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经济型ZAO薄膜制备及其近红外光电性能
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作者 王伟 徐俊 +2 位作者 章彬 郑文兴 倪帅 《中国新技术新产品》 2024年第14期24-26,共3页
本文采用射频磁控溅射技术制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜态透明电极,并配合WO_(3)电致变色薄膜、固态Li^(+)聚合物电解质和TiO_(2)对电极薄膜,封装成一种经济型电致变色器件。采用XRD、AFM、分光光度计和四探针测试仪表征ZAO薄膜的结构、形貌... 本文采用射频磁控溅射技术制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜态透明电极,并配合WO_(3)电致变色薄膜、固态Li^(+)聚合物电解质和TiO_(2)对电极薄膜,封装成一种经济型电致变色器件。采用XRD、AFM、分光光度计和四探针测试仪表征ZAO薄膜的结构、形貌和光电性能,并采用直流稳压电源、分光光度计测试电致变色器件的变色性能。结果表明,所制ZAO薄膜沿(002)晶面择优取向,表面组织致密,当气压为1.0 Pa时,薄膜光电性能最佳,以此为透明导电层的电致变色器件可以循环着/褪色,近红外区的调制幅度大于可见光区,适用于节能窗。 展开更多
关键词 zao 透明导电薄膜 电致变色器件 经济型 近红外
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Effect of Suan Zao Ren (Semen Ziziphi Spinosae) Extract on the TXNIP/NLRP3 Pathway in Insomniac Rats
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作者 Zijing Xu Wei Xiong +2 位作者 Qian Wang Shuyu Li Dexian Jia 《Chinese Medicine and Natural Products》 CAS 2024年第3期126-135,共10页
Objectives This study aimed to investigate the therapeutic effects of Suan Zao Ren(Semen Ziziphi Spinosae,SZS)extract on insomnia induced by p-chlorophenylalanine(PCPA)in rats and its influence on the thioredoxin-inte... Objectives This study aimed to investigate the therapeutic effects of Suan Zao Ren(Semen Ziziphi Spinosae,SZS)extract on insomnia induced by p-chlorophenylalanine(PCPA)in rats and its influence on the thioredoxin-interacting protein(TXNIP)/nucleotide-binding domain Leucine-rich repeat and pyrin domain-containing receptor 3(NLRP3)inflammasome pathway,and to preliminarily explore themechanism by which SZS extract improves insomnia.Methods Fifty male Sprague–Dawley(SD)rats were used,with 8 rats in the blank group and 42 rats in the modeling group.The modeling group was induced by intraperitoneal injection of PCPA at a dose of 500mg·kg^(-1) for six consecutive days,with daily cage exchange.After 6 days,40 successfully modeled rats were randomly divided into five groups:themodel group(equal volume of distilled water),the positive group(0.75 mg·kg^(-1)),and low-,medium-,and high-dose SZS extract groups(1.5,3,and 6 g·kg^(-1),respectively),with 8 rats in each group.Treatments were administered for seven consecutive