x^n-1在有理数域上分解式的系数

由一种计算分圆多项式系数的简捷算法给出和证明了分圆多项式的系数绝对值不大于 1的若干条件 ,并对分圆多项式的系数的一些性质进行了研究 .

基于新型“1+X+N”人才培养模式的一流本科课程建设探索

为了适应时代的发展需求,响应国务院提出的在应用型本科高校启动“学历证书+若干职业技能等级证书”制度(即“1+X”证书制度)的试点工作,民办本科院校积极探索“1+X+N”人才培养新模式。在人才培养新模式下,省级一流本科课程光纤通信技术课程组从明确课程定位、推动教学改革、加大资源建设、优化教学内容与实施过程、推进课程思政、改善课程成绩评定等方面开展工作,努力提升学生在光纤通信方面的综合应用能力,培养出满足新时代通信发展需求的高质量人才。

“1+N+X”区级政府财政预算绩效管理制度体系的构建及运行保障

近年来,我国很多区级政府存在着财政预算绩效管理制度体系不完善、绩效管理水平较差、绩效评价结果应用不足等系列问题。文章在分析这些问题及国内外财政绩效管理研究成果的基础上,通过制度创新构建“1+N+X”区级政府财政预算绩效管理制度体系,并从管理创新、技术创新两个方面强化对制度运行的保障,以促进财政预算绩效管理的规范化,提升财政资金的使用效益。

质子入射Al_(x)Ga_(1-x)N材料的位移损伤模拟

氮化镓材料由于优良的电学特性以及耐辐照性能,其与不同含量Al_(x)Ga_(1-x)N材料组成的电子器件,有望应用于未来空间电子系统中.然而目前关于氮化镓位移损伤机理研究多关注于氮化镓材料,对于Al_(x)Ga_(1-x)N材料位移损伤研究较少.本文通过两体碰撞近似理论模拟了10 keV-300 MeV质子在不同Al元素含量的Al_(x)Ga_(1-x)N材料中的位移损伤机理.结果表明质子在Al_(x)Ga_(1-x)N材料中产生的非电离能损随质子能量增大而下降,当质子能量低于40 MeV时,非电离能损随着Al含量的增大而变大,当质子能量升高时该趋势相反;分析由质子导致的初级撞出原子以及非电离能量沉积,发现不同Al_(x)Ga_(1-x)N材料初级撞出原子能谱虽然相似,然而Al元素含量越高,由弹性碰撞产生的自身初级撞出原子比例越高;对于质子在不同深度造成的非电离能量沉积,弹性碰撞导致的能量沉积在径迹末端最大,而非弹性碰撞导致的能量沉积在径迹前端均匀分布,径迹末端减小,并且低能质子主要是通过弹性碰撞造成非电离能量沉积,而高能质子恰好相反.本研究揭示了不同Al元素含量的Al_(x)Ga_(1-x)N材料质子位移损伤机理,为GaN器件在空间辐射环境下的应用提供参考依据.

多孔n-GaN/p-Zn_(x)Cu_(1-x)S异质结的制备及紫外探测性能研究

本文首先采用紫外光辅助电化学刻蚀(UV-EC)方法制备出了孔隙密度为1.51×10^(10)cm^(-2)、平均孔径为38 nm的多孔n-GaN薄膜;随后在其上通过水浴法沉积了一系列Zn_(x)Cu_(1-x)S复合薄膜,x为0.0、0.2、0.4、0.6、0.8、1.0,形成的多孔n-GaN/p-Zn_(x)Cu_(1-x)S异质结带隙在2.34~3.51 eV调控;最后基于这些异质结构建出p-n结型紫外探测器。I-V曲线结果表明这些探测器均具有良好的整流特性,特别是n-GaN/p-Zn_(0.4)Cu_(0.6)S探测器性能最优。在暗态下,I_(+3 V)/I_(-3 V)约为1.78×10^(5);在偏压为-3 V、光功率密度为432μW/cm^(2)(365 nm)的条件下,光暗电流比超过10^(3),上升/下降时间为0.09/39.8 ms,响应度(R)为0.352 A/W,外量子效率(EQE)为119.6%,探测率(D^(*))为3.21×10^(12)Jones。I-t曲线结果表明,多孔n-GaN/p-Zn_(x)Cu_(1-x)S异质结紫外探测器在连续开-关光循环过程中拥有稳定的光电流响应。该研究为制备异质结紫外探测器提供了一定的理论指导和实验数据。

