YAG晶体位错密度分布及蚀坑形貌

YAG晶体在光电子领域有着重要的应用,晶体生长的缺陷控制是需要解决的瓶颈问题。本工作研究了缩颈和无缩颈提拉法生长的YAG晶体的位错形貌及密度分布,通过对YAG晶体进行抛光、浓磷酸位错腐蚀和金相显微镜分析研究,发现YAG晶体的头部位错密度最大,等径处的位错密度最小,延伸至收尾处位错密度略升高,缩颈结束收细直径的地方位错密度显著降低;分析了不同晶向的YAG位错腐蚀坑形貌,由表面模型计算了YAG各晶面的表面能,结果表明:YAG晶体位错蚀坑相对稳定的外露面为(110)和(112)面。通过极射投影图进一步说明了(110)和(112)面的稳定性及其与晶面的位置关系是决定位错腐蚀坑形貌的重要原因。