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基于钴硅化物电迁移现象的电熔丝器件的优化设计与研究
被引量:
1
1
作者
林昆
何波涌
《微计算机信息》
2009年第23期218-219,242,共3页
设计了一种完全兼容现有0.18μm标准CMOS工艺的,利用电迁移现象的,价格低廉的电熔丝器件结构。结果表明,在该结构下,通过优化参数,所获得的eFUSE器件结构,熔断后电阻高达107欧姆数量级,熔断率高达99%,解决了传统结构下中熔丝熔断后电阻...
设计了一种完全兼容现有0.18μm标准CMOS工艺的,利用电迁移现象的,价格低廉的电熔丝器件结构。结果表明,在该结构下,通过优化参数,所获得的eFUSE器件结构,熔断后电阻高达107欧姆数量级,熔断率高达99%,解决了传统结构下中熔丝熔断后电阻太小,局部过热可能产生爆裂的问题。
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关键词
电编程熔丝
电迁移
CMOS集成电路
冗余技术
硅化物
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职称材料
题名
基于钴硅化物电迁移现象的电熔丝器件的优化设计与研究
被引量:
1
1
作者
林昆
何波涌
机构
上海交通大学微电子学学院
出处
《微计算机信息》
2009年第23期218-219,242,共3页
文摘
设计了一种完全兼容现有0.18μm标准CMOS工艺的,利用电迁移现象的,价格低廉的电熔丝器件结构。结果表明,在该结构下,通过优化参数,所获得的eFUSE器件结构,熔断后电阻高达107欧姆数量级,熔断率高达99%,解决了传统结构下中熔丝熔断后电阻太小,局部过热可能产生爆裂的问题。
关键词
电编程熔丝
电迁移
CMOS集成电路
冗余技术
硅化物
Keywords
eFUSE
Electromigration
CMOS integrated circuit
Redundancy
Silicide
分类号
TN389 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于钴硅化物电迁移现象的电熔丝器件的优化设计与研究
林昆
何波涌
《微计算机信息》
2009
1
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