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Novel Syntheses of Aryl and Benzyl Selenides Promted by Metallic Zinc in Aqueous Media
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作者 WU Jianyi LU Genliang +1 位作者 MA Zhixian CHEN Jian 《Chemical Research in Chinese Universities》 SCIE CAS CSCD 2000年第2期182-184,共3页
关键词 Unsymmetrical selenide zinc Aryl selenides Benzyl seleniders
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CdTe/ZnSe核壳量子点免疫层析试纸条检测克伦特罗的研究 被引量:32
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作者 胡华军 付涛 +3 位作者 张明洲 洪治 陈宗伦 刘军 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1727-173l,共5页
采用巯基丁二酸作为表面修饰剂,水相法合成水溶性的CdTe/ZnSe核壳量子点,然后在N-羟基琥珀酰亚胺(NHS)的作用下,将CdTe/ZnSe核壳量子点与抗克伦特罗多克隆抗体(Anti-CLE pAb)连接。通过凝胶电泳和斑点杂交实验,验证CdTe/ZnSe核壳量子点... 采用巯基丁二酸作为表面修饰剂,水相法合成水溶性的CdTe/ZnSe核壳量子点,然后在N-羟基琥珀酰亚胺(NHS)的作用下,将CdTe/ZnSe核壳量子点与抗克伦特罗多克隆抗体(Anti-CLE pAb)连接。通过凝胶电泳和斑点杂交实验,验证CdTe/ZnSe核壳量子点与Anti-CLE pAb连接成功,并且CdTe/ZnSe-Anti-CLE pAb偶联物能识别克伦特罗-BSA抗原(CLE-BSA)。光谱分析表明,量子点与抗体连接后荧光增强,荧光峰位从628nm红移至635nm。将合成的CdTe/ZnSe-Anti-CLE pAb偶联物作为指示克伦特罗(CLE)分子的荧光标记物,制备出一种用于检测CLE的免疫层析试纸条,其最低检测量可达1μg/L。与ELISA法的对比实验表明,此试纸条能应用于CLE残留的快速检测。 展开更多
关键词 核壳 量子点 免疫层析试纸条 试纸条检测 克伦特罗 Rapid Detection Quantum 偶联物 pAb 荧光标记物 水相法合成 琥珀酰亚胺 多克隆抗体 表面修饰剂 荧光增强 对比实验 凝胶电泳 快速检测 斑点杂交 ELISA法
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激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法分析Cr∶ZnSe晶体中掺杂元素Cr的含量和分布 被引量:7
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作者 朱燕 陈敏 +5 位作者 屈海云 周慧 李青 邹慧君 陈奕睿 汪正 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期151-154,共4页
采用激光剥蚀电感耦合等离子体质谱(LA-ICP-MS)法研究激光晶体材料Cr∶Zn Se晶体中掺杂元素铬(Cr)的含量和分布。利用镀膜扩散掺杂方法,制备不同掺杂浓度的Cr∶Zn Se晶体标准样品作为固体标准物质,实现Cr∶Zn Se晶体中Cr的定量分析。LA-... 采用激光剥蚀电感耦合等离子体质谱(LA-ICP-MS)法研究激光晶体材料Cr∶Zn Se晶体中掺杂元素铬(Cr)的含量和分布。利用镀膜扩散掺杂方法,制备不同掺杂浓度的Cr∶Zn Se晶体标准样品作为固体标准物质,实现Cr∶Zn Se晶体中Cr的定量分析。LA-ICP-MS法研究自制标准样品中Cr的分布均匀性,电感耦合等离子体光谱法测定其准确含量。通过激光点剥蚀和线扫描剥蚀采样,获得Cr元素的点位和含量分布信息,实现晶体中Cr的原位微区分析。标准工作曲线相关系数0.9992,检出限0.08 mg/kg。本方法可为不同生长条件下Cr∶Zn Se晶体中Cr的统计分布分析提供有效检测手段。 展开更多
关键词 激光剥蚀电感耦合等离子体质谱 Cr∶Zn Se晶体 掺杂
