X^2+XY-Y^2+k=0存在正整数解的条件

若二元二次方程X2+XY-Y2+k=0存在正整数解,则其每组解必为广义Fibonacci数列相邻二项,并且方程X2+XY-Y2+k=0具有广义Fibonacci数列的正整数解时,满足一定约束条件。Lucas数列作为一种广义Fibonacci数列,其相邻二项是X2+XY-Y2±5=0的正整数解。

X^2+XY-Y^2+k=0正整数解的条件

对X2+XY-Y2+k=0的Fibonacci数列的正整数解和正整数解的约束条件进行研究,并指出Lucas数列是广义Fibonacci数列。

NF^X(X=-1,0,+1)分子离子基态的结构与势能函数

用密度泛函理论的B3LYP方法,分别以6-311++g(df,3pd),6-311g(3d,3p)和6-311++g(3df,3pd)为基函数对NF分子、NF+和NF-离子基态进行几何优化和频率计算,并进行单点能扫描计算.用最小二乘法拟合得到NFX(X=-1,0,+1)分子离子基态的Murrell-Sorbie势能函数.利用得到的解析势能函数计算出的NF分子和NF+离子基态光谱常数(Be,αe,ωe,ωeχe)与实验值符合很好.首次得到NF-离子基态的光谱常数(Be,αe,ωe,ωeχe)和力常数(f2,f3,f4),为NF-离子基态的后期研究提供理论参考.

基态Se2^x（x=0，-1，＋1，＋2）分子离子的势能函数与垂直电离势

用原子分子反应静力学原理推导出了Se2x(x=0,+1,-1,+2)分子离子的基态电子状态及其离解极限.在6-311G**水平基础上,用B3LYP方法计算了Se2x(x=0,-1,+1,+2)分子离子的基态电子状态的平衡几何Re和离解能De及谐振频率;并在计算出来的一系列单点能基础上,用正规方程组拟合Murrell-Sorbie(M-S)势能函数,得到相应态的解析势能函数,由此计算对应的光谱参数和力学性质;计算了Se2+、Se22+的垂直电离势;计算表明Se2x(x=0,+1,-1,+2)分子离子是可稳定存在的.

BF^X(X=-1,0,+1)分子离子基态的结构与势能函数研究

本文利用CCSD 方法,分别选用6-311++g(3df,3pd)、6-311++g(2df,2pd)和6-311++g(df,pd)基组对BF分子和BF^+、BF^-离子基态进行了几何优化和频率计算,并进行了单点能扫描计算.用最小二乘法拟合得到了BF^X(X=-1,0,+1)分子离子基态的Murrell-Sorbie势能函数.与实验及理论结果比较表明,本文对BF分子和BF^+离子基态光谱常数(B_e,α_e,ω_e,ω_ex_e)的计算结果达到了很高的精度.文章还首次给出BF^-离子基态的光谱常数(B_e,α_e,ω_e,ω_ex_e)和力常数(f_2,f_3,f_4),这将为BF^-离子基态的后期研究提供重要参考.研究表明:BF^X(X=-1,0,+1)分子离子基态的势能曲线均具有对应于稳定平衡结构的极小点,说明BF^X(X=-1,0,+1)分子离子基态是稳定存在的.

MmNi_(3.8-x)Co_xMn_0.4Al_0.3合金的结构与电化学性能

本文对ＭｍＮｉ３．８－ｘＣｏｘＭｎ０．４Ａｌ０．３（ｘ＝０．２、０．４、０．５、０．６、０．７和０．９）进行了物相分析和电化学测试。发现Ｃｏ部分取代Ｎｉ可在不改变合金相结构和起始活化性能的前提下改善合金的循环稳定性，但同时降低了合金的起始放电容量特别是高倍率放电容量。合金的初始放电电压随Ｃｏ含量的增加而增加，但放电电压平台特性随Ｃｏ含量的增加而劣化。Ｃｏ含量对合金的容量、循环稳定性的影响并不是线性的，而是存在拐点，拐点前后合金上述电化学性能随Ｃｏ含量变化的幅度有着较大的差别。

