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Silicon Deep Etching Techniques for MEMS Devices
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作者 WUYing OUYi-hong +1 位作者 JIANGYong-qing LIBin 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2003年第4期226-229,共4页
Silicon deep etching technique is the key fabrication step in the development of MEMS. The mask selectivity and the lateral etching control are the two primary factors that decide the result of deep etching process. T... Silicon deep etching technique is the key fabrication step in the development of MEMS. The mask selectivity and the lateral etching control are the two primary factors that decide the result of deep etching process. These two factors are studied in this paper. The experimental results show that the higher selectivity can be gotten when F - gas is used as etching gas and Al is introduced as mask layer. The lateral etching problems can be solved by adjusting the etching condition, such as increasing the RF power, changing the gas composition and flow volume of etching machine. 展开更多
关键词 deep etching techniques mems plasma etching
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Fabrication of Diamond Microstructures by Using Dry and Wet Etching Methods
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作者 张继成 周民杰 +1 位作者 吴卫东 唐永建 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第6期552-554,共3页
Diamond films have great potential for micro-electro-mechanical system(MEMS) application.For device realization,precise patterning of diamond films at micrometer scale is indispensable.In this paper,simple and facil... Diamond films have great potential for micro-electro-mechanical system(MEMS) application.For device realization,precise patterning of diamond films at micrometer scale is indispensable.In this paper,simple and facile methods will be demonstrated for smart patterning of diamond films,in which two etching techniques,i.e.,plasma dry etching and chemical wet etching(including isotropic-etching and anisotropic-etching) have been developed for obtaining diamond microstructures with different morphology demands.Free-standing diamond micro-gears and micro-combs were achieved as examples by using the experimental procedures.It is confirmed that as-designed diamond structures with a straight side wall and a distinct boundary can be fabricated effectively and efficiently by using such methods. 展开更多
关键词 mems diamond film FREE-STANDING reactive ion etching anisotropic and isotropic wet etching
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Etching of quartz crystals in liquid phase environment:A review
