ZnSe多晶料的提纯与化学比的控制

采用区域升华法对由两单质直接合成的ZnSe多晶原料进行了处理。电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)分析结果表明,区域升华法对高纯原料中杂质的去除率仅为10%左右。X射线衍射(XRD)和能谱分析(EDS)结果表明提纯后原料的化学比得到了有效调节,其多晶化学比与单晶的化学比非常接近,适于单晶生长使用。采用区域升华法处理高纯多晶原料的主要目的应该放在去除过量元素和调节原料化学比上。

ZnSe多晶料预处理原理与方法

以ZnSe多晶料的预处理为例,阐述了Ⅱ-Ⅵ族高熔点化合物的预处理方法与原理。生长单晶体,不仅仅要求原料有足够高的纯度,更为重要的是需要通过原料的预处理,获得具有合适化学比的高纯多晶原料。结合ZnSe材料的升华特性和杂质分布,对区域升华法处理工艺参数进行了分析,确定了源区温度应略低于1100℃,而沉积温度应高于900℃。选择较窄的升华-沉积温度范围更有利于杂质的去除。沉积区的温度越接近单晶生长温度,就越容易获得化学比较为合适的原料多晶。