逸出功测试与GaAs光电发射材料的激活

采用铯氧多次交替激活可获得积分灵敏度高达１７００μＡ／ｌｍ、逸出功低至１．２～１．３ｅＶ的负电子亲和势ＧａＡｓ光电发射材料。本文介绍了ＧａＡｓ光电材料的激活系统及其逸出功测试系统，叙述了艳氧多次交替激活工艺，给出了激活过程中灵敏度与逸出功的变化曲线，分析了ＧａＡｓ光电材料导带上内光电子波函数的透射系数与逸出功之间的关系，最后讨论了逸出功测试在高性能ＧａＡｓ光电材料制备过程中的作用。

复合型Si光电发射材料

采用碱锑化合物的镀制与铯氧激活可制备复合型Ｓｉ光电发射材料（Ｓｉ－Ｎａ＿２Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－Ｋ＿３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－Ｃｓ＿３Ｓｂ－·Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ和（Ｓｉ－Ｎａ＿２ＫＳｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，其最高灵敏度分别可达９５０，１０５０，１５０和２０００μＡ／１ｍ，其最低逸出功分别已达１．０，０．９，０．８５和０．９ｅＶ。比较了复合型Ｓｉ光电发射材料与Ｓｉ和Ｎａ＿２ＫＳｂ（Ｃｓ）光电材料的一些性能参数，提出了复合型Ｓｉ光电材料的表面原子模型；讨论了复合型Ｓ光电材料的光电发射过程并分析了碱锑过渡层的作用。

新型Si光电发射材料的激活技术及激活装置

介绍了新型反射式Ｓｉ光电发射材料（Ｓｉ－Ｎａ３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－Ｋ３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－ｃｓａｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ和（Ｓｉ－Ｎａ２ＫＳｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ的激活技术．给出了新型Ｓｉ光电发射材料的逸出功、灵敏度及其稳定性并与Ｓｉ和Ｎａ２ＫＳｂ（Ｃｓ）光电材料的性能进行比较，简要讨论了影响灵敏度和稳定性的一些因素．叙述了为制备新型Ｓｉ光电发射材料所设计并加工的碱金属源、锑源、氯源及其激活系统．