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Cr2+:ZnSe中红外激光晶体生长及光谱性能 被引量:3
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作者 刘长友 介万奇 +3 位作者 张滨滨 査钢强 王涛 谷智 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1382-1386,共5页
采用物理气相输运法(PVT),以Cr2+∶ZnSe多晶为原料,在源区温度约为1000℃、温差为6~7℃条件下生长2周,获得了体积约为0.7 cm3的Cr2+∶ZnSe晶体。紫外-可见-近红外透过光谱显示,Cr2+∶ZnSe样品在1770 nm左右出现了强吸收;Cr2+浓度在1019... 采用物理气相输运法(PVT),以Cr2+∶ZnSe多晶为原料,在源区温度约为1000℃、温差为6~7℃条件下生长2周,获得了体积约为0.7 cm3的Cr2+∶ZnSe晶体。紫外-可见-近红外透过光谱显示,Cr2+∶ZnSe样品在1770 nm左右出现了强吸收;Cr2+浓度在1019atoms/cm3数量级,与原料中Cr2+浓度基本一致,反映了较低温度PVT法生长有利于获得预期的Cr2+掺杂浓度。荧光测试结果表明,Cr2+∶ZnSe样品谱线对称性好,发射峰位约在2400 nm,线宽约600 nm;室温荧光寿命为5.52×10-6s。数据分析结果表明,Cr2+∶ZnSe样品的吸收截面和发射截面峰值分别为1.1×10-18 cm2和2.3×10-18 cm2。 展开更多
关键词 硒化锌 Cr2+掺杂 物理气相输运法
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ZnSe纳米材料及界面的制备与表征 被引量:1
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作者 金磊 王建波 +7 位作者 贾双凤 徐中领 严雪 邓量子 蔡瑶 卢萍 LEUNG Y P CHOY WC H 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期325-334,共10页
利用热蒸发法对ZnSe纳米材料的相控合成进行了研究,制备了多种具有稳定闪锌矿和亚稳纤锌矿结构的ZnSe纳米材料,如ZnSe纳米线、纳米圈、纳米轮及三晶纳米带。同时,在相控合成基础上,通过改变管式炉内反应压强获得了几种同质与异质界面。... 利用热蒸发法对ZnSe纳米材料的相控合成进行了研究,制备了多种具有稳定闪锌矿和亚稳纤锌矿结构的ZnSe纳米材料,如ZnSe纳米线、纳米圈、纳米轮及三晶纳米带。同时,在相控合成基础上,通过改变管式炉内反应压强获得了几种同质与异质界面。利用多种透射电子显微学手段对合成的ZnSe纳米材料及相关同质与异质界面进行了深入表征,并对ZnSe纳米材料的生长机理进行了探讨。 展开更多
关键词 硒化锌(znse) 透射电子显微学(TEM) 纳米材料 界面
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532nm激光辐照下ZnSe薄膜光学特性研究 被引量:4
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作者 王建 徐均琪 +2 位作者 李候俊 李绵 苏俊宏 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期929-935,共7页
采用电子束热蒸发技术制备了ZnSe薄膜,研究了532nm波长的不同能量(2.0mJ、2.5mJ、3.0mJ)、不同脉冲数(3、10、15)激光诱导前后,ZnSe薄膜的透射率、折射率、消光系数、损伤阈值(LIDT)的变迁。研究结果显示,在能量为2.0mJ激光辐照后,ZnSe... 采用电子束热蒸发技术制备了ZnSe薄膜,研究了532nm波长的不同能量(2.0mJ、2.5mJ、3.0mJ)、不同脉冲数(3、10、15)激光诱导前后,ZnSe薄膜的透射率、折射率、消光系数、损伤阈值(LIDT)的变迁。研究结果显示,在能量为2.0mJ激光辐照后,ZnSe薄膜折射率提高,透射率下降。相比较能量为2.5mJ、3.0mJ激光辐照,在能量为2.0mJ激光辐照后折射率提高最明显,由2.489 4提高到2.501 6。薄膜损伤阈值从0.99J/cm2提高到1.39J/cm2(10脉冲辐照);薄膜的损伤经过了无损伤到严重损伤突变的损伤演变过程。采用原子力显微镜对预处理后薄膜表面粗糙度进行检测,发现激光预处理后的薄膜表面粗糙度Ra有所下降,从0.563nm降低到0.490nm(15脉冲激光辐照)。 展开更多
关键词 硒化锌 预处理 透射率 折射率 消光系数 损伤阈值
