拉晶工艺中直拉硅单晶氧含量的优化研究

采用直拉法拉制硅单晶,在拉晶过程中,研究了不同型号机械泵、等径功率、坩埚转速及投料量等工艺参数对硅单晶氧含量的影响。结果显示:用抽气速率大的80泵,等径功率下降至58kW,坩埚转速降低至6.4rmp/min,投料量降低至68kg,均可以降低硅单晶氧含量,并在此基础上得出合理的拉晶生产工艺。

一种化学腐蚀去除硅料中重掺的方法

半导体硅料含杂质时,其电化学势能和表面活性也随之发生变化,重掺硅料比掺杂浓度低的硅料化学电动势大,在混酸溶液中反应速率快,低浓度掺杂的合格料和高浓度掺杂的重掺料就有了选择性腐蚀效果。基于这一原理研究了一种化学腐蚀除重掺的方法。