days.Enzyme-linked immunosorbent assay was used to measure levels of 5-hydroxytryptamine(5-HT)and gamma-aminobutyric acid(GABA)in the rat cerebral cortex.The thiobarbituric acid(TBA)method was used to determine malondialdehyde(MDA)levels,and the hydroxylamine method was used to determine superoxide dismutase(SOD)levels.The 2,2′-azino-bis(3-ethylbenzthiazoline-6-sulfonic acid)method was used to measure total antioxidant capacity(TAOC)in the cerebral cortex.Pathological changes in the cerebral cortex were observed,and Western blot was used to detect the protein expressions of TXNIP,NLRP3,apoptosis-associated speck-like protein containing a Caspase activation and recruitment domain(CARD),and cysteine–aspartate-specific protease 1(Caspase-1)in the cerebral cortex.Results Compared with the blank group,the model group showed a significantly prolonged sleep latency(p<0.001)and a significantly shortened sleep duration(p<0.001).There were no changes in serum MDA and SOD levels.MDA levels in the cerebral cortex were significantly increased(p<0.001),while SOD and TAOC levels were significantly decreased(p<0.001).The 5-HT level was increased(p<0.05),and the GABA level was significantly decreased(p<0.001).SZS extract improved these conditions to varying degrees.Light microscopy showed no significant changes in cortical neurons but transmission electron microscopy revealed intact mitochondrial structures in the blank group,while the model group showed swollen and unclear mitochondria with reduced organelles.After 7 days of treatment,these conditions improved in the SZS extract groups.Compared with the blank group,the expressions of the four proteins in the model group were increased,and the expressions of these proteins were decreased in the SZS extract groups compared with the model group.Conclusion SZS extract may exert an antioxidant effect to treat insomnia by downregulating the expression of TXNIP/NLRP3 proteins and regulating oxidative stress levels in the cerebral cortex. 展开更多
关键词 INSOMNIA Suan zao Ren TXNIP/NLRP3 oxidative stress sedative and hypnotic
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黄芪-莪术-重楼配伍激活PERK/eIF2α/ATF4信号通路介导抑制结直肠癌生长转移作用研究
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作者 张慧兰 郭文晖 +6 位作者 苏婷婷 陈思 余倩慧 殷启航 万林鹭 王旭 唐德才 《南京中医药大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期240-248,共9页