Ti_(n+1)C_(n)T_(x)-MXenes二维材料的制备及其陶瓷基复合材料的研究现状

二维钛碳化物(Ti_(n+1)C_(n)T_(x)-MXenes)具有独特的层状结构、优异的电学性能、良好的化学稳定性和较高的比表面积,被广泛应用于能源、存储、医学、电磁屏蔽和传感器等领域。通过液相法选择性刻蚀钛基MAX相中的A位元素,可制得Ti_(n+1)C_(n)T_(x)-MXenes。Ti_(n+1)C_(n)T_(x)-MXenes作为增强相,与陶瓷材料有效复合形成陶瓷基复合材料,进而改善陶瓷材料的使用性能。目前,绿色高效制备无氟Ti_(n+1)C_(n)T_(x)-MXenes的研究尚处于起步阶段,且Ti_(n+1)C_(n)T_(x)-MXenes陶瓷基复合材料的增强机理和高温使用性能仍有待探究。综述了Ti_(n+1)C_(n)T_(x)-MXenes的制备方法,同时介绍了Ti_(n+1)C_(n)T_(x)-MXenes在陶瓷基复合材料中的应用,并对Ti_(n+1)C_(n)T_(x)-MXenes的发展趋势和面临的问题进行了展望。

调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变

用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,势垒层内部微结构与应变状态和下层i -GaN的微结构与应变状态互相关联 ,当厚度大于 75 0 时 ,势垒层开始发生应变弛豫 ,临界厚度大于5 0 0 。势垒层具有一种“非常规”应变弛豫状态 ,这种状态的来源可能与n -AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α -Al2

肖特基C-V法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结界面二维电子气

通过对 Pt/ Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N肖特基二极管的 C- V测量 ,研究分析了 Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面二维电子气 (2 DEG)浓度及其空间分布 .测量结果表明 ,Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面 2 DEG浓度峰值对应的深度在界面以下 1.3nm处 ,2 DEG分布峰的半高宽为 2 .3nm ,2 DEG面密度为 6 .5× 10 1 2 cm- 2 .与 Alx Ga1 - x As/ Ga As异质结相比 ,其 2 DEG面密度要高一个数量级 ,而空间分布则要窄一个数量级 .这主要归结于 Alx Ga1 - x N层中～ MV / cm量级的压电极化电场和自发极化电场对 Alx Ga1 - x N/ Ga N异质结能带的调制和 Alx Ga1 - x N/ Ga

Al_(x)Ga_(1-x)N氮化物结构和热力学性质的第一性原理研究

为了掌握Ⅲ族氮化物微观结构对热力学性能的影响规律,进而为超高功率器件的设计提供数据支持,本文借助第一性原理计算软件CASTEP,对半导体Al_(x)Ga_(1-x)N不同合金结构及其热性能进行了系统研究。结构优化和数据分析后发现,Al_(x)Ga_(1-x)N的晶格常数、平均键长和晶格热容值随Al组分值x(原子数分数)增大而线性减小。热力学性质计算结果表明,在GaN中引入Al组分会在频率带隙中引入杂质模,随着Al组分浓度的增加杂质模变宽并进入低频段,在低频段顶部频率随Al组分增大而线性升高,在12.5%以上低频段顶部频率均大于(1/2)A1(LO)。温度从300 K到700 K变化时,合金热容随温度变化关系结果证明,在确定温度时,Al_(x)Ga_(1-x)N合金热容随Al组分增大而线性减小。本文的研究为以Al_(x)Ga_(1-x)N为代表的Ⅲ族氮化物半导体高功率器件设计提供了一定的设计参考。

TiC_(1-x)N_x固溶体的价电子结构及其性能研究

根据固体与分子经验电子理论 ,对TiC1-xNx 固溶体的价电子结构进行分析 ,结果表明 :固溶体中最强键上的共价电子数nA 随x的增加而减少 ,硬度随x的增加而降低的实质是nA 的减少。并从电子结构层次上证实在TiN中以C原子取代部分N原子可以提高其稳定性。

GaN和Al_xGa_(1-x)N薄膜材料研究进展

ＧａＮ及ＡｌｘＧａ１－ｘＮ是发兰光的关键材料，是目前光电子材料中最引人注目、必须攻克的课题。本文综述了ＧａＮ及ＡｌｘＧａ１－ｘＮ材料的研究现状，重点介绍了ＧａＮ及ＡｌｘＧａ１－ｘＮ材料近年来在性能评价。