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ZnSe多晶料的合成方法及其工艺研究 被引量:5
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作者 刘长友 介万奇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期18-21,26,共5页
简述了单晶生长用ZnSe多晶料的制备方法。分别以颗粒状和粉末状的高纯单质Zn和Se为原料,采用元素直接合成法合成了ZnSe多晶料,分析了直接合成的困难所在。理论分析和实验研究均表明:前期H2-O2焰下高温灼烧(~1500℃)使Zn和Se充分反应,... 简述了单晶生长用ZnSe多晶料的制备方法。分别以颗粒状和粉末状的高纯单质Zn和Se为原料,采用元素直接合成法合成了ZnSe多晶料,分析了直接合成的困难所在。理论分析和实验研究均表明:前期H2-O2焰下高温灼烧(~1500℃)使Zn和Se充分反应,是合成工艺的关键;延长后期恒温时间(不少于2周),使扩散反应进行完全,有利于获得更接近化学计量比的ZnSe多晶料。 展开更多
关键词 硒化锌 多晶 合成
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ZnSe单晶CVT法生长与系统优化 被引量:4
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作者 刘长友 介万奇 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期855-859,共5页
采用热力学数值计算的方法,分析了ZnSe-I_2、H_2、HCl和NH_4Cl化学气相输运系统的特性.对比计算结果表明,ZnSe-NH_4Cl系统具有压力高、输运反应焓变适中的特点.NH_3分解产生的H_2起着调节输运组分H_2Se分压的作用.以ZnSe-I_2输运系统中... 采用热力学数值计算的方法,分析了ZnSe-I_2、H_2、HCl和NH_4Cl化学气相输运系统的特性.对比计算结果表明,ZnSe-NH_4Cl系统具有压力高、输运反应焓变适中的特点.NH_3分解产生的H_2起着调节输运组分H_2Se分压的作用.以ZnSe-I_2输运系统中实际输运组分分压值为参考,确定了ZnSe-NH_4Cl系统中单晶生长工艺参数范围:温度在1000℃左右,NH_4Cl的浓度范围在0.5~1.0mg/mL之内.采用该工艺生长了尺寸约为8mm×6mm×4mm的ZnSe单晶,生长态(111)面摇摆曲线半峰宽为60.48″,蚀坑密度(EPD)为(4.5~5.0)×10~4/cm^2. 展开更多
关键词 硒化锌 气相输运反应 热力学分析
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室温反应合成ZnSe粉体工艺研究 被引量:1
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作者 刘长友 孙晓燕 +2 位作者 王涛 查钢强 介万奇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期10-13,共4页
室内自然环境下在三乙醇胺(Triethanolamine,TEA)中利用硼氢化钾(KBH4)固相还原单质硒(Se),获得了稳定的硒氢酸根离子(HSe-)。在TEA中通过HSe-与ZnSO4.7H2O反应制备了橙黄色中间体。有机元素分析、全谱直读等离子体发射光谱(ICP)分析、... 室内自然环境下在三乙醇胺(Triethanolamine,TEA)中利用硼氢化钾(KBH4)固相还原单质硒(Se),获得了稳定的硒氢酸根离子(HSe-)。在TEA中通过HSe-与ZnSO4.7H2O反应制备了橙黄色中间体。有机元素分析、全谱直读等离子体发射光谱(ICP)分析、红外光谱和紫外-可见光谱等测试结果表明,中间体由无机化合物组成。采用中间体分解、碱中和和二次还原工艺分别获得了初级、纯化和单相的ZnSe粉体。XRD和HRTEM测试结果表明,所制ZnSe粉体具有闪锌矿结构。室温荧光光谱测试结果显示样品在470nm和500nm具有强的荧光发射。 展开更多
关键词 硒化锌 室温反应 固相还原
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水溶性ZnSe量子点在快速灵敏检测牛分枝杆菌表面MPB83蛋白中的应用 被引量:1
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作者 阮晓娟 王蓓蓓 +2 位作者 马美湖 郭爱珍 蔡朝霞 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期643-647,共5页
