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芯片上叉指电极介电电泳的模拟与实验研究
被引量:
1
1
作者
曹军
洪芳军
+1 位作者
陈翔
郑平
《微纳电子技术》
CAS
2008年第7期397-402,共6页
分析了影响常规介电电泳过程中粒子所受介电电泳力的因素和发生正、负向介电电泳的条件。经过合理的简化和假设,建立了一个芯片微通道中常规介电电泳的二维数学模型。数值计算结果给出了微通道中的电势和电场强度分布,并根据场强分布预...
分析了影响常规介电电泳过程中粒子所受介电电泳力的因素和发生正、负向介电电泳的条件。经过合理的简化和假设,建立了一个芯片微通道中常规介电电泳的二维数学模型。数值计算结果给出了微通道中的电势和电场强度分布,并根据场强分布预测了粒子发生正向介电电泳时最容易被吸附的位置。利用微加工工艺,在硼硅酸(Pyrex)玻璃表面沉积了叉指型结构的复合金属电极,并用聚二甲基硅氧烷(PDMS)制作了具有微通道的盖片,两者键合形成芯片。以溶解有聚苯乙烯(polystyrene,PS)粒子的KCl溶液为操作悬浮溶液进行了粒子正向介电电泳实验,实验结果与理论分析具有较好的吻合。
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关键词
微流控芯片
常规介电电泳
微通道
叉指电极
数值分析
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职称材料
题名
芯片上叉指电极介电电泳的模拟与实验研究
被引量:
1
1
作者
曹军
洪芳军
陈翔
郑平
机构
上海交通大学机械学院微流与热控研究中心
上海交通大学
微纳米技术
研究
院
出处
《微纳电子技术》
CAS
2008年第7期397-402,共6页
基金
国家自然科学基金重点项目(50536010)
上海交通大学机械与动力工程学院新进优秀青年教师科研启动经费
文摘
分析了影响常规介电电泳过程中粒子所受介电电泳力的因素和发生正、负向介电电泳的条件。经过合理的简化和假设,建立了一个芯片微通道中常规介电电泳的二维数学模型。数值计算结果给出了微通道中的电势和电场强度分布,并根据场强分布预测了粒子发生正向介电电泳时最容易被吸附的位置。利用微加工工艺,在硼硅酸(Pyrex)玻璃表面沉积了叉指型结构的复合金属电极,并用聚二甲基硅氧烷(PDMS)制作了具有微通道的盖片,两者键合形成芯片。以溶解有聚苯乙烯(polystyrene,PS)粒子的KCl溶液为操作悬浮溶液进行了粒子正向介电电泳实验,实验结果与理论分析具有较好的吻合。
关键词
微流控芯片
常规介电电泳
微通道
叉指电极
数值分析
Keywords
microfluidic chip
conventional dielectrophoresis
microchannel
interdigitated microelectrodes
numerical analysis
分类号
O652.6 [理学—分析化学]
TH703 [机械工程—精密仪器及机械]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
芯片上叉指电极介电电泳的模拟与实验研究
曹军
洪芳军
陈翔
郑平
《微纳电子技术》
CAS
2008
1
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职称材料
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参考文献
引证文献
统计分析
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