目的探讨黄芪-莪术-重楼(芪-术-蚤)配伍通过激活PERK/eIF2α/ATF4信号通路介导内质网应激(ER stress)抗结直肠癌生长、转移相关作用。方法BALB/c雄性小鼠30只随机分为假手术组、模型组、5-氟尿嘧啶(5-FU)组(25 mg·kg^(-1))、芪-术... 目的探讨黄芪-莪术-重楼(芪-术-蚤)配伍通过激活PERK/eIF2α/ATF4信号通路介导内质网应激(ER stress)抗结直肠癌生长、转移相关作用。方法BALB/c雄性小鼠30只随机分为假手术组、模型组、5-氟尿嘧啶(5-FU)组(25 mg·kg^(-1))、芪-术-蚤高剂量组(5.85 g·kg^(-1))、芪-术-蚤低剂量组(2.925 g·kg^(-1)),每组6只,构建结直肠癌原位移植瘤小鼠模型,给药15 d后,通过肿瘤体积大小变化评估芪-术-蚤配伍对肿瘤生长的干预效果;通过HE染色评估芪-术-蚤角药配伍干预后小鼠肝脏组织、肿瘤组织变化情况。采用ELISA法检测丙二醛(MDA)、超氧化物歧化酶(SOD)、谷胱甘肽过氧化物酶(GSH-Px)水平变化;Western blot检测PERK/eIF2α/ATF4信号通路和上皮细胞-间充质转化(EMT)相关蛋白表达。结果与模型组相比,芪-术-蚤高剂量组肿瘤体积明显减小(P<0.0001)、肝脾转移灶较不明显,肝组织和肿瘤组织病理染色结果产生变化,下调氧化应激相关指标GSH-Px、SOD水平,上调MDA水平,上调ER stress相关蛋白磷酸化蛋白激酶R样内质网激酶(p-PERK)、磷酸化真核启动因子2α(p-eIF2α)、转录激活因子4(ATF4)等的表达,上调上皮型钙黏蛋白(E-cadherin)、下调神经型钙黏蛋白(N-cadherin)、波形蛋白(Vimentin)、锌指转录因子(Snail)的蛋白表达水平,抑制EMT过程。结论芪-术-蚤角药配伍可能通过激活PERK/eIF2α/ATF4通路诱导持续的ER stress,影响结直肠癌EMT过程,从而抑制结直肠癌的生长转移。 展开更多
关键词 芪-术-蚤 角药 内质网应激 上皮细胞-间充质转化 结直肠癌
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《打枣谱》若干问题考论
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作者 张艳 《农业考古》 北大核心 2024年第4期180-188,共9页
陶宗仪编纂、陶珽续编的《说郛》120卷本中的《打枣谱》1卷,汇集枣名70多种,作者署名为元代柳贯。经考证,文中出现赤斤蒙古卫、哈密等明代地名,作者为元代柳贯之说值得存疑;所收枣品种数量应为64种,而非目前流传的75种说、73种说、72种... 陶宗仪编纂、陶珽续编的《说郛》120卷本中的《打枣谱》1卷,汇集枣名70多种,作者署名为元代柳贯。经考证,文中出现赤斤蒙古卫、哈密等明代地名,作者为元代柳贯之说值得存疑;所收枣品种数量应为64种,而非目前流传的75种说、73种说、72种说和37种说;《打枣谱》首次出现的枣名应为10种,而非《中国果树志》(枣卷)统计的42种。《打枣谱》涉及笔记文献几十种,广泛汇集各类枣名,堪称我国第一部有关枣的“专著”,其补阙之功及文献价值不应被忽略。 展开更多
关键词 《打枣谱》 作者署名 品种数量 枣名来源 首次辑录
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透明导电膜ZnO:Al(ZAO)的组织结构与特性  被引量:28
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作者 孙超 陈猛 +3 位作者 裴志亮 曹鸿涛 黄荣芳 闻立时 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期113-120,共8页
ZnO:Al(ZAO)是一种简并半导体氧化物薄膜材料,具有高的载流子浓度和大的光学禁带宽 度,因而具有优异的电学和光学性能,极具应用价值.对于其能级高度简并的ZAO半导体薄膜材料,在 较低的温度下,离化杂质散射占主导地... ZnO:Al(ZAO)是一种简并半导体氧化物薄膜材料,具有高的载流子浓度和大的光学禁带宽 度,因而具有优异的电学和光学性能,极具应用价值.对于其能级高度简并的ZAO半导体薄膜材料,在 较低的温度下,离化杂质散射占主导地位;在较高的温度下,晶格振动散射将成为主要的散射机制;晶界散 射仅当晶粒尺寸较小(与电子的平均自由程相当)时才起作用, 本文介绍了ZAO薄膜的制备方法、晶体 结构特性。 展开更多
关键词 组织结构 透明导电氧化物 简并半导体 zao薄膜 散射机制 光学性质 氧化锌 氧化铝 电学性质
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ZnO:Al(ZAO)薄膜的制备与特性研究 被引量:20