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作者 Yide Dong Yike Zhou +5 位作者 Haizhou Huang Bosong Zhang Xihan Li Kaiwen Chen Litao Sun Guangbin Dou 《Nanotechnology and Precision Engineering》 EI CAS CSCD 2024年第2期87-109,共23页
Quartz crystals are the most widely used material in resonant sensors,owing to their excellent piezoelectric and mechanical properties.With the development of portable and wearable devices,higher processing efficiency... Quartz crystals are the most widely used material in resonant sensors,owing to their excellent piezoelectric and mechanical properties.With the development of portable and wearable devices,higher processing efficiency and geometrical precision are required.Wet etching has been proven to be the most efficient etching method for large-scale production of quartz devices,and many wet etching approaches have been developed over the years.However,until now,there has been no systematic review of quartz crystal etching in liquid phase environments.Therefore,this article provides a comprehensive review of the development of wet etching processes and the achievements of the latest research in thisfield,covering conventional wet etching,additive etching,laser-induced backside wet etching,electrochemical etching,and electrochemical discharge machining.For each technique,a brief overview of its characteristics is provided,associated problems are described,and possible solutions are discussed.This review should provide an essential reference and guidance for the future development of processing strategies for the manufacture of quartz crystal devices. 展开更多
关键词 Quartz crystal Materials processing wet etching MICROFABRICATION Quartz mems
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基于硅基MEMS工艺的快速控制反应镜制作
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作者 王平 代锋 杨士成 《空间电子技术》 2023年第4期91-97,共7页
快速控制反应镜(以下简称快反镜)是光电精密跟踪系统中必不可少的组成部分,在消费电子、医疗、天文望远镜、激光通信等领域中有着广泛应用。基于硅基微电子机械系统(micro-electromechanical system,MEMS,)工艺制作微型快反镜,对于实现... 快速控制反应镜(以下简称快反镜)是光电精密跟踪系统中必不可少的组成部分,在消费电子、医疗、天文望远镜、激光通信等领域中有着广泛应用。基于硅基微电子机械系统(micro-electromechanical system,MEMS,)工艺制作微型快反镜,对于实现快反镜和跟踪系统的小型化、轻量化有重要意义。陈述了一款硅基快反镜的结构设计、工艺选择以及制作攻关过程。通过加工便利性、加工精度、加工可靠性与制作成本的综合分析比较,确定了MEMS深硅刻蚀工艺制作小型化快反镜可动结构技术思路。快反镜的制作中,通过“化面为线”的版图优化减少刻蚀面积解决了深硅刻蚀不匀问题,通过清洗方法的对比和择优解决了反射镜面表面清洁度问题,通过改变金属化方法解决了镜面的面形精度控制问题。测试结果表明,此款基于硅基MEMS工艺的小型化快反镜满足了设计和应用需求。 展开更多
关键词 硅基mems 工艺 快反镜 深硅刻蚀
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用于MEMS的硅湿法深槽刻蚀技术研究 被引量:12
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作者 张正元 徐世六 +2 位作者 刘玉奎 杨国渝 税国华 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期519-521,共3页
 针对用于MEMS的硅湿法深槽刻蚀技术,对KOH腐蚀液的配方、掩蔽技术等关键技术进行了研究,获得了优化的KOH腐蚀条件;利用该技术,成功地刻蚀出深度高达315μm、保护区域完好的深槽。为硅基MEMS体加工获得微机械结构提供了一个好方法。
关键词 湿法腐蚀 深槽刻蚀 掩蔽 mems 微机械结构
