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基于表面终端的增强型金刚石场效应晶体管研究现状
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作者 王玮 张明辉 +3 位作者 王艳丰 陈根强 何适 王宏兴 《真空电子技术》 2024年第5期29-46,53,共19页
金刚石半导体材料具有禁带宽度大、击穿场强高、载流子迁移率高、热导率高、抗辐照、耐腐蚀等优良性能,基于金刚石的场效应管(Field Effect Transistor,FET)在超高频率、超大功率、高温及特殊环境领域具有极为广阔的应用前景。得益于氢... 金刚石半导体材料具有禁带宽度大、击穿场强高、载流子迁移率高、热导率高、抗辐照、耐腐蚀等优良性能,基于金刚石的场效应管(Field Effect Transistor,FET)在超高频率、超大功率、高温及特殊环境领域具有极为广阔的应用前景。得益于氢终端金刚石表面的导电特性,近30年来,金刚石FET器件得到了长足的发展。首先概述了氢终端金刚石导电机理,进而回顾了氢终端金刚石FET的发展历程,随后着重讨论了增强型(常关型)器件的研究现状,并归纳阐述了几种实现增强型特性的技术路径,最后对表面终端增强型金刚石FET亟待解决的问题与发展前景进行了总结和展望。 展开更多
关键词 超宽禁带 金刚石 氢终端 增强型 场效应晶体管
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宽禁带半导体金刚石 被引量:9
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作者 李发宁 张鹤鸣 +2 位作者 戴显英 朱国良 吕懿 《电子科技》 2004年第7期43-49,共7页
较详细地叙述了当前国内外正处在研究热潮中的金刚石半导体的优越性质、发展状况及其应用和潜在的应用前景。同时分析和比较了金刚石薄膜的各种制备方法,可以看出微波等离子体化学汽相沉积法是较好的制备金刚石薄膜的生长技术,并且分析... 较详细地叙述了当前国内外正处在研究热潮中的金刚石半导体的优越性质、发展状况及其应用和潜在的应用前景。同时分析和比较了金刚石薄膜的各种制备方法,可以看出微波等离子体化学汽相沉积法是较好的制备金刚石薄膜的生长技术,并且分析了该技术的特点和优势。该法在保持适当氩气氛和施加衬底负偏压下还可进一步提高金刚石膜的生长速率和质量。对于金刚石异质(在硅衬底上)成核的基本机理也进行了分析。最后,阐述了研究金刚石半导体薄膜目前需要解决的关键问题及其发展方向。 展开更多
关键词 宽禁带 金刚石 MPCVD 大功率
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宽禁带半导体功率器件 被引量:3
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作者 刘海涛 陈启秀 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期1-4,8,共5页
阐述了宽禁带半导体的主要特性与SiC、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题,并对其未来的发展作出展望。
关键词 宽禁带 半导体功率器件 功率器件 碳化硅 金刚石
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化学气相沉积(CVD)金刚石研究现状和发展趋势 被引量:15
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作者 李成明 任飞桐 +8 位作者 邵思武 牟恋希 张钦睿 何健 郑宇亭 刘金龙 魏俊俊 陈良贤 吕反修 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第5期759-780,共22页
化学气相沉积(CVD)技术的发展使得金刚石优异的综合性能得以充分发挥,在诸多领域获得应用,并有可能实现跨越式的发展。色心使得金刚石量子加速器初步显示了巨大可行性,包括紫外激光写入窗口等诸多应用场景将金刚石的光、电、热和力学综... 化学气相沉积(CVD)技术的发展使得金刚石优异的综合性能得以充分发挥,在诸多领域获得应用,并有可能实现跨越式的发展。色心使得金刚石量子加速器初步显示了巨大可行性,包括紫外激光写入窗口等诸多应用场景将金刚石的光、电、热和力学综合优势发挥到了极致,超宽禁带金刚石半导体应用将很快实现,金刚石的散热应用也在不断拓展。本文在总结CVD金刚石的制备方法和性能特点的基础上,根据金刚石的本征特点和应用领域,将其分为量子级、电子级、光学级、热学级和力学级五类,对各类金刚石的研究和应用状况进行了详细阐述,进一步明晰CVD金刚石目前的发展状态,对研判其未来发展趋势有重要意义。 展开更多
关键词 化学气相沉积 金刚石 色心 超宽禁带 散热 超硬材料
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The effect of oxygen on the epitaxial growth of diamond 被引量:1
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作者 Meng Gong Yanan Chen +8 位作者 Wancheng Yu Peng Jin Zhanguo Wang Zhimin Wang Shenjin Zhang Feng Yang Fengfeng Zhang Qinjun Peng Zuyan Xu 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2018年第12期42-45,共4页
We studied the effect of oxygen on the growth quality of diamond epitaxial layers. After oxygen is added during the growth of the diamond epitaxial layer, as the thickness of the epitaxial layer increases, the full wi... We studied the effect of oxygen on the growth quality of diamond epitaxial layers. After oxygen is added during the growth of the diamond epitaxial layer, as the thickness of the epitaxial layer increases, the full width at half maximum of the rocking curve of the(004) plane of diamond epitaxial layer increases continuously, and, in addition, the intensities of both the Raman peaks and the free exciton emission peaks of the diamond epitaxial layer decrease continuously. These experimental results demonstrate that as the thickness of the diamond epitaxial layer increases, the quality of the diamond epitaxial layer degrades. The strong etching effect of the OH radical groups in the plasma on the diamond epilayers leads to the degradation of their crystallinity. 展开更多
关键词 diamond ultra-wide bandgap semiconductor MPCVD oxygen effect
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