硅片上 ,获得了由平均尺寸为 5 0nm的颗粒所构成的较精细镀层 ,为半导体器件采用铜金属化工艺提供了新的方法。 展开更多
关键词 化学镀铜 乙醛酸 还原剂 表面形貌 晶粒结构 基材
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铜基上化学镀锡 被引量:18
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作者 郭忠诚 徐瑞东 +1 位作者 朱晓云 翟大成 《电镀与环保》 CAS CSCD 北大核心 2000年第5期22-23,共2页
研究了化学镀锡工艺 ,结果表明 ,随着镀液温度的升高 ,化学镀锡的沉积速率提高 ,当温度达到 80°C时 ,沉积速率最高 ;若继续升高镀液温度 ,沉积速率却降低。此外 ,化学镀锡的沉积速率随化学镀时间的延长而增加。镀液稳定可靠 。
关键词 铜基 化学镀 工艺 电镀 镀锡
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5种豆科植物对铜尾矿的适应性研究 被引量:14
18
作者 田胜尼 刘登义 +2 位作者 彭少麟 孙庆业 夏汉平 《环境科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期138-143,共6页
针对铜陵市铜尾矿废弃地的复垦 ,选用了 5种豆科植物在 5种不同的改良方式上进行盆栽试验研究 .5种供试物种为 :大豆 (Glycinemax)、赤豆 (Phaseolusangularis)、赤小豆 (P .calcaratus)、绿豆 (P .radiatus)、山绿豆 (P .mininus) .研... 针对铜陵市铜尾矿废弃地的复垦 ,选用了 5种豆科植物在 5种不同的改良方式上进行盆栽试验研究 .5种供试物种为 :大豆 (Glycinemax)、赤豆 (Phaseolusangularis)、赤小豆 (P .calcaratus)、绿豆 (P .radiatus)、山绿豆 (P .mininus) .研究结果发现 ,抑制植物生长的主要因素是尾矿基质极端贫瘠 ,重金属铜含量过高的缘故 ;5种豆科植物在 5种改良方式上均可以萌发 ,但在基质上尾矿所占的比例越高 ,种子的萌发越晚 ;间苗后 ,供试物种大豆、赤豆和赤小豆植株全部成活 ,另外 2种因不适应尾矿 ,有死亡现象 .在同一改良方式中 ,第 5 0天时 ,大豆及赤小豆叶片中叶绿素的含量比其它 3种高 ;第 70天时 ,大豆及赤小豆的株高及生物量也高出另外 3种供试物种 .综合生长期内各方面生物学指标 ,5种豆科植物中 ,大豆和赤小豆比其它 3种植物具有较强的耐性 ,TA75的改良方式比较合理 ,可用于尾矿的复垦 . 展开更多
关键词 铜尾矿 基质改良 豆科乡土植物 复垦
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酒石酸钾钠和EDTA·2Na盐化学镀铜体系 被引量:16
19
作者 郑雅杰 邹伟红 +2 位作者 易丹青 龚竹青 李新海 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期971-976,共6页
研究了酒石酸钾钠(TART)和EDTA·2Na盐双络合化学镀铜体系中各因素对沉铜速度稳定性及镀层附着力的影响。实验结果表明化学镀铜速度随着络合剂酒石酸钾钠和EDTA·2Na盐浓度以及施镀时间的增加而减小,随着硫酸铜浓度、甲醛浓度... 研究了酒石酸钾钠(TART)和EDTA·2Na盐双络合化学镀铜体系中各因素对沉铜速度稳定性及镀层附着力的影响。实验结果表明化学镀铜速度随着络合剂酒石酸钾钠和EDTA·2Na盐浓度以及施镀时间的增加而减小,随着硫酸铜浓度、甲醛浓度、溶液pH值和反应温度的增加而增加;添加剂α,α′-联吡啶、亚铁氰化钾和PEG-1000对镀铜速度的影响较小,但对铜镀层外观质量影响较大。其化学镀铜最佳条件为CuSO4·5H2O质量浓度为16g/L,EDTA·2Na盐为21g/L,酒石酸钾钠为16g/L,甲醛为5.0g/L,亚铁氰化钾为70mg/L,α,α′-联吡啶为8mg/L,PEG-1000为1g/L,pH值为12.75,镀液温度为50℃。在最佳条件下,化学镀铜30min后所得镀层附着力良好、外观红亮且镀速达到3.4μm/h。由扫描电镜照片可见镀层表面平整、光滑、晶粒细致。 展开更多
关键词 化学镀铜 沉铜速度 稳定性 ABS基材
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铜基上化学镀锡新工艺初探 被引量:9
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作者 徐瑞东 郭忠诚 蕲跃华 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 2001年第4期26-29,34,共5页
研究了一种新型化学镀锡工艺。介绍了镀液中各成分的作用 ,探讨了二氯化锡、次磷酸钠、沉积时间、温度、pH值等因素对沉积速度的影响 ,优选出最佳工艺 ,并利用X射线衍射技术分析了镀层的组织结构。结果表明 :该工艺镀液稳定 ,所得纯锡... 研究了一种新型化学镀锡工艺。介绍了镀液中各成分的作用 ,探讨了二氯化锡、次磷酸钠、沉积时间、温度、pH值等因素对沉积速度的影响 ,优选出最佳工艺 ,并利用X射线衍射技术分析了镀层的组织结构。结果表明 :该工艺镀液稳定 ,所得纯锡镀层呈半光亮银白色 ,质地柔软、延展性好、与基体结合力强。 展开更多
关键词 化学镀锡 铜基 工艺 镀液 成分 二氯化锡 次磷酸钠
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