本实验以巯基丙酸作为稳定剂,在水相条件下快速合成稳定性好的水溶性硒化锌量子点( ZnSe QDs),采用透射电子显微镜、X射线衍射、红外光谱、荧光以及紫外光谱法等对ZnSe QDs进行了材料表征。将得到的ZnSe QDs通过共价结合方式标记到牛... 本实验以巯基丙酸作为稳定剂,在水相条件下快速合成稳定性好的水溶性硒化锌量子点( ZnSe QDs),采用透射电子显微镜、X射线衍射、红外光谱、荧光以及紫外光谱法等对ZnSe QDs进行了材料表征。将得到的ZnSe QDs通过共价结合方式标记到牛分枝杆菌表面的MPB83蛋白抗体分子上,基于抗体与MPB83蛋白的特异性相互作用,建立了一种检测MPB83蛋白的光谱新方法。研究了pH值及温度对检测的影响,得到pH 8.5,37℃为适宜的体系酸度和温度。在优化的实验条件下,MPB83蛋白浓度在44~528 mg/L范围内,QDs的荧光强度与蛋白浓度间呈现良好的线性关系,此方法对MPB83蛋白的检出限为4.4 mg/L。该方法为实现准确而及时的诊断牛结核病提供一定理论依据。 展开更多
关键词 znse量子点 牛结核病 牛分枝杆菌 MPB83蛋白
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ZnSe多晶料的提纯与化学比的控制 被引量:1
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作者 刘长友 介万奇 何克 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1759-1761,1765,共4页
采用区域升华法对由两单质直接合成的ZnSe多晶原料进行了处理。电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)分析结果表明,区域升华法对高纯原料中杂质的去除率仅为10%左右。X射线衍射(XRD)和能谱分析(EDS)结果表明提纯后原料的化学比得到了有效调节... 采用区域升华法对由两单质直接合成的ZnSe多晶原料进行了处理。电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)分析结果表明,区域升华法对高纯原料中杂质的去除率仅为10%左右。X射线衍射(XRD)和能谱分析(EDS)结果表明提纯后原料的化学比得到了有效调节,其多晶化学比与单晶的化学比非常接近,适于单晶生长使用。采用区域升华法处理高纯多晶原料的主要目的应该放在去除过量元素和调节原料化学比上。 展开更多
关键词 硒化锌 多晶 提纯 非化学计量比
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热壁外延ZnSe单晶薄膜
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作者 杨玉琨 吴连民 +3 位作者 孟庆巨 王海峰 杨慧 孙明岩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第1期57-60,共4页
介绍了一种结构更加简单的热壁外延装置,以及用该装置在GaAs(100)面上生长ZnSe单晶外延层的工艺。扫描电镜和X射线衍射分析表明用该装置生长的ZnSe单晶外延层是比较理想的。
关键词 热壁外延 硒化锌 薄膜 单晶
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ZnSe多晶料预处理原理与方法 被引量:1
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作者 刘长友 介万奇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期7-10,共4页
以ZnSe多晶料的预处理为例,阐述了Ⅱ-Ⅵ族高熔点化合物的预处理方法与原理。生长单晶体,不仅仅要求原料有足够高的纯度,更为重要的是需要通过原料的预处理,获得具有合适化学比的高纯多晶原料。结合ZnSe材料的升华特性和杂质分布,对区域... 以ZnSe多晶料的预处理为例,阐述了Ⅱ-Ⅵ族高熔点化合物的预处理方法与原理。生长单晶体,不仅仅要求原料有足够高的纯度,更为重要的是需要通过原料的预处理,获得具有合适化学比的高纯多晶原料。结合ZnSe材料的升华特性和杂质分布,对区域升华法处理工艺参数进行了分析,确定了源区温度应略低于1100℃,而沉积温度应高于900℃。选择较窄的升华-沉积温度范围更有利于杂质的去除。沉积区的温度越接近单晶生长温度,就越容易获得化学比较为合适的原料多晶。 展开更多
