低阻Mo/WSi_x/GaAs复合难熔栅研究

W_5Si_3作为难熔栅金属材料,在高性能GaAs电路中已有良好应用.但W_5Si_3材料的电阻率为120μΩ·cm左右,在亚微米栅工艺中使栅电阻偏高,不利于降低器件噪声,特别是在MMIC电路中的应用.故必须寻求新的低电阻率的、与GaAs有良好肖特基接触特性的难熔金属栅材料.本文介绍一种低阻Mo/WSi_x复合难熔金属栅材料的特性及与GaAs的接触性能的研究结果.包括用粉末冶金靶制备WSi_x膜和复合膜Mo/WSi_x的制备.

La_2O_3和WSi_2增强MoSi_2基复合材料的摩擦磨损性能研究

选用MRH-5A型环-块摩擦磨损试验机测定了3种载荷和2种转速条件下La2O3和WSi2增强MoSi2基复合材料在滑动干摩擦时的摩擦磨损性能,采用扫描电子显微镜分析了复合材料磨损表面形貌.结果表明:La2O3和WSi2增强MoSi2基复合材料的抗磨性能优于MoSi2及WSi2/MoSi2材料;当载荷与速度乘积(pv)值小于183.04N·m/s时,La2O3和WSi2增强MoSi2基复合材料的磨损质量损失仅为相同条件下MoSi2的1/4～1/6和WSi2/MoSi2的1/2;这是由于La2O3和WSi2复合增强相存在硬化和韧化协同作用所致;随着pv值增加,La2O3和WSi2增强MoSi2基复合材料依次呈现犁削、粘着磨损和疲劳磨损特征.

WSi_2/MoSi_2复合发热元件的制备及组织性能

利用W,Mo,Si粉末燃烧合成复合发热元件原料,制备WSi2/MoSi2复合发热元件。通过显微结构和力学性能、物理性能的测试分析表明:复合发热元件显微组织细小、分布较均匀,结晶相主要是以固溶形式的(WxMoy)Si2以及少量(WxMoy)5Si3相存在(其中x+y=1),玻璃相是以SiO2和Al2O3为主,并含有少量的Na,Mg,K,Ca等金属氧化物;断口晶粒细小,主要表现为沿晶断裂,抗弯强度和显微硬度较高;复合发热元件电阻率与MoSi2发热元件相近,没有老化现象;烧损温度高于MoSi2发热元件80℃,热膨胀系数低于MoSi2发热元件,热稳定性较好;复合发热元件表面膜是一种复合硅氧膜,成膜质量较好。

MoSi_2和WSi_2的价电子结构及性能分析

根据固体与分子经验电子理论,对MoSi2和WSi2的价电子结构进行了定量的分析,通过键距差方法计算了MoSi2和WSi2晶体中各键上的共价电子数．结果表明:在MoSi2和WSi2晶体中,沿<331>位向分布的Mo-Si和W-Si原子键最强,这些键上的共价电子数和键能分别影响化合物的硬度和熔点．晶体中晶格电子数影响其导电性和塑性, MoSi2晶体中含有较高密度的晶格电子,因此MoSi2的导电性和塑性比WSi2好．并从键络分布的不均匀性解释了MoSi2和WSi2脆性产生的原因．

WSi_2的价电子结构及其性能研究

根据固体与分子经验电子理论,通过键距差(BLD)方法,计算了金属间化合物WSi2的价电子结构和理论结合能。结果表明,WSi2理论结合能为1859.5kJ/mol,与实验值吻合。WSi2晶体中,沿<331>位向分布的W—Si键的键能最大,EA=33.397kJ/mol,且有32个等同键数,是晶体熔化时必须破坏的主干键络,因而WSi2具有高熔点。WSi2晶体中含有较高密度的晶格电子,使WSi2具有良好的导电性。WSi2晶体中键络分布不均匀性是导致晶体脆性的主要原因。

ZrO_2/SiC-WSi_2/MoSi_2纳米复相陶瓷制备及增韧机制探讨

利用扫描电镜、图像分析仪以及X射线衍射仪研究了ZrO2/SiC-WSi2/MoSi2复合粉末的分散、热压试样结构、组织以及断口形貌和断裂韧性之间的相互关系。研究表明:综合利用球磨、酒精清洗、超声波振荡能很好地实现纳米/微米颗粒的分散,团聚现象较轻。SiC,ZrO2纳米颗粒的协同复合化以及W的合金化能使复相陶瓷晶粒细化,增韧效果明显,断裂韧性可达8.13MPa·m1/2,断口呈现出以沿晶为主、穿晶为辅的混合断裂特征。复相陶瓷的增韧主要是通过晶粒细化、裂纹偏转、微裂纹形成、桥联等机制的综合作用。

