结合最新雷达研制工作的需要,介绍了VHF波段中集中参数W ilk inson功率合成器的设计理论和方法,并用微波仿真软件对其进行优化。通过制作并测试该功率合成器,验证了该设计方法的可行性。同时给出了实物照片和测试数据。该功率合成器适用...结合最新雷达研制工作的需要,介绍了VHF波段中集中参数W ilk inson功率合成器的设计理论和方法,并用微波仿真软件对其进行优化。通过制作并测试该功率合成器,验证了该设计方法的可行性。同时给出了实物照片和测试数据。该功率合成器适用于VHF波段的110MHz-140MHz,峰值功率可达到6KW,可作为独立的功率合成器,也可以用作功率合成的基本单元。展开更多
本文介绍一种新型的宽带大功率合成器/分配器。在这种功率合成器中用同轴线Balun阻抗变换器和假负载代替传统的W ilk inson功率合成器中隔离电阻;使得其工作带宽是传统的功率合成器的三倍左右。本文回顾了展宽W ilk inson功率合成器工...本文介绍一种新型的宽带大功率合成器/分配器。在这种功率合成器中用同轴线Balun阻抗变换器和假负载代替传统的W ilk inson功率合成器中隔离电阻;使得其工作带宽是传统的功率合成器的三倍左右。本文回顾了展宽W ilk inson功率合成器工作带宽的方法,然后分析这种新型的的功率合成器的特性,最后给出仿真结果并与传统功率合成器、双节级联功率合成器的仿真结果作比较。展开更多
单个器件输出功率不满足系统要求时,功率合成技术是提高系统输出功率的有效方法.本文详细研究了基于薄膜电阻的波导E-T结功率分配/合成器,最终设计了一种新型的基于薄膜电阻的波导E-T结.该结构具有高隔离度、低插入损耗、小体积、宽频...单个器件输出功率不满足系统要求时,功率合成技术是提高系统输出功率的有效方法.本文详细研究了基于薄膜电阻的波导E-T结功率分配/合成器,最终设计了一种新型的基于薄膜电阻的波导E-T结.该结构具有高隔离度、低插入损耗、小体积、宽频带等优点.通过合理设计薄膜电阻的长宽比,尽量增大薄膜电阻的面积,并且采用高导热的氮化铝陶瓷基板作为微带和薄膜电阻的介质基板,提高了基于薄膜电阻的波导E-T结承受的功率.利用三维电磁场仿真软件HFSS对其进行了建模仿真,加工的实物经过测试在25~34 GHz插入损耗小于0.2 d B,回波损耗优于-15 d B,隔离度优于10 d B.经对比,实测结果与仿真结果吻合,具有较好的工程应用价值.展开更多
文摘结合最新雷达研制工作的需要,介绍了VHF波段中集中参数W ilk inson功率合成器的设计理论和方法,并用微波仿真软件对其进行优化。通过制作并测试该功率合成器,验证了该设计方法的可行性。同时给出了实物照片和测试数据。该功率合成器适用于VHF波段的110MHz-140MHz,峰值功率可达到6KW,可作为独立的功率合成器,也可以用作功率合成的基本单元。
文摘本文介绍一种新型的宽带大功率合成器/分配器。在这种功率合成器中用同轴线Balun阻抗变换器和假负载代替传统的W ilk inson功率合成器中隔离电阻;使得其工作带宽是传统的功率合成器的三倍左右。本文回顾了展宽W ilk inson功率合成器工作带宽的方法,然后分析这种新型的的功率合成器的特性,最后给出仿真结果并与传统功率合成器、双节级联功率合成器的仿真结果作比较。
文摘单个器件输出功率不满足系统要求时,功率合成技术是提高系统输出功率的有效方法.本文详细研究了基于薄膜电阻的波导E-T结功率分配/合成器,最终设计了一种新型的基于薄膜电阻的波导E-T结.该结构具有高隔离度、低插入损耗、小体积、宽频带等优点.通过合理设计薄膜电阻的长宽比,尽量增大薄膜电阻的面积,并且采用高导热的氮化铝陶瓷基板作为微带和薄膜电阻的介质基板,提高了基于薄膜电阻的波导E-T结承受的功率.利用三维电磁场仿真软件HFSS对其进行了建模仿真,加工的实物经过测试在25~34 GHz插入损耗小于0.2 d B,回波损耗优于-15 d B,隔离度优于10 d B.经对比,实测结果与仿真结果吻合,具有较好的工程应用价值.