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MEMS工艺中TMAH湿法刻蚀的研究 被引量:8
6
作者 罗元 李向东 +1 位作者 付红桥 黄尚廉 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期127-130,共4页
 TMAH具有刻硅速率高、晶向选择性好、低毒性和对CMOS工艺的兼容性好等优点,而成为MEMS工艺中常用的刻蚀剂。但TMAH在刻蚀过程中会形成表面小丘,影响表面光滑性。文章重点研究了MEMS工艺中的TMAH湿法刻蚀获得光滑刻蚀表面的工艺。实验...  TMAH具有刻硅速率高、晶向选择性好、低毒性和对CMOS工艺的兼容性好等优点,而成为MEMS工艺中常用的刻蚀剂。但TMAH在刻蚀过程中会形成表面小丘,影响表面光滑性。文章重点研究了MEMS工艺中的TMAH湿法刻蚀获得光滑刻蚀表面的工艺。实验结果表明,要获得理想的刻蚀效果,刻蚀液配方和刻蚀条件的选择是非常重要的因素,实验中也得到了一些与其它报道不同的数据。 展开更多
关键词 湿法刻蚀 TMAH mems 微机械技术 微加工工艺 半导体
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MEMS中硅的深度湿法刻蚀研究 被引量:8
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作者 张凯 顾豪爽 +3 位作者 胡光 叶芸 吴雯 刘婵 《湖北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2007年第3期255-257,共3页
探讨用于MEMS硅湿法刻蚀的刻蚀液浓度、温度、添加剂种类和浓度对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,优化得到最佳刻蚀条件,刻蚀速率较常用刻蚀条件时提高约3倍;用扫描电镜观察刻蚀后的表面形貌,结果显示优化刻蚀条件下硅表面粗糙度得到极大... 探讨用于MEMS硅湿法刻蚀的刻蚀液浓度、温度、添加剂种类和浓度对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,优化得到最佳刻蚀条件,刻蚀速率较常用刻蚀条件时提高约3倍;用扫描电镜观察刻蚀后的表面形貌,结果显示优化刻蚀条件下硅表面粗糙度得到极大的改善.以优化的刻蚀条件进行深度刻蚀,蚀刻出深达236μm的窗口,图形完整,各向异性良好. 展开更多
关键词 微机电系统 湿法刻蚀 深度刻蚀 刻蚀速率 表面粗糙度
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用于E型薄膜制备的双掩膜工艺研究
8
作者 郝一鸣 雷程 +4 位作者 王涛龙 余建刚 冀鹏飞 闫施锦 梁庭 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第4期505-510,共6页
在高温压力传感器中,与C型膜片相比,E型膜片的稳定性强,非线性误差小,相同挠度下灵敏度高。在微机电系统(MEMS)工艺流程中薄膜制备较重要,其形貌结构对传感器的性能影响较大。但E型薄膜的制备过程较难,为制备出形貌良好的E型(硅岛)薄膜... 在高温压力传感器中,与C型膜片相比,E型膜片的稳定性强,非线性误差小,相同挠度下灵敏度高。在微机电系统(MEMS)工艺流程中薄膜制备较重要,其形貌结构对传感器的性能影响较大。但E型薄膜的制备过程较难,为制备出形貌良好的E型(硅岛)薄膜,采用深反应离子刻蚀机,以SF_(6)为主要刻蚀气体,通过改变掩模材料对制备工艺进行优化改进,使用共聚焦显微镜和扫描电子显微镜(SEM)对刻蚀后的形貌进行表征。实验表明,通过使用ROL-7133负胶和SiO_(2)双掩膜,前烘90 s,中烘120 s,显影50 s,得到了硅岛高度为50μm、背腔深度为450μm的E型薄膜,垂直度较高且整体形貌较好,符合传感器制作要求。 展开更多
关键词 双掩膜 E型薄膜 深反应离子刻蚀 刻蚀比 刻蚀形貌
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基于MEMS技术的微型模具制作工艺研究 被引量:8
9
作者 肖日松 杜立群 +2 位作者 刘冲 刘海军 秦江 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期368-371,共4页
针对微型模具的结构和精度要求,在研究硅模具和背板生长两种工艺路线的基础上,提出了无背板生长工艺路线,并介绍了工艺路线中所涉及的三种MEMS加工方法,即UV-LIGA技术中的光刻、微电铸以及硅MEMS加工技术中的湿法刻蚀.实验结果表明,硅... 针对微型模具的结构和精度要求,在研究硅模具和背板生长两种工艺路线的基础上,提出了无背板生长工艺路线,并介绍了工艺路线中所涉及的三种MEMS加工方法,即UV-LIGA技术中的光刻、微电铸以及硅MEMS加工技术中的湿法刻蚀.实验结果表明,硅模具和背板生长模具呈54.74°的斜面,且硅模具容易损坏,背板生长模具受应力影响易产生变形;而无背板生长工艺能够获得侧壁垂直、表面细致、使用寿命长的模具,满足结构和精度要求。 展开更多
关键词 微型模具 mems UV-LIGA 光刻 微电铸 湿法刻蚀
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用于MEMS器件制造的深反应离子刻蚀设备 被引量:3
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作者 陈特超 禹庆荣 +3 位作者 龚杰洪 张冬艳 伍波 李键志 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1415-1418,共4页
深反应离子刻蚀(DRIE)设备,主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀[1].介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备,采用ICP技术,刻蚀深宽比≥25∶1.着重阐述了该设备的结构组成、设计方法及控制方法.