关于丢番图方程x^3-1=py^2

设t为正整数,素数p=12t2+1,证明了丢番图方程x3-1=Dy2仅有平凡整数解(x,y)=(1,0)。

Sn-2.5Ag-0.7Cu-0.1RE-xNi的润湿特性

采用润湿平衡法,选用商用水洗钎剂研究了Sn-2.5Ag-0.7Cu-0.1RE-x Ni钎料合金在Cu引线和Cu基板上的润湿特性。结果表明,当Ni添加量为0.05%-0.1%时,Sn-2.5Ag-0.7Cu-0.1RE钎料合金中在Cu引线上具有较短的润湿时间,较小的润湿角,较大的润湿力;在Cu基板上具有较小的润湿角和较大的铺展面积;焊点界面区Cu6Sn5厚度小而平整;其润湿特性满足现代表面组装技术对无铅钎料润湿性能的要求。

La_2Co_xCu_(1-x)O_4(x=0～0.5)氧敏性能研究

将La2CoxCu1-xO4（x=0-0.5）复合氧化物做成了厚膜型气敏器件,研究了烧结温度、膜厚对材料氧敏性能的影响,结果表明：800℃烧结、膜厚为80μm时所制得的厚膜型La2Co0.1Cu0.9O4在400~700℃测试区间内的氧敏性能最优,在400℃时的灵敏度最大,可以达到6。

La_(0.5-x)Ce_xBa_(0.5)CoO_3化合物的磁性和输运特性

在La0 5 Ba0 5 CoO3 中 ,系统研究了Ce对La的替代效应。Ce的掺入首先产生了电荷转移效应。材料高温磁化率测量表明 ,每个Ce原子向Co的 3d壳层转移 2 86个电子 ,结果随Ce掺入量增加 ,材料磁矩成线性下降。另外 ,随Ce含量增加 ,材料居里温度单调下降 ,这是由于稀土离子的尺寸效应。在所研究的温度范围内 ,所有材料的导电机理都属于极化子的变程跳跃导电。由于电荷转移效应 ,使材料电阻率随Ce掺入量增加而迅速加大。当La全部被Ce替代后 。

钙钛矿Ca_(1-x)Sr_xTiO_3(0≤x≤1)体系晶体结构的XAFS表征

Ca1-xSrxTiO3(0.0≤x≤1.0)体系在地质领域和材料领域的应用前景吸引了越来越多科学家们的关注.结合XANES(X射线近边吸收谱)定性分析和前三个壳层EXAFS(扩展X射线精细结构谱)定量拟合结果,本文探究了该体系随着Sr元素含量减少的晶体结构变化规律.

微波合成层状材料Li1．2＋x[Ni0．25Mn0．75]0．8-xO2(0≤x≤4／55)及其电化学性能研究

采用微波合成方法制备得到锂离子电池正极材料Li1.2+x[Ni0.25Mn0.75]0.8-xO2(0≤x≤4/55),并对所得样品进行了XRD及电化学性能测试.

CL-20/HMX无规作用及共晶作用的理论计算

为了对比六硝基六氮杂异戊兹烷(CL-20)/环四亚甲基四硝铵(HMX)炸药分子间的无规作用及共晶作用,基于密度泛函理论(DFT),在B3LYP方法上使用6-311++G(d,p)基组优化得到了4种CL-20/HMX无规构型(Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ和Ⅳ),对4种无规构型的几何结构、静电势、能量及电子密度拓扑进行了分析;利用分子动力学方法计算了共晶结构中H原子和O原子的径向分布函数;计算了不同摩尔比CL-20/HMX共晶的密度及爆速。结果表明,4种CL-20/HMX的无规构型存在氢键相互作用,氢键键长在0.274 2~0.296 4nm之间;4种无规构型的稳定性排序为:Ⅳ>Ⅲ>Ⅱ>Ⅰ,构型的稳定性主要取决于氢键的数量和键长;4种无规构型在键临界点BCP处的电子密度ρ(r)大小排序为:Ⅳ>Ⅲ>Ⅱ>Ⅰ,CL-20和HMX分子之间不仅存在H…O以及H…N形式的氢键相互作用,还存在N…O和C…O形式的范德华作用;共晶结构中CL-20与HMX的相互作用主要有氢键和强范德华力,氢键键长为0.22nm;CL-20/HMX共晶(摩尔比2∶1)的理论密度为2.003g/cm^3,理论爆速为9 608m/s。