基于神经网络的单通道冗余VLSI/WSI阵列重构算法

本文提出了一个基于Hopfield网络的单通道冗余VLSI/WSI阵列重构算法 ,根据阵列中缺陷单元的分布情况 ,构造相应的矛盾图模型 ,将阵列的重构问题转化为求矛盾图的独立集且使得独立集的顶点数恰为缺陷单元的个数 ,有效地解决了阵列的重构问题 .实验结果表明 ,与传统的启发式方法相比 ,基于本文所提出的图论模型而采用的神经网络方法是一种简单、快速。

CWSI理论及其在玉米遥感监测与估产中的应用

作物水分协迫指数（ＣＷＳＩ）从能量平衡的角度出发，综合反映了太阳辐射、光合作用、蒸腾作用、土壤含水量、含盐量等众多影响作物生长发育的因子和过程，因此是农作物遥感监测与估产的重要指标。然而Ｊａｃｋｓｏｎ等人提出的ＣＷＳＩ计算方法，涉及多个不易用遥感信息得到的参数，因而难以在大尺度上推广实施。为此，提出了用ＶＩＴ梯形计算ＣＷＳＩ的新方法。在该方法所需输入的三个变量中，冠层温度、植被指数均可由遥感方法获得，空气温度则由地面台站提供。应用ＣＷＳＩ进行玉米长势监测与产量预报，机理明确，可操作性强。

应用于超大规模集成电路的新材料WSi_2的快速热退火形成

用喇曼散射、扫描电镜、转靶X射线衍射、俄歇电子能谱和电阻率的测量研究了共溅射W-Si薄膜经真空15秒快速热退火后形成WSi_2的行为.在331和450cm^(-1)处有两个WSi_2的特征喇曼峰.随着快速热退火温度的升高,WSi_2的晶化不断增强.发现WSi_2中伴有W_5Si_3相存在,但其行为仍显示为WSi_2的特征.

原位反应制备WSi_2/Si_3N_4复合材料的研究

研究了Si3N4/WSi2复合陶瓷材料的特殊制备工艺过程及其显微结构。用XRD、SEM、EDX以及气孔测试仪,对每一制备过程步骤中发生的显微结构变化进行了分析。结果表明预烧过程原位生成了WSi2,氮化反应使Si相几乎全部转化为Si3N4和WSi2,热压使α-Si3N4转化为β-Si3N4,相组成为β-Si3N4、WSi2以及少量的W5Si3。机械强度随温度上升而增加,1200℃强度达988.3MPa。

油润滑下WSi_2/MoSi_2复合材料的摩擦学性能

运用M 200型摩擦磨损试验机测定了WSi2/MoSi2复合材料与45#钢配副油润滑时的摩擦学性能,采用扫描电子显微镜分析了其磨损机理.结果表明:油润滑可明显改善WSi2/MoSi2复合材料的摩擦学性能,在80～120N时材料具有较好的摩擦磨损综合性能;在油润滑下,WSi2/MoSi2复合材料的磨损机理表现为点蚀磨损和磨粒磨损,偶件45#钢的损失主要归因于磨粒的切削作用.图6,参13.

真空烧结原位合成制备SiC+WSi_2/MoSi_2复合材料及其性能

以钼粉、硅粉、钨粉和石墨粉为原料,采用真空烧结原位合成方法制备了不同SiC和WSi2配比颗粒增强的SiC+WSi2/MoSi2复合材料,研究了其物相组成、力学性能和室温断口形貌,并分析了复合材料的强韧化机理。结果表明:该复合材料主要由WSi2、MoSi2和SiC相组成,还有微量的(Mo,W)5Si3相;其中10%SiC-5%WSi2-85%MoSi2复合材料的综合力学性能最佳,其相对密度、抗弯强度、硬度和断裂韧度分别为93.81%,251.7 MPa,9.053 GPa和6.534 MPa.m1/2;该复合材料的强韧化机制主要有细晶强韧化和弥散强化。

基于神经网络的降阶VLSI/WSI阵列重构算法

提出了一个基于Hopfield网络的可降阶VLSI/WSI阵列重构算法 ,根据阵列中缺陷单元分布的二分图模型 ,将问题映射为相应的神经网络 ,有效地解决了阵列的重构问题 .实验结果表明 ,与启发式搜索方法相比 ,所提出的神经网络方法是一种快速、高效的方法 .