关键词 微电子机械系统 深反应离子 刻蚀 控制 设备
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MEMS的微细加工技术 被引量:6
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作者 戴亚春 周建忠 +1 位作者 王匀 马欣涛 《机床与液压》 北大核心 2006年第5期15-19,共5页
介绍了目前比较前沿的几种微型腔的机械加工方法:光刻掩模、高能束刻蚀(激光刻蚀)和LIGA技术等加工方法。对这些技术的发展趋势进行了展望。指出微器件的推广和应用,是和微器件的加工方法密不可分的,特别是随着激光加工技术在微机械加... 介绍了目前比较前沿的几种微型腔的机械加工方法:光刻掩模、高能束刻蚀(激光刻蚀)和LIGA技术等加工方法。对这些技术的发展趋势进行了展望。指出微器件的推广和应用,是和微器件的加工方法密不可分的,特别是随着激光加工技术在微机械加工领域的推广和应用,微器件的加工工艺水平和加工质量会有更大的提高。 展开更多
关键词 微型机械 微成形 mems 光刻掩模 激光刻蚀 LIGA 激光加工技术
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DRIE工艺误差对MEMS梳齿谐振器频率的影响 被引量:3
12
作者 王强 高杨 +1 位作者 贾小慧 柏鹭 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第12期776-780,共5页
针对深反应离子刻蚀(DRIE)工艺加工高深宽比梳齿电容存在侧壁倾斜角的情况,分析了该倾斜角对梳齿谐振器频率的影响。为了使设计的梳齿谐振器频率符合应用要求,推导出了梳齿谐振器在正负侧壁倾斜角θ下的谐振频率计算公式。利用ANSYS Wor... 针对深反应离子刻蚀(DRIE)工艺加工高深宽比梳齿电容存在侧壁倾斜角的情况,分析了该倾斜角对梳齿谐振器频率的影响。为了使设计的梳齿谐振器频率符合应用要求,推导出了梳齿谐振器在正负侧壁倾斜角θ下的谐振频率计算公式。利用ANSYS Workbench11.0平台,分别对侧壁倾斜角为0°,0.2°,0.35°和0.5°的情形进行了有限元建模与模态仿真。仿真结果表明:随着正倾斜角的增大,谐振频率减小;负倾斜角增大时,谐振频率增大,且一阶模态振形的平稳程度越差。比较数值仿真结果与考虑了正负倾斜角误差的梳齿谐振器谐振频率计算公式计算结果对比,吻合较好。 展开更多
关键词 微电子机械系统(mems) 梳齿谐振器 深反应离子刻蚀 高深宽比 倾斜角 谐振频率
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Notching效应在MEMS风速仪制造工艺中的应用 被引量:1
13
作者 常洪龙 周平伟 +3 位作者 谢建兵 杨勇 谢中建 袁广民 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期191-194,共4页
深反应离子刻蚀(DRIE)工艺在目前的硅微机械高深宽比结构加工中应用十分广泛。在SOI硅片DRIE刻蚀过程中,存在着一些被认为对刻蚀速率和结构轮廓不利的效应,如横向刻蚀(Notching)效应。通过在结构旁布置牺牲结构-硅岛,利用Notching效应... 深反应离子刻蚀(DRIE)工艺在目前的硅微机械高深宽比结构加工中应用十分广泛。在SOI硅片DRIE刻蚀过程中,存在着一些被认为对刻蚀速率和结构轮廓不利的效应,如横向刻蚀(Notching)效应。通过在结构旁布置牺牲结构-硅岛,利用Notching效应加工出以悬空硅作为敏感单元的风速仪,其响应时间常数和电阻温度系数TCR(Temperature Coefficient of Resistant)分别为1.08μs和4 738×10-6/℃。正如所描述的,对于特定的微机械应用,Notching效应可以转变为一种加工优势,提高了微加工过程中的变化性。 展开更多
关键词 mems风速仪 悬空硅 横向刻蚀效应 深反应离子刻蚀
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基于湿法刻蚀的MEMS压印模版制作 被引量:1
14
作者 王权岱 段玉岗 +1 位作者 卢秉恒 丁玉成 《微细加工技术》 EI 2006年第1期36-40,60,共6页