一种计算二重X_0-对称破缺分歧点的有效方法

本文将构造一种直接的方法来计算二重Ｘ０－对称破缺分歧点，其构造的扩张系统没有将零向量引入当成变量，因此节约了计算的工作量和计算机内存。

新型医用Mg_((98.7-x))-Zn_(1.0)-Ca_(0.3)-Mn_x合金在hank's模拟体液中的降解行为

采用真空感应熔炼,结合熔融浇铸法制备了可降解Mg（98.7-x）-Zn1.0-Ca0.3-Mnx四元合金材料.利用光学显微镜、X射线衍射仪,扫描电镜对合金进行分析和表征.并运用浸泡实验和电化学实验探讨了合金在hank＇s模拟体液中的降解行为.结果表明：Mn含量为1.5%时,铸态镁合金的晶粒得到显著细化,晶粒尺寸减小到20~30μm;Mn元素可促进Ca原子在Mg基体中形成均匀分布的Mg_2Ca相,从而改善合金的抗腐蚀性能;合金的腐蚀速率随Mn含量的增加而显著降低,加入1.7%Mn时,其平均腐蚀速率和电化学腐蚀速率分别降低到0.135 mm/a和0.265 mm/yr,合金的抗腐蚀性能达到最佳值;合金的局部腐蚀严重,存在＂河流状＂和＂骨架状＂的腐蚀形貌;腐蚀产物主要由Mg（OH）_2、MgCO_3、Mg_3（PO_4）_2以及少许MgO与Mg颗粒组成.

全钢载重子午线轮胎成型胎面压合质量缺陷及解决措施

分析全钢载重子午线轮胎成型胎面压合质量缺陷,并提出相应的解决措施。在保证成型设备精度的前提下,通过采取优化0°带束层压延排线板结构、制定胶料门尼粘度控制标准和优化成型胎面压合工艺等措施,解决了胎肩胶边杂物、胎面X光气泡及0°带束层散线质量问题,有效提高了轮胎质量。

La0.8Sr0.2CoxFe1-xO3型氧扩散障层材料的制备及结构性能研究

采用共沉淀-凝胶方法制备La0.8Sr0.2CoxFe1-xO3(x=1.0、0、0.3)氧扩散障碍层材料的前驱体,分别用X射线衍射分析、透射电镜、扫描电镜和交流阻抗谱仪对三种不同粉体及其陶瓷结构和性能进行研究.结果表明:在870℃下焙烧制备的La0.8Sr0.2CoxFe1-xO3(x=1.0、0、0.3)粉末具有钙钛矿相结构,无硬团聚,颗粒大小在20～60 nm.此粉末经冷等静压250MPa成型后,在1120℃下烧结6h,La0.8Sr0.2CoO3和La0.8Sr0.2FeO3混合导体的电导率在10—1S/cm数量级,而La0.8Sr0.2Co0.3Fe0.7O3导电率最高达100 S/cm数量级.三种陶瓷都是电子电导远大于离子电导的混合导体,电导率最高值在200～300℃范围,偏向低温.

Sr_(2.7)Eu_(0.2)P_(2-x)V_xO_8(0≤x≤2)的光致发光性质

用溶胶-凝胶方法制备Sr2.7Eu0.2P2-xVxO8(0≤x≤2)样品.采用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)来表征样品的晶体结构和发光性能.XRD结果表明:随着x的增大,晶体结构由Sr3P2O8相过渡到Sr3V2O8相.PL光谱结果表明:适量的P5+掺杂使得Sr2.7Eu0.2P2-xVxO8的发光增强,激发VO43-比直接激发Eu3+更有利于Sr2.7Eu0.2P2-xVxO8的发光.

SPS法制备的赝二元合金(Ga_2Te_3)_x-(Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3)_(1-x)(x=0～0.2)电学性能

采用放电等离子烧结(SPS)方法制备了赝二元合金(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0～0.2),并研究其电学性能。结果表明,在318K时(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0.1)合金的电导率为3.7×104Ω-1·m-1,是三元合金Bi0.5Sb1.5Te3的2倍,而Seebeck系数没有明显下降。从所测得的α和σ值可知,赝二元(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0.1)合金的功率因子最大,为2.1×10-3(W·K-2·m-1),是三元Bi0.5Sb1.5Te3合金的1.5倍。

基态XO^(n+)(X=Ru,Rh,Pd;n=0,1)的势能函数和第一垂直电离势

运用原子分子反应静力学原理推导出XOn+(X=Ru,Rh,Pd;n=0,1)的基态电子状态及离解极限.运用密度泛函的B3P86方法和LANL2DZ赝势基组及aug-cc-pVTZ全电子基组,对XOn+(X=Ru,Rh,Pd;n=0,1)体系进行计算,获得了这些分子及其离子基态的Murrell-Sorbie解析势能函数.同时计算了XOn+(X=Ru,Rh,Pd;n=0,1)的光谱数据,计算了XO(X=Ru,Rh,Pd)中性分子的第一垂直电离势.