聚二甲基硅氧烷/玻璃微流控芯片永久性粘合方法及其微通道表面改性研究及其应用

近年来,聚二甲基硅氧烷[Poly(dimethylsilloxane),PDMS]基质微流控芯片因其透光性能好,价格便宜,加工容易,适合大规模生产,成为微全分析系统(Micro total analysis system,μ-TAS)发展的一个热点[1].……

纳米分子电子器件的研究

纳米分子电子器件是未来电子器件发展的重要方向。对几种典型的纳米分子电子器件,如纳米分子开关、纳米分子整流器、纳米分子晶体管、纳米分子电磁器件和纳米分子电光器件的工作原理、应用前景等方面进行了介绍,同时分析了各自的优势与问题所在。这一领域所遇到的主要挑战问题在于器件的可靠性与生产的高成本。目前纳米分子电子器件的发展趋势和研究重点是通过对器件原理的深入研究以及制备方法的不断探索,找到提高器件可靠性的方法以及解决降低成本和适应市场化的问题。

金刚石薄膜自支撑窗口试样的制备与实验研究

以氢气和丙酮为原料,采用电子增强热丝CVD法,在硅片(100)基底上涂覆一层金刚石薄膜,在传统的硅平面加工工艺的基础上发展了一种新的在沉积好的基片上制备自支撑窗口试样的方法,并采用光刻法和湿式各向异性刻蚀技术制备得到金刚石薄膜自支撑窗口试样.研究表明,所制备的金刚石薄膜自支撑窗口的形状比较规则,膜内残留内应力小,能很好地满足鼓泡实验的要求,可以用来定量检测金刚石薄膜膜基界面结合强度和综合评价薄膜力学性能,对于促进金刚石薄膜材料在半导体器件中的应用和推广具有积极的意义.

超精细图案光刻技术的研究与发展

根据国内外研究和发展现状 ,对有望突破 1 0 0nm超精细图案光刻分辨率的一些关键技术进行了阐述 ,其中包括曝光技术、掩模技术、光学系统改进和以离轴照明、相位移掩模、多重滤光和图形演算为代表的分辨率增强技术等。

基于DSP的异步串行通信的3种实现方式

就某些不提供异步串行模块的DSP上实现异步串行通信进行了讨论,然后提出3种解决方案,最后就所提供的3种方案在成本、硬件消耗度和软件复杂度上进行比较。

DSP通过外部FLASH实现自引导启动

初学者在使用DSP的时候,或者开发人员进行软件开发的时候,必须在连接仿真器的情况下进行开发,然而最后的实现需要脱离仿真器运行。首先对基于DSP的外部自启动方式进行了探讨,并介绍了两种脱离仿真器利用FLASH实现程序运行的方法,详细分析了自启动的过程以及通过FLASH启动时FLASH地址内容的变化。

双DSP的EHPI接口通信系统

本文对双DSP的互连通信方式进行探讨,并且以典型的TM S320VC5509搭配TM S320LF2407平台通过高级主机接口(EH PI)实现通信为例进行了详细的分析,然后着重对EH PI的配置和实现进行分析,给出了硬件的连接方案和软件的设计思路,最后进一步比较EH PI和普通主机接口(H PI)之间的差别。

一种新颖的同步辐射单色器镜箱调节装置——点槽面机构

本文介绍了一种可实现单色器镜箱空间位置调节的具有六个自由度的点槽面机构,并阐述了它的运动学原理。实际应用表明,此种新型精密可调点槽面机构能够满足同步辐射双晶单色器镜箱的调节要求,也可推广应用于其它需全方位控制调节的仪器和设备.该机构已被授予中国发明专利(专利号:ZL021317176.8).

一种新型的基于隧穿效应的表面传导电子发射显示器

基于隧穿效应的表面传导电子发射显示器(SED,Surface-conduction electron-emitter display)是由佳能和松下公司最近开发出来的一种颇具发展潜力的新型显示器技术。本文介绍了SED的基本工作原理,讨论了涉及SED中电子行为的多重散射和惯性离心机理,简要回顾了显示器技术的现状,并将现存的几种主要的显示器技术同SED作了比较。

Ge_2Sb_2Te_5材料与非挥发相转变存储器单元器件特性

对Ge2Sb2Te5材料的结构、形貌和电学特性进行了表征,将材料应用于不挥发存储单元器件中并研究了器件性能。研究了退火温度对薄膜电阻率的影响,发现在从高阻向低阻状态转变的过程中,电阻率下降的趋势发生变化,形成拐点,分析表明这是由于在拐点处结构由面心立方向密排六方结构转变所致;对不同厚度Ge2Sb2Te5薄膜的电阻率进行了分析,结果表明当厚度薄于70nm时,电阻率随厚度显著上升而迁移率下降,材料晶态电学性能的测量显示,材料有正电阻温度系数并以空穴导电;测量了Ge2Sb2Te5非挥发相转变存储器单元的I-V曲线,发现有阈值特性,在晶态时电学特性呈欧姆特性,非晶态时I-V低场为线性关系,电场较高时呈指数关系。

芯片设计中串扰噪声的分析与改善

集成电路设计进入了超深亚微米领域,金属层增加,线宽减小,使电路的性能和密度都得到了很大的提高,但也引入了愈来愈严重的互连线效应,并最终引发了信号完整性问题。在这其中,串扰噪声是一个关键的问题。本文探讨了噪声产生机制并进行定量分析,结合作者实际设计阐述该问题的解决方法。

基于CoolRunner CPLD的I^2C总线控制器设计

文章给出在XilinxCooLRunner上实现I2C总线控制器的设计。由于CoolRunner的低功耗,使其成为本设计的首选,更优化了本设计的性能。

一种高精度脉宽调制信号移相电路设计

设计了一种基于1.5μm BiCMOS工艺下的脉宽调制信号移相电路。该电路可应用于发光二极管驱动芯片中,对调光脉宽调制信号进行移相。电路设计有三种模式以应用在不同的场合,可进行零度、180°和任意度的移相。测试结果表明:在100 Hz到20 kHz脉宽调制信号下,电路的三种模式都能保证信号的精度与移相的稳定。

开关电容ΣΔ调制器的行为级建模

在MATLAB的SIMULINK环境下,给出了一套开关电容ΣΔ调制器的时域行为级模型。该模型考虑了SCΣΔ调制器大部分的非线性效应,譬如:时钟抖动、热噪声以及运放的一些限制参数(转换速率、有限DC增益、有限带宽等)。最后给出二阶低通ΣΔ调制器的模拟结果。