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作者 裴志亮 张小波 +3 位作者 王铁钢 宫骏 孙超 闻立时 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期84-88,共5页
采用磁控溅射技术制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜.研究了不同的工艺参数对薄膜的组织结构和光电特性的影响.实验结果表明,多晶ZAO薄膜具有(001)择优取向且呈柱状生长,能量机制决定其微观生长状态.讨论了薄膜的内应力,高的沉积温度和低的溅射功... 采用磁控溅射技术制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜.研究了不同的工艺参数对薄膜的组织结构和光电特性的影响.实验结果表明,多晶ZAO薄膜具有(001)择优取向且呈柱状生长,能量机制决定其微观生长状态.讨论了薄膜的内应力,高的沉积温度和低的溅射功率可有效减小薄膜的内应力.优化的ZAO薄膜电阻率和在可见光区的平均透射率可分别达到3×10-4-4×10-4Ω·cm和80%以上. 展开更多
关键词 直流反应磁控溅射 zao薄膜 生长机制 光电特性
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工作气压对磁控溅射ZAO薄膜性能的影响 被引量:21
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作者 付恩刚 庄大明 +2 位作者 张弓 杨伟方 赵明 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期543-545,共3页
 工作气压在ZnO∶Al(ZAO)薄膜制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能。本文利用中频交流磁控溅射方法,采用氧化锌铝(ZnO与Al2O3的质量比为98∶2)陶瓷靶材,在基体温度为250℃,工作气压范围为0.2~8.0Pa条件下,制备了ZAO...  工作气压在ZnO∶Al(ZAO)薄膜制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能。本文利用中频交流磁控溅射方法,采用氧化锌铝(ZnO与Al2O3的质量比为98∶2)陶瓷靶材,在基体温度为250℃,工作气压范围为0.2~8.0Pa条件下,制备了ZAO薄膜。利用X射线衍射仪和原子力显微镜对薄膜的结构和形貌进行了分析和观察,利用分光光度计和霍尔测试仪测量了薄膜的光学和电学性能,研究了制备薄膜时不同的工作气压(氩气压力PAr)对薄膜的结构、形貌、光学性能和电学性能的影响。结果表明:随着工作气压的增加,薄膜的电阻率先略有下降然后上升,相应地,载流子浓度和迁移率先略有上升然后下降,而可见光谱平均透过率保持在80%以上。当基体温度为250℃,氩气压力为0.8Pa时,薄膜的电阻率最低,为4.6×10-4Ω·cm,方块电阻为32Ω时,在范围为490~600nm的可见光谱内的平均透过率可达90.0%。 展开更多
关键词 zao薄膜 性能 磁控溅射 工作气压 工艺参数 电阻率 透过率
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Al掺杂含量对纳米ZAO粉体性能的影响 被引量:14
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作者 娄霞 朱冬梅 +2 位作者 张玲 罗发 周万城 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期667-669,共3页
以硝酸锌、硝酸铝和尿素为原料,采用均匀沉淀法合成了不同掺杂量的掺铝氧化锌(ZAO)前驱体,在400℃煅烧获得粒径均匀的纳米ZAO粉体。经X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析表明,Al^3+取代了Zn^2+的位置,形成Al/ZnO固... 以硝酸锌、硝酸铝和尿素为原料,采用均匀沉淀法合成了不同掺杂量的掺铝氧化锌(ZAO)前驱体,在400℃煅烧获得粒径均匀的纳米ZAO粉体。经X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析表明,Al^3+取代了Zn^2+的位置,形成Al/ZnO固溶体,保持了ZnO的结构,实验最终产物为六方晶系纤锌矿结构的纳米ZAO粉体,形状为球状或类球状。对所得产物在8.2~12.4GHz频率范围内进行了介电常数的测试。结果表明,随着Al元素掺杂量的增加,ZAO粉体复介电常数的实部和损耗逐步增大,但是当Al掺杂浓度〉11%(原子分数)时,ZAO粉体中出现了铝酸锌(ZnAl2O4),Al不再起掺杂作用,复介电常数的实部和损耗不再增加。 展开更多
关键词 zao粉体 均匀沉淀法 微波介电性能
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电子束蒸发沉积ZAO薄膜正交试验 被引量:9