WSI电源分布技术——圆片规模集成技术介绍(六)

本文将讨论WSI器件电气设计中的电源分布技术,包括目标与难点、电源失效机理、修复技术及分布策略.

WSI 测试技术——圆片规模集成技术介绍(四)

本文讨论了WSI系统的测试技术,着重在WSI系统特有的自测试方法,包括电路元件及开关阵列的测试方法.

国际网络治理新形势 呼吁新动能新格局——联合国2017年WSIS论坛综述

2017年全球网络空间越来越不平静,美欧之间围绕俄罗斯黑客是否攻击并影响美国大选的调查,不但让美俄关系翻江倒海,而且也引发美国国内党派之间、机构内部人事争端、媒体报道倾向性和假新闻问题以及总统合法性问题等掀起一次次的轩然大波。发轫于美国国家安全局网络武器库泄露而掀起的全球勒索软件事件,加上以网络空间为基础的国际恐怖主义活动和事件越来越频繁和活跃.

WSi栅耗尽型高电子迁移率晶体管制作

用国产ＭＢＥ调制掺杂材料研制了具有难熔金属硅化物（ＷＳｉ）栅的耗尽型高电子迁移率晶体管器件。这种低噪声器件的栅长和栅宽分别为１．２～１．５μｍ和２×１６０μｍ。制作该器件的材料的电子迁移率，在３００Ｋ温度下为６０８０ｃｍ２·Ｖ－１ｓ－１，７７Ｋ时为６８０００ｃｍ２·Ｖ－１·ｓ－１。二维电子密度（ｎｓ）为９×１０１１ｃｍ－２。源与漏的触点使用ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ通过蒸发技术制作，为减小触点电阻，在５２０℃的温度下放在氢气环境中合金３ｍｉｎ。ＷＳｉ栅器件的室温跨导为１１０～１３０ｍＡ／Ｖ。可用于通信卫星的３．８３ＧＨｚ及雷达接收机的１．５ＧＨｚ频道。它的噪声系数约为２－３ｄＢ。

WSI系统的发展概况

本文介绍圆片规模集成的概念,发展圆片规模集成技术的意义,并按体系结构的分类回顾圆片规模集成系统发展的状况.

自蔓延高温合成WSi_2-MoSi_2复合粉体的制备、组成与形貌分析

为了研究金属W加入量对自蔓延合成WSi_2-MoSi_2复合粉体组成和形貌的影响,以d50分别为5.67μm的Si粉、3.15μm的Mo粉和2.13μm的W粉为原料,按照化学式(Mo1-xWx)Si_2中W的物质的量分数分别为10%、20%、30%和40%,采用自蔓延高温合成方法制备了不同W含量的WSi_2-Mo Si_2复合粉末,并利用X射线衍射仪和扫描电镜对合成产物进行了相组成和产物形貌分析。结果表明:W粉的添加会降低反应的绝热温度。通过对产物最强的衍射峰进行分峰拟合,证实在本试验中Mo Si_2和WSi_2是以两个单相的形式存在;WSi_2-Mo Si_2复合粉末形貌呈近球形颗粒的聚集状态,并随着W加入量的增加,合成产物的颗粒尺寸有变小的趋势。

WSI Polycide工艺的研究

文章基于0.5μm CMOS工艺,研究了造成Polycide工艺中WSI剥落、色斑等异常现象的原因。同时,研究了WSI淀积前清洗、退火温度及Cap Layer层对WSI薄膜翘曲度及应力的影响,并通过实验优化,以大量的数据为依据,对影响WSI薄膜特性的工艺参数进行调试和论证,主要考察更改各条件对圆片翘曲度及应力的变化,并通过显微镜镜检圆片表面,获得了0.5μm Polycide工艺较优的工艺条件。实验结果表明,在WSI淀积后增加Cap Layer层工艺对Polycide工艺工期WSI剥落、色斑等异常有较好的改善作用,且圆片表面形貌能达到MOS器件的工艺制造要求。