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SHS法合成低游离硅亚微米级β-Si_3N_4研究 被引量:1
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作者 张英才 王声宏 +1 位作者 韩文成 孔祥玖 《粉末冶金工业》 CAS 北大核心 2005年第2期1-4,共4页
本文采用SHS工艺对低游离硅(Sif<1% )亚微米级β-Si3N4 的制备进行了研究,在研究中采用细硅粉团粒作为原料,试验结果表明:用团粒为原料合成的β-Si3N4 粒度为0 71μm时,其游离硅含量为0 6 5 % ,而采用常规的硅粉为原料时,当β-Si3... 本文采用SHS工艺对低游离硅(Sif<1% )亚微米级β-Si3N4 的制备进行了研究,在研究中采用细硅粉团粒作为原料,试验结果表明:用团粒为原料合成的β-Si3N4 粒度为0 71μm时,其游离硅含量为0 6 5 % ,而采用常规的硅粉为原料时,当β-Si3N4 粒度为0 6 9μm时,游离硅的含量高达1 98%。 展开更多
关键词 自蔓延高温合成(SHS)或燃烧合成(CS) Β-SI3N4 结构陶瓷
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