GaAs_(1-x)P_x∶N间接能隙材料的光致发光谱

前言近年来,对GaAs1-xPx材料的发光性质,国外已进行了许多研究。尤其是关于等电子杂质氮的参与对发光性质的影响,引起了更多人的注意,通过离子注入氮的掺杂,又使研究的范围向间接能隙区推进。以上这些研究所围绕的中心问题,在应用上,主要是发光二极管（LED）的发光效率和发光波长两方面。而GaAsP材料正是目前国内以致国际制造LED的重要材料,对它进行研究是有一定意义的。

GaAs_（1－x）P_x：TeLED中深能级及其对发光效率的影响

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）方法研究了不同发光效率的掺Ｔｅ的ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘＬＥＤ中的深中心，探讨深能级对ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：ＴｅＬＥＤ发光效率的影响，结果表明，发射率激活能为０．４０ｅＶ的Ｂ能级是影响发光效率的主要无幅射中心．

氮和锌离子注入GaAs_(1-x)P_x(x≈0.39)提高发光效率的研究

一、前言离子注入的优点是众所周知的,在化合物半导体方面可以用它来提高发光效率,制作良好的发光材料和半导体器件。本文介绍在GaAs1-xPx材料中注入Zn+和N+提高二极管发光效率的初步研究结果。 GaAs1-xPx发光二极管主要是在结区产生电致发光。

N、Zn离子注入GaAs_(1-x)P_x(x=0.39)的研究补充

关于N、Zn离子注入GaAs1-xPx的阴极萤光及电特性的测量在正文中已经做了介绍。在这里我们再小结一下器件制造结果。 对于N注入GaAs1-xPx中的电致发光情况,我们做的工作不多。在这里只就最近所做二批器件的情况做一个小结。