Ti(C_(1-x)N_x)系固溶体粉末的制备研究

研究了在碳热还原反应产业化制备Ti(C1 -xNx)系固溶体粉末过程中 ,原料配比、反应温度和N2 流量等工艺参数对Ti(C1 -xNx)组成和性能的影响 .结果表明 ,通过控制原料成分C/Ti的准确配比 ,可产业化制备出成分优良的不同单相Ti(C1 -xNx)固溶体 .在Ti(C1 -xNx)粉末中x值随反应温度的升高或N2 流量的减小而变小 .Ti(C1 -xNx)系固溶体的点阵常数与C或N含量有很好的对应关系 .通过调整粉末中元素的固溶度可控制粉末的晶体结构 。

基于智能感知的In_(x)Al_(1-x)N薄膜的气敏性能研究

基于Ⅲ-V族半导体的产品已经广泛应用于移动设备、无线网络、卫星通信和光电子技术领域,其中,新型的Ⅲ-V族半导体铟铝氮(In_(x)Al_(1-x)N(x=0~1))因为具有临界击穿电压高、导热系数高、能抵抗强辐射以及化学性质稳定等优点而成为感知器件的研究热点。该文首先采用磁控溅射技术以金属In、金属Al和陶瓷Si 3N 4为靶材制备出Si掺杂和纯In_(x)Al_(1-x)N薄膜。在衬底温度600℃、压强0.6pa、Ar∶N 2流量比为20∶10、金属铟靶材和铝靶材的溅射功率分别为70W和300W、氮化硅的靶材附加功率分别为0W,20W,40W和60W条件下制备出薄膜,研究了所制备薄膜的电性能、拉曼光谱、光致发光(PL)光谱。测试结果表明:为氮化硅靶材附加40W功率时,掺杂Si的In_(x)Al_(1-x)N薄膜的载流子浓度比纯In_(x)Al_(1-x)N薄膜提高了两个数量级;硅掺杂的In_(x)Al_(1-x)N薄膜测得的拉曼光谱中,E2(HI)和Al(LO)模式峰都发生了右方移动,这表明了样品的缺陷增加,应力随之增强;PL光谱测试显示In_(x)Al_(1-x)N的发光峰较高,且薄膜随着Si含量的增加,可能导致薄膜缺陷增加。其次,研究了所制备薄膜的气体敏感性,测试表明,掺Si的In_(x)Al_(1-x)N薄膜的气敏性优于纯In_(x)Al_(1-x)N薄膜,且细颗粒的掺Si的In_(x)Al_(1-x)N薄膜的气敏性高于大颗粒,证明小颗粒的表面活性大,易吸附气体使得响应灵敏度高,为气敏传感器的开发和信息领域的潜在应用打下基础。

N掺杂Mg_xZn_(1-x)O薄膜结构和光学性质研究

采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了N掺杂Mg_xZn_(1-x)O薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射光谱、光致发光(PL)谱对N掺杂Mg_xZn_(1-x)O薄膜样品的晶体结构、表面形貌和光学性能进行了研究。XRD结果表明所有样品均形成了Mg Zn O合金薄膜,没有观察到其它氧化物的衍射峰。样品的结晶质量越差,样品的表面形貌越不规则,但样品在可见光的透射率越强,甚至达到了95%。样品的禁带宽度随Mg含量的增加而增加,随N含量的增加而减小。所有样品的光致发光谱均观察到强的400 nm发光和弱的可见发光。400 nm的发光强度随Mg含量的增加而减弱,随N含量的增加而增强,认为薄膜在400 nm的发光来源Zn O的激子复合。

Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气的磁致子带间散射效应

通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0 .2 2 Ga0 .78N/GaN异质结二维电子气 ( 2DEG)的磁电阻振荡现象。观察到了磁致子带间散射 (MIS)效应。在极低温下观察到了表征两个子带被 2DEG占据的双周期舒勃尼科夫 德哈斯 (SdH)振荡。实验观察到MIS效应引起的磁电阻振荡的幅度随温度上升略有减小 ,振荡的频率为两个子带SdH振荡频率之差。随着温度的升高 ,MIS振荡成为主要的振荡。由于SdH振荡和MIS振荡对温度的依赖关系不同 ,实验观察到SdH和MIS振荡之间的调制在温度 10和 17K之间最为强烈 ,其它温度下的调制很弱。