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作者 郭爱云 薛亦渝 +2 位作者 夏志林 朱选敏 葛春桥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期56-59,共4页
采用电子束真空蒸发沉积薄膜的方法(EBED)制备了ZnO:A1(ZAO)透明导电薄膜。用正交试验法设计试验,并分析了制备ZAO薄膜的主要影响因素(沉积厚度、沉积速率、基片温度)对薄膜性能(透射率、电阻率)的作用。试验结果表明:采用EBED法沉积制... 采用电子束真空蒸发沉积薄膜的方法(EBED)制备了ZnO:A1(ZAO)透明导电薄膜。用正交试验法设计试验,并分析了制备ZAO薄膜的主要影响因素(沉积厚度、沉积速率、基片温度)对薄膜性能(透射率、电阻率)的作用。试验结果表明:采用EBED法沉积制备ZAO薄膜时,沉积速率控制为1nm/s、沉积厚度为800nm、基片温度为250℃,镀膜系统工作稳定,沉积薄膜的性能较好。 展开更多
关键词 zao薄膜 电子束蒸发沉积 正交试验
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ZAO薄膜的溶胶-凝胶法制备及性能研究 被引量:9
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作者 任明放 徐模辉 +1 位作者 王华 许积文 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期80-82,90,共4页
以普通玻璃载玻片为衬底,采用溶胶-凝胶工艺成功地制备出沿(002)晶面择优取向生长的ZAO薄膜。用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和四探针电阻测试仪进行了结构和性能分析,研究了掺Al3+浓度、镀膜层数和退火温度对ZAO薄膜的晶体结构、... 以普通玻璃载玻片为衬底,采用溶胶-凝胶工艺成功地制备出沿(002)晶面择优取向生长的ZAO薄膜。用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和四探针电阻测试仪进行了结构和性能分析,研究了掺Al3+浓度、镀膜层数和退火温度对ZAO薄膜的晶体结构、形貌及光电性能的影响。当掺杂浓度为1%(原子分数)、镀膜层数为12层、在氩气气氛下经过600℃退火时,得到电阻率为1.37×10-2Ω.cm、可见光范围内平均透射率超过90%的ZAO薄膜。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 zao薄膜 光电性能 微观结构
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溶胶-凝胶法制备ZAO薄膜研究 被引量:9
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作者 陈黄鹂 罗发 +2 位作者 周万城 朱冬梅 吴红焕 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期889-891,共3页
研究了用溶胶-凝胶法制备ZAO薄膜的工艺、掺杂及其显微结构。用六水合氯化铝在溶胶中引入Al2O3。掺杂Al的含量为1%,3%,6%和9%。用浸涂法在石英玻璃基片上浸涂ZnAO薄膜,研究了热处理、掺杂对ZAO薄膜相组成和显微结构的影响。X射线衍射结... 研究了用溶胶-凝胶法制备ZAO薄膜的工艺、掺杂及其显微结构。用六水合氯化铝在溶胶中引入Al2O3。掺杂Al的含量为1%,3%,6%和9%。用浸涂法在石英玻璃基片上浸涂ZnAO薄膜,研究了热处理、掺杂对ZAO薄膜相组成和显微结构的影响。X射线衍射结果表明,衍射图谱中无Al2O3的衍射峰。随着掺杂量的变化,ZnO主要衍射峰的位置、晶面间距均发生了有规律的变化,说明Al掺杂进了ZnO晶格中。研究结果表明,溶胶浓度、Al掺杂量、热处理温度都影响薄膜的显微结构。当薄膜厚度较大时,热处理过程中ZnO晶粒呈现明显的择优生长现象。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 Al^3+掺杂 zao薄膜
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ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响 被引量:5
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作者 陆峰 徐成海 +1 位作者 孙超 闻立时 《东北大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期54-57,共4页
主要对直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜中Al元素的相对含量进行了分析,对其作了EDS,XRD测试,并研究了Al质量分数与ZAO薄膜的光、电性能的关系·得出ZAO薄膜中成分是均匀的,具有ZnO晶体结构;Al元素的掺杂没有形成新的化合物(Al2O3... 主要对直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜中Al元素的相对含量进行了分析,对其作了EDS,XRD测试,并研究了Al质量分数与ZAO薄膜的光、电性能的关系·得出ZAO薄膜中成分是均匀的,具有ZnO晶体结构;Al元素的掺杂没有形成新的化合物(Al2O3),Al对Zn的掺杂替换是提高ZAO薄膜导电性能的关键因素,对薄膜在可见光区的透射性影响不大·制备的薄膜最低电阻率为4 5×10-4Ω·cm,可见光透射率达到80%以上· 展开更多