关键词 硒化锌多晶提纯非化学计量比
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不同形貌低维纳米/微米CdSe/ZnSe的溶剂热法合成
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作者 杜芳林 王红妮 《功能材料》 CSCD 北大核心 2005年第z1期13-15,19,共4页
利用溶剂热法,通过添加不同种类的溶剂及改变反应温度、反应时间,成功合成了具有片状、棒状、球状、圆锥花序状等不同形貌的纳米/微米级硒化镉、硒化锌半导体材料。简单讨论了表面活性剂、反应温度及反应时间时产物形貌及尺寸的影响。... 利用溶剂热法,通过添加不同种类的溶剂及改变反应温度、反应时间,成功合成了具有片状、棒状、球状、圆锥花序状等不同形貌的纳米/微米级硒化镉、硒化锌半导体材料。简单讨论了表面活性剂、反应温度及反应时间时产物形貌及尺寸的影响。所得产物进行了扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜 (TEM)、能谱(EDS)、X射线衍射(XRD)等表征。 展开更多
关键词 溶剂热 合成 硒化镉 硒化锌 表征
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闪锌矿结构ZnSe的光电性质和有效质量研究
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作者 刘翠霞 坚增运 +1 位作者 王少刚 罗贤 《西安工业大学学报》 CAS 2019年第2期191-196,共6页
为了研究红外透光闪锌矿ZnSe晶体光学性质和电学性质的内在机理。通过第一性原理的密度泛函理论,借助超软平面波赝势,计算了ZnSe晶体的能带结构和态密度,分析了反射光谱、吸收光谱和介电常数。基于有效质量的近似理论,计算了价带顶端附... 为了研究红外透光闪锌矿ZnSe晶体光学性质和电学性质的内在机理。通过第一性原理的密度泛函理论,借助超软平面波赝势,计算了ZnSe晶体的能带结构和态密度,分析了反射光谱、吸收光谱和介电常数。基于有效质量的近似理论,计算了价带顶端附近电子的有效质量。研究结果表明:ZnSe晶体属于直接带隙半导体材料,反射峰的出现主要是因为Se原子的4p电子和Zn原子的3d态电子向导带跃迁,介电峰的分布与电子结构直接相关,介电峰主要是由于Zn的3d和Se的4p轨道价带向Zn的4s和Se的4s轨道导带的过渡。分析了价带顶端的电子有效质量,计算结果与文献资料基本一致,发现载流子的有效质量具有各向异性,k_a方向的电子和空穴的有效质量均较小。从而挖掘了ZnSe晶体的光电性质与有效质量的内在本质,这些分析结果对Ⅱ-Ⅵ族半导体光电子材料具有非常重要的参考价值。 展开更多
关键词 闪锌矿znse晶体 光学性质 电学性质 有效质量
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ZnSe微米晶的液相合成及表征
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作者 李莉 李天佑 《辽宁化工》 CAS 2011年第6期569-571,共3页
采用液相合成法,实现了多晶硒化锌微米空心球的低温合成。通过扫描电镜选观察到直径在1~4μm左右的ZnSe多晶微米空心球体。用XRD(X射线衍射)测定样品的成分,对样品纯度进行鉴定。用紫外可见光谱对实验样品分析,发现有明显蓝移现象。
关键词 硒化锌 微米晶 液相合成
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ZnSe/ZnS超晶格激子能级的计算及实验研究 被引量:2
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作者 刘玉东 申德振 +2 位作者 范希武 范广涵 李淳飞 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第2期95-100,共6页
从理论和实验上研究了ZnSe/ZnS超晶格的激子能级,采用LCAO理论和Kronig-Penney模型计算了超晶格中电子、空穴和激子能带随垒宽的变化,测量了垒宽为5.8nm超晶格的低温吸收光谱和发光光谱,实验结果与理论一致。
关键词 硒化锌 硫化锌 激光 能级 超晶格
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液-固-溶液法制备ZnSe∶Fe纳米晶及其光学性能研究 被引量:2