Al_xGa_(1-x)N/GaN调制掺杂异质结能带分裂特性

通过低温强磁场下的磁输运实验 ,研究了AlxGa1 -xN/GaN调制掺杂异质结构二维电子气 ( 2DEG)的能带分裂性质。1.4K温度下测量的磁阻曲线当磁场强度大于 5 .4T时观察到的明显对应于第一子带的自旋分裂现象。用Dingle作图法得到本样品τq 的大小为 0 17ps。结果表明 ,本实验所用的调制掺杂Al0 .2 2 Ga0 .78N/GaN异质结构具有较大的有效g因子g 。用高 2DEG浓度导致的交换相互作用加强解释了g 增强效应。在磁阻测量中改变磁场方向 ,自旋分裂现象表现出各向异性。用异质结构界面处强的极化电场解释了自旋分裂的各向异性。

N-(1-萘基)-琥珀酰亚胺化合物晶体结构的理论预测

用MaterialsStudio软件对N-(1-萘基)-琥珀酰亚胺多晶粉末的X射线衍射数据进行衍射峰指标化、晶胞参数优化和空间群搜索等理论计算,可以确定晶体结构所属的晶系和空间群,并初步给出和多晶粉末衍射数据相近的晶胞参数;在已确定空间群范围内,以密度泛函理论计算得到的最低能量构象作为初始分子结构,对N-(1-萘基)-琥珀酰亚胺多晶进行晶体结构理论预测,给出一系列假定的晶胞参数,从中可以找到和经上述计算给出的晶胞参数一致的晶体结构;对其进行晶胞参数优化后,得到晶体结构具有和多晶粉末X射线衍射数据相近的衍射曲线,并与已有的单晶数据相吻合.

激光对PV型Hg_(1-x)Cd_xTe探测器的损伤效应

研究了较大功率激光辐照对 PV 型 Hg_(1-x)Cd_xTe 探测器的损伤效应.测量了损伤前后探测器的饱和信号输出,得出了 pn 结退化造成其性能下降的结论.根据 pn 结的并联电阻模型解释了损伤后探测器对背景辐射的响应率下降现象以及损伤前后激光辐照下饱和开路电压几乎相等的现象.研究了其 pn 结退化造成的探测器响应率、探测率等性能参数的变化,以及由于 Hg 原子的逃逸和扩散给器件性能带来的影响.

基态XO^(n+)(X=Ru,Rh,Pd;n=0,1)的势能函数和第一垂直电离势

运用原子分子反应静力学原理推导出XOn+(X=Ru,Rh,Pd;n=0,1)的基态电子状态及离解极限.运用密度泛函的B3P86方法和LANL2DZ赝势基组及aug-cc-pVTZ全电子基组,对XOn+(X=Ru,Rh,Pd;n=0,1)体系进行计算,获得了这些分子及其离子基态的Murrell-Sorbie解析势能函数.同时计算了XOn+(X=Ru,Rh,Pd;n=0,1)的光谱数据,计算了XO(X=Ru,Rh,Pd)中性分子的第一垂直电离势.

Ce_(x)Zr_(1-x)O_(2)/Co/C-N催化CO_(2)加氢性能研究

将不同比例的铈锆前驱体负载到ZIF-67,氮气气氛焙烧制备Ce_(x)Zr_(1-x)O_(2)/Co/C-N催化剂,对催化剂进行了XRD、H_(2)-TPR、XPS表征,并在固定床反应器评价其CO_(2)加氢制甲醇性能.XRD结果表明,在铈中加入适量锆形成铈锆固溶体,铈锆固溶体与钴物种较强的相互作用力可以阻止表面金属Co的氧化.但过量加入的锆又会削弱这一作用力,部分金属Co被氧化为Co_(3)O_(4).H_(2)-TPR结果表明适量的锆的加入改善催化剂的还原性能,催化剂还原温度降低.XPS证实了25%Ce_(0.67)Zr_(0.33)O_(2)/Co/C-N催化剂中含有更多的氧空穴及氮含量,氧空穴和碱性氮都有利于CO_(2)的解离吸附.优化后的25%Ce_(0.67)Zr_(0.33)O_(2)/Co/C-N催化剂在225℃,2 MPa,GHSV=6 L·g^(-1)_(cat)·h^(-1)反应条件下取得最高甲醇时空收率,为3.0 mmol·g^(-1)_(cat)·h^(-1).