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碳纤维无催化剂法制备β-SiC纳米晶须 被引量：9
1
作者 吴艳军 张亚非 +1 位作者 杨忠学 吴建生 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期740-744,共5页
介绍了使用碳纤维为固相碳源,无催化剂加入制备β-SiC纳米晶须的一种新方法. 制备了直径为10-40nm,长度为几个微米的纯度较高的β-SiC纳米晶须.讨论了这个制备方法的特点,并比较了几种不同制备方法的优缺点.同时分析了β-SiC纳米晶须的... 介绍了使用碳纤维为固相碳源,无催化剂加入制备β-SiC纳米晶须的一种新方法. 制备了直径为10-40nm,长度为几个微米的纯度较高的β-SiC纳米晶须.讨论了这个制备方法的特点,并比较了几种不同制备方法的优缺点.同时分析了β-SiC纳米晶须的显微组织并探讨了其生长机理.研究表明,较高的生长温度、SiO和CO的局部过饱和蒸汽压是此方法能够大量制备β-SiC纳米晶须的关键因素. 展开更多
关键词 SiC纳米晶须 制备技术 纳米电子材料
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