关键词 透明导电纳米薄膜 AL元素 zao薄膜 Al质量分数 EDS XRD 电阻率 透射率 氧化锌薄膜 光性能 电性能 铝元素
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透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜的结构及光电特性研究 被引量:14
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作者 黄佳木 董建华 张新元 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期845-850,共6页
ZAO薄膜是一种n型氧化物半导体材料,由于其大的载流子浓度和光学禁带宽度而表现出优良的光电特性。本实验采用射频磁控溅射工艺在无机玻璃衬底上制备ZAO薄膜,靶材为ZAO(3wt%Al2O3)陶瓷靶。系统研究了各工艺参数,如工作气压、射频功率、... ZAO薄膜是一种n型氧化物半导体材料,由于其大的载流子浓度和光学禁带宽度而表现出优良的光电特性。本实验采用射频磁控溅射工艺在无机玻璃衬底上制备ZAO薄膜,靶材为ZAO(3wt%Al2O3)陶瓷靶。系统研究了各工艺参数,如工作气压、射频功率、衬底温度和热处理条件对其结构和光电特性的影响。X射线衍射谱表明ZAO薄膜的(002)衍射峰的位置与纯ZnO晶体相比向低角度方向移动,薄膜中各晶粒具有六角纤锌矿晶体结构且呈c轴择优取向。原位制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率降至7 5×10-4Ω·cm,可见光透过率在85%以上。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 zao薄膜 结构 光电特性
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制备工艺对锌铝氧化物(ZAO)粉末红外发射率的影响 被引量:6
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作者 武晓威 冯玉杰 +1 位作者 刘延坤 韦韩 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期279-283,共5页
采用液相共沉淀法制备了ZAO掺杂半导体粉末材料,系统研究了制备工艺对ZAO粉末红外发射率的影响.借助于TG-DTA、XRD、SEM对材料的热处理温度,晶体结构及表面形貌进行了考察,利用IR-2双波段发射率测量仪对ZAO粉末材料的红外发射率进行了测... 采用液相共沉淀法制备了ZAO掺杂半导体粉末材料,系统研究了制备工艺对ZAO粉末红外发射率的影响.借助于TG-DTA、XRD、SEM对材料的热处理温度,晶体结构及表面形貌进行了考察,利用IR-2双波段发射率测量仪对ZAO粉末材料的红外发射率进行了测试.研究结果表明:当反应物终点pH值为8.5、反应时间为2.5h、煅烧温度为800℃,煅烧时间为2h、Al2O3的掺杂量为3%时所得的ZAO粉末的红外发射率最低;ZAO掺杂半导体粉末的晶体结构为ZnO的铅锌矿结构;粒子形状近似为椭圆形,平均粒径为5~10μm;在中红外(3~5μm)和远红外(8~14μm)波段均具有较低的红外发射率. 展开更多
关键词 红外隐身 半导体材料 锌铝氧化物(zao) 红外发射率
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ZAO陶瓷烧结模型的研究 被引量:15
15
作者 赵大庆 范锦鹏 +1 位作者 吴敏生 董民超 《粉末冶金技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期267-270,共4页
研究了ZAO靶材和纯ZnO的烧结过程 ,指出了两者在显微结构上的差别 ,并在此基础上 ,提出了两相粉体烧结模型。运用本模型 ,成功的解释了ZAO的显微结构形成的烧结机理。
关键词 zao陶瓷 烧结模型 烧结机理
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基于磁控溅射技术的ZAO透明导电薄膜及靶材的研究 被引量:12
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作者 肖华 王华 任鸣放 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期158-164,共7页