介绍了一种基于玻璃湿法刻蚀低成本的MEMS压印模版制作工艺,工艺中以单层光刻胶作为刻蚀掩模,重点研究了改善刻蚀图形几何轮廓和提高表面质量的方法。在对钻蚀形成机理进行分析的基础上,通过对比偶联剂不同涂敷方式及不同蒸镀时间对刻... 介绍了一种基于玻璃湿法刻蚀低成本的MEMS压印模版制作工艺,工艺中以单层光刻胶作为刻蚀掩模,重点研究了改善刻蚀图形几何轮廓和提高表面质量的方法。在对钻蚀形成机理进行分析的基础上,通过对比偶联剂不同涂敷方式及不同蒸镀时间对刻蚀结果的影响,优化了硅烷偶联剂的涂敷工艺,使钻蚀率降低到0.6,图形几何形状得到改善。分析了刻蚀生成物的溶解度,采用HCl作为刻蚀液添加剂对刻蚀产生的难溶物进行分解,提高了表面质量。对刻蚀表面缺陷的形成原因进行了分析,采用厚胶层工艺消除了表面缺陷。利用该工艺制作了图形特征尺寸为100μm的MEMS压印模版,并进行了初步压印实验,得到了很高的复型精度。 展开更多
关键词 mems 压印模版 玻璃 湿法刻蚀
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MEMS硅梁谐振式传感器的研究 被引量:1
15
作者 卜丹 邱成军 《微纳电子技术》 CAS 2008年第9期527-531,共5页
通过对硅梁谐振式传感器工作原理的研究,结合Intellisuite软件对硅微悬臂梁谐振器的振动特性进行了分析,设计了具有悬臂梁结构的电热激励/压阻拾振的谐振式传感器,这种传感器具有体积小、功耗低、灵敏度高、准数字信号输出、成本低、与... 通过对硅梁谐振式传感器工作原理的研究,结合Intellisuite软件对硅微悬臂梁谐振器的振动特性进行了分析,设计了具有悬臂梁结构的电热激励/压阻拾振的谐振式传感器,这种传感器具有体积小、功耗低、灵敏度高、准数字信号输出、成本低、与集成电路工艺兼容等优点。对研究制作过程中的关键工艺——各向异性腐蚀技术,尤其是对低温下的腐蚀工艺进行了实验研究,采用高低温相结合的湿法腐蚀工艺制作了微悬臂梁结构,通过实验分析了利用新型有机薄膜对各向异性腐蚀过程中的MEMS器件金属电极的保护效果,为实际生产和设计提供了参考依据。 展开更多
关键词 传感器 微电子机械系统 悬臂梁 各向异性 湿法腐蚀
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硅基MEMS环形波动陀螺谐振结构的研制 被引量:1
16
作者 寇志伟 刘俊 +2 位作者 曹慧亮 石云波 张英杰 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第3期178-182,218,共6页
根据固体波动陀螺的工作机理与振动特性,提出并制作了一种新颖的电容式全对称硅基MEMS环形波动陀螺谐振结构。设计了全对称双U形弹性梁环形敏感结构并进行了动力学分析。分析结果表明其工作模态的谐振频率为10.193 0与10.198 0 kHz,频... 根据固体波动陀螺的工作机理与振动特性,提出并制作了一种新颖的电容式全对称硅基MEMS环形波动陀螺谐振结构。设计了全对称双U形弹性梁环形敏感结构并进行了动力学分析。分析结果表明其工作模态的谐振频率为10.193 0与10.198 0 kHz,频率差为5 Hz,表明该敏感结构在结构设计上具有高灵敏度。研究了基于深反应离子刻蚀(DRIE)与阳极键合技术的玻璃上硅(SOG)结构加工制造流程,并成功制作了该环形谐振结构。模态响应测试表明该硅基MEMS环形波动陀螺敏感结构的工作模态谐振频率为10.985 0和10.962 5 kHz,与动力学仿真分析结果的相对误差为7.21%,表明该陀螺谐振结构设计合理,加工工艺流程可行。 展开更多
关键词 微电子机械系统(mems) 环形波动陀螺 谐振结构 深反应离子刻蚀(DRIE) 玻璃上硅(SOG)结构
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近红外MEMS闪耀光栅的设计与制作 被引量:1
17
作者 聂秋玉 《西南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第6期172-178,共7页
