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题名CVD金刚石薄膜RIE掩模技术研究
被引量:6
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作者
丁桂甫
俞爱斌
赵小林
姚翔
沈天慧
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机构
上海交通大学微米纳米研究院
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出处
《微细加工技术》
2001年第3期74-80,共7页
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文摘
金刚石薄膜反应离子刻蚀 (RIE)必须选用硬掩模 ,基于掩模刻蚀选择比和掩模图形化加工特性考虑 ,镍和镍钛合金掩模是较好选择 ,其中 ,NiTi合金薄膜具有刻蚀选择比高、加工工艺简单、图形化效果好的优势 ,Ni掩模特别是电镀方法制作的Ni掩模以其精确的尺寸控制能力、理想的多层结构模式和适当的刻蚀选择比而特别适合于精细结构加工时使用。使用上述掩模对金刚石薄膜进行RIE ,可以获得线条整齐规则、侧壁平滑陡直的优异加工效果。
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关键词
金刚石薄膜
反应离子刻蚀
掩模
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Keywords
diamond films
RIE
mask
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分类号
TN304.18
[电子电信—物理电子学]
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名微弯曲面成型技术—多线成面技术
被引量:4
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作者
蒋振新
丁桂甫
杨春生
倪智萍
张永华
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机构
上海交通大学微米纳米研究院薄膜与微细加工技术教育部开放实验室
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出处
《电子工艺技术》
2003年第5期210-213,共4页
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基金
国防重点实验室基金项目(5148502030)
电科院预研课题(024130805)。
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文摘
熔融图形化的光刻胶是三维曲面微结构加工的常用方法,但是,一次成型的熔胶工艺制作的弯曲面曲率半径较小,为此我们提出了一种借助二次熔胶工艺实现微弯曲面成型的新工艺—多线成面技术。此方法工艺简单,一般具备光刻条件的实验室就能够实现,与传统工艺兼容性好,用它制作的弯曲面可以与灰阶掩膜光刻相比拟,介绍了该工艺的原理和特点。
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关键词
高深宽比光刻胶结构
熔融成型
二次涂胶定型
微弯曲面
任意形状表面
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Keywords
High aspect ratio photoresist structures
Melting photoresist
Second coating phothoresist
Micro-buckling surfaces
Arbitrary surfaces
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分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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