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作者 刘凌云 谢瑞士 +2 位作者 陈强 肖定全 朱建国 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期933-935,939,共4页
采用液-固-溶液(LSS)法制备了ZnSe∶Fe纳米晶,利用X射线粉末衍射(XRD)技术、透射电子显微镜(TEM)、光致发光(PL)谱、紫外-可见吸收(UV-Vis)光谱以及傅里叶变换红外(FT-IR)光谱对所制备样品的结构和光学性质进行了表征,研究了掺杂Fe离子... 采用液-固-溶液(LSS)法制备了ZnSe∶Fe纳米晶,利用X射线粉末衍射(XRD)技术、透射电子显微镜(TEM)、光致发光(PL)谱、紫外-可见吸收(UV-Vis)光谱以及傅里叶变换红外(FT-IR)光谱对所制备样品的结构和光学性质进行了表征,研究了掺杂Fe离子对ZnSe纳米晶光学性质的影响规律。实验结果表明所制备的ZnSe∶Fe纳米晶为立方闪锌矿结构,粒径在3.5~4.5nm之间,与纯ZnSe相比,ZnSe∶Fe纳米晶表现出明显的荧光增强现象,随掺杂Fe离子的浓度的不同,其荧光峰位和强度均有变化。UV-Vis吸收谱表明ZnSe∶Fe纳米晶在410nm附近出现吸收峰,与ZnSe体材料相比有明显蓝移,为量子尺寸效应所致。利用Tauc关系计算了ZnSe∶Fe纳米晶的能隙,为3.4eV。 展开更多
关键词 液-固-溶液(LSS)法 硒化锌 纳米晶 光学性能
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开放体系优化ZnSe多晶原料化学计量比 被引量:2
19
作者 余文涛 李焕勇 +1 位作者 介万奇 刘正堂 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期313-317,共5页
本文采用开放体系对两单质加反应促进剂I2合成的ZnSe多晶原料进行了提纯。以高纯氩气为保护气体,提纯温度分别为500℃、550℃和800℃。能谱分析(EDS)和热重图谱(TG)结果表明:800℃处理后的ZnSe多晶原料,其化学计量比与理想化学计量比非... 本文采用开放体系对两单质加反应促进剂I2合成的ZnSe多晶原料进行了提纯。以高纯氩气为保护气体,提纯温度分别为500℃、550℃和800℃。能谱分析(EDS)和热重图谱(TG)结果表明:800℃处理后的ZnSe多晶原料,其化学计量比与理想化学计量比非常接近,而且升华开始温度提高到了850℃以上。运用化学气相输运(CVT)法进行晶体生长结果进一步表明,以800℃处理后的ZnSe多晶为原料时,消除了单质Se在生长区沉积对晶体成核生长的影响,达到了CVT法晶体生长对原料的要求。此外,以混合气体(H210%+Ar 90%)作为保护气时,在同等条件下处理后的ZnSe多晶原料,其化学计量比更加接近理想化学计量比,较氩气保护下的处理效果要好。 展开更多
关键词 Ⅱ-Ⅵ族化合物 硒化锌 化学计量比 开放体系
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化学浴沉积ZnSe薄膜材料的结构和光学特性 被引量:1
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作者 刘洁青 姚朝晖 +3 位作者 徐锐 刘剑虹 赵兴玲 刘小娇 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期2953-2957,共5页
采用化学浴沉积(CBD)制备不同膜厚的Zn Se薄膜,用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析薄膜结构,结果显示薄膜为纳米晶立方相闪锌矿结构,平均晶粒尺寸约为200 nm,结构致密,(111)晶面择优取向。使用分光光度计测得薄膜透射谱与反射谱... 采用化学浴沉积(CBD)制备不同膜厚的Zn Se薄膜,用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析薄膜结构,结果显示薄膜为纳米晶立方相闪锌矿结构,平均晶粒尺寸约为200 nm,结构致密,(111)晶面择优取向。使用分光光度计测得薄膜透射谱与反射谱,计算和分析材料在可见光区域的吸收系数、消光系数、折射率、光学能隙。结果表明,薄膜透过率、反射率均随膜厚的增加而降低,薄膜在本征吸收区域吸收系数很大,且随波长的减小而增大。膜厚为150、400、630 nm材料对应的光学能隙值分别为3.16、3.14、3.07 e V。 展开更多
关键词 缓冲层 硒化锌 化学浴沉积 结构特性 光学特性
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