利用硅的各向异性湿法腐蚀性质,在偏晶向(111)硅基底材料上,设计并制作了闪耀角为8°、周期为4μm的近红外闪耀光栅.设计时考虑了光栅顶部平台对光栅衍射效率的影响,修正了光栅的闪耀角.制作时利用一次性氧化削尖的方法,减少光栅顶... 利用硅的各向异性湿法腐蚀性质,在偏晶向(111)硅基底材料上,设计并制作了闪耀角为8°、周期为4μm的近红外闪耀光栅.设计时考虑了光栅顶部平台对光栅衍射效率的影响,修正了光栅的闪耀角.制作时利用一次性氧化削尖的方法,减少光栅顶部平台的宽度,以提高光栅的衍射效率.利用扫描电子显微镜(SEM)进行光栅形貌测试,结果表明:制作的光栅具有平滑的光学表面和良好的光栅槽形.对光栅进行衍射效率测量,当入射波长为1 392nm时,衍射效率能达到70%以上,表明光栅具有很高的衍射效率,能满足微型近红外光谱仪的使用要求. 展开更多
关键词 闪耀光栅 微机电系统 湿法各向异性刻蚀 近红外
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高垂直度和低沉积的MEMS陀螺梳齿结构释放工艺 被引量:1
18
作者 梁德春 庄海涵 +1 位作者 李新坤 刘福民 《飞控与探测》 2019年第1期56-60,共5页
梳齿型微机电系统(MEMS)陀螺的释放要求结构具有垂直度高、释放过程沉积聚合物少的特点,通过优化深硅刻蚀的工艺参数,包括钝化气体八氟环丁烷(C_4F_8)的流量、衬底温度、刻蚀气体六氟化硫(SF_6)的流量和钝化气体C_4F_8的压力,实现了结... 梳齿型微机电系统(MEMS)陀螺的释放要求结构具有垂直度高、释放过程沉积聚合物少的特点,通过优化深硅刻蚀的工艺参数,包括钝化气体八氟环丁烷(C_4F_8)的流量、衬底温度、刻蚀气体六氟化硫(SF_6)的流量和钝化气体C_4F_8的压力,实现了结构垂直度为90.0°、支撑层表面沉积物厚度为87.1nm的梳齿结构释放工艺。深硅刻蚀工艺的优化为高性能MEMS陀螺的加工提供了基础。 展开更多
关键词 mems陀螺 结构释放 深硅刻蚀 高垂直度 聚合物
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MEMS中硅湿法深槽刻蚀工艺的研究 被引量:2
19
作者 倪烨 戴强 +2 位作者 张怀武 钟智勇 于奇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期5-7,共3页
针对硅基MEMS湿法深槽刻蚀技术的难点,在硅材料各向异性腐蚀特性的基础上探索了湿法工艺。对腐蚀液含量、温度、添加剂含量对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,掩膜技术等进行了实验研究,优化得到了最佳刻蚀条件。应用该技术成功地刻蚀出深... 针对硅基MEMS湿法深槽刻蚀技术的难点,在硅材料各向异性腐蚀特性的基础上探索了湿法工艺。对腐蚀液含量、温度、添加剂含量对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,掩膜技术等进行了实验研究,优化得到了最佳刻蚀条件。应用该技术成功地刻蚀出深度高达330μm的深槽,为MEMS元器件的加工提供了一种参考方法。 展开更多
关键词 湿法刻蚀 mems 深槽刻蚀 掩膜
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一种新型MEMS双稳态微电磁驱动器的研究 被引量:4
20
作者 张晓鹏 戴旭涵 +2 位作者 苗小丹 丁桂甫 赵小林 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2009年第6期117-120,共4页
介绍了一种新型MEMS双稳态微电磁驱动器,通过理论分析和有限元分析工具Ansys对器件的结构参数进行了优化设计,并证明了设计的可行性。利用金属基表面微加工技术与体硅微加工技术成功制作出这种驱动器,并对其弹性平台的弹性系数进行了标... 介绍了一种新型MEMS双稳态微电磁驱动器,通过理论分析和有限元分析工具Ansys对器件的结构参数进行了优化设计,并证明了设计的可行性。利用金属基表面微加工技术与体硅微加工技术成功制作出这种驱动器,并对其弹性平台的弹性系数进行了标定,对驱动器的双稳态进行了调试。结果表明:此驱动器具有良好的双稳特性,响应时间短(约10m s)的特点。 展开更多
关键词 微机电系统 电磁驱动 微电铸 湿法腐蚀
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