阐述用磁控溅射技术制备综合性能优良的ZAO透明导电薄膜及其靶材的发展现状和趋势。介绍了透明导电薄膜的基本性能及其存在的问题,进而重点阐述了ZAO薄膜的组织结构、导电机制和透光特性。由于其优良的光电特性(用掺杂Al2O3质量分数达3... 阐述用磁控溅射技术制备综合性能优良的ZAO透明导电薄膜及其靶材的发展现状和趋势。介绍了透明导电薄膜的基本性能及其存在的问题,进而重点阐述了ZAO薄膜的组织结构、导电机制和透光特性。由于其优良的光电特性(用掺杂Al2O3质量分数达3%的溅射靶材可制备电阻率达4.7×10-4Ω·cm、透射率超过90%的ZAO薄膜)而具有广泛的应用前景。并针对靶材的制备和利用磁控溅射技术制备ZAO透明导电薄膜过程中存在的问题及发展方向进行了分析讨论。 展开更多
关键词 磁控溅射 zao透明导电薄膜 溅射靶材 光电特性
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中频交流磁控溅射制备氧化锌铝(ZAO)薄膜的研究 被引量:4
17
作者 刘江 庄大明 +2 位作者 张弓 李春雷 段宇波 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期15-18,23,共5页
利用两种中频交流磁控溅射电源,溅射Al2O3含量为2%的两块氧化锌铝陶瓷靶材,在不同衬底温度的条件下制备得到了ZAO薄膜。研究了不同衬底温度条件下不同靶材和溅射电源对ZAO薄膜结构、电学和光学性能的影响。结果表明,制备得到的ZAO薄膜... 利用两种中频交流磁控溅射电源,溅射Al2O3含量为2%的两块氧化锌铝陶瓷靶材,在不同衬底温度的条件下制备得到了ZAO薄膜。研究了不同衬底温度条件下不同靶材和溅射电源对ZAO薄膜结构、电学和光学性能的影响。结果表明,制备得到的ZAO薄膜均具有c轴择优取向生长的晶体结构,在衬底温度为240℃时,得到的ZAO薄膜的电阻率低至1.4×10-3Ω·cm,可见光平均透过率在82%以上。 展开更多
关键词 zao薄膜 磁控溅射 电阻率 透过率
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用纳米Al_2O_3制备超高致密度ZAO靶材 被引量:8
18
作者 范锦鹏 赵大庆 +1 位作者 吴敏生 董民超 《粉末冶金技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期44-47,共4页
将ZAO原料粉体中的Al2 O3 粒子的粒径降低到纳米级别后 ,通过无压烧结即可获得超高致密度的ZAO陶瓷靶材 (相对密度高于 99 0 % )。致密度大大提高的原因在于 ,Al2 O3 粒子粒径降到纳米级后 ,比表面积和粒子数目都大大增加 ,从而实现坯... 将ZAO原料粉体中的Al2 O3 粒子的粒径降低到纳米级别后 ,通过无压烧结即可获得超高致密度的ZAO陶瓷靶材 (相对密度高于 99 0 % )。致密度大大提高的原因在于 ,Al2 O3 粒子粒径降到纳米级后 ,比表面积和粒子数目都大大增加 ,从而实现坯体同步均匀的烧结 ,避免了大气孔的产生。 展开更多
关键词 纳米级 致密度 无压烧结 粒径 纳米AL2O3 靶材 制备 气孔 粒子 比表面积
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高导电性ZAO陶瓷靶材及薄膜的制备 被引量:13
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作者 龙涛 朱德贵 王良辉 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期31-34,共4页
用热等静压法烧结制备了高导电性ZAO(铝掺杂氧化锌)陶瓷靶材,并用直流磁控溅射法制备出ZAO透明导电薄膜。靶材的致密度达98.7%,电阻率为2.2?03·cm;制得薄膜的最低电阻率为9.3?04·cm,可见光平均透射率大于85%。浅析了靶材的组... 用热等静压法烧结制备了高导电性ZAO(铝掺杂氧化锌)陶瓷靶材,并用直流磁控溅射法制备出ZAO透明导电薄膜。靶材的致密度达98.7%,电阻率为2.2?03·cm;制得薄膜的最低电阻率为9.3?04·cm,可见光平均透射率大于85%。浅析了靶材的组织结构及靶材的电学、力学性能和薄膜制备的主要实验参数对其光、电性能的影响。 展开更多
关键词 陶瓷靶材 zao透明导电薄膜 热等静压 直流磁控溅射
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纳米掺铝氧化锌(ZAO)粉体的制备研究进展 被引量:4
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作者 肖素萍 陈林 +3 位作者 王献忠 文忠和 向芸 张西玲 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期39-41,49,共4页
掺铝氧化锌(ZAO)是一种具有广阔的应用前景和发展潜力的复合氧化物半导体。综述了化学沉淀法、溶胶-凝胶法、水热法、沸腾回流法和络盐法等ZAO纳米粉体常用的制备方法,并对其进行了比较评价。
关键词 掺铝氧化锌(zao) 纳米 制备 进展
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