宽离子束刻蚀微透镜阵列研究

本文对宽束离子束刻蚀技术进行了研究，并运用宽离子束对微透镜阵列进行了刻蚀，表明宽离子束可进行微米、亚微米刻蚀。

离子注入诱变的广亲和新品系在籼粳亚种杂种优势中的应用

经离子束诱变处理的新广亲和系,影响其产量的主要因素是有效穗数、每穗实粒数和千粒重,三者对产量具有均等的贡献。亲子代性状之间相关分析表明:通过选用千粒重大,每穗实粒数多、株高较矮、全生育期适中的亲本,能达到改善杂优组合的目的。遗传力高的较为稳定的性状,诱变后变异幅度不大,育种上最好选择杂合体进行离子束诱变处理。

钽酸锂晶体滤波器的离子束刻蚀技术研究

以钽酸锂晶体作为晶体滤波器压电材料。通过优化离子束刻蚀工艺参数,采用间歇式离子束刻蚀方法,解决了刻蚀区微裂纹工艺问题,使厚度为60μm钽酸锂晶片减薄至30μm。利用反台阶结构晶片制作出了中心频率为70MHz、3dB带宽为1 109kHz的高基频宽带钽酸锂晶体滤波器。

离子束注入改良水稻广亲和系02428

对经离子束诱变的突变后代受测品系与籼、粳测验种测交Ｆ１ 的黑染花粉率与小穗结实率的分析表明，两者相关不显著，建议在广亲和性品种筛选中宜以Ｆ１ 小穗结实率作为亲本亲和性鉴定的主要指标。筛选出农艺性状优良， 较原品种显著增产的广亲和新品系Ｓ９１４８。认为物理诱变是改良水稻广亲和系的一种有效途径。

400-1100nm波段用于格兰泰勒棱镜减反射膜的研制

为提高格兰泰勒棱镜的透射率和使用带宽,研究了400-1100 nm超宽带减反射膜的设计、制备.利用数值优化技术设计了多层膜;采用沉积Al2O3为过渡层的方法,提高了薄膜和晶体的附着力.用电子束沉积和离子束辅助沉积的方法制备了多层减反射膜.采用石英晶体振荡法监控膜厚和沉积速率.测量结果表明平均剩余反射率均小于1.7%.测试薄膜与冰洲石晶体的附着力性能良好.

双离子束溅射ITO薄膜在电磁屏蔽窗口中的应用

为了研究ITO薄膜在宽角度电磁屏蔽激光窗口中的应用效果,采用双离子束溅射镀膜技术在不同工艺条件下制备了ITO薄膜,根据薄膜的光电性能测试结果,分析了氧气流量、辅助离子源、基片烘烤温度等工艺条件对ITO薄膜透光性和导电性的影响。用Ti_(2)O_(3)和SiO_(2)作为高、低折射率材料,ITO薄膜作为电磁屏蔽膜层,在K9玻璃基片上设计了对2~18GHz电磁波高效屏蔽的0°~45°宽角度入射的1064nm激光窗口膜层,并利用双离子束溅射技术在合适的工艺条件下完成了薄膜的制备。测试结果显示,制备的薄膜透光性和电磁屏蔽性能良好,具有一定的耐酸性,适合作为高效电磁屏蔽、0°~45°宽角度入射的1064nm激光窗口膜层。

用于小行星探测的离子电推进屏栅电源拓扑研究

为了满足小行星探测中离子电推进多工作点调节的需求,将离子电推进电源处理单元(PPU)屏栅电源的拓扑结构作为研究对象,介绍了国内外屏栅电源的现状与应用场合,分析了各个屏栅电源拓扑结构的特点,最后得出了LLC拓扑可以满足任务要求。通过对LLC拓扑的工作特性分析,提出了一种简化的时域增益曲线模型,以适应宽范围输入的要求。结合目前对于LLC拓扑的研究,提出数字化控制方式、三电平谐振变换器和混合控制3方面的技术展望,可为今后研制高效率、轻质量的离子电推进PPU屏栅电源提供技术参考。