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高功率微波作用下半导体器件失效和防护分析
被引量:
3
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作者
张越
周亮
《安全与电磁兼容》
2023年第6期9-20,29,共13页
高功率微波(HPM)通过直接或间接耦合产生的电热效应会干扰电子通信设备的工作,甚至造成不可逆转的损伤或损毁。总结了在高功率微波作用下器件失效性分析和高功率微波防护的国内外研究进展;求解了横向扩散金属氧化物场效应管(LDMOSFET)...
高功率微波(HPM)通过直接或间接耦合产生的电热效应会干扰电子通信设备的工作,甚至造成不可逆转的损伤或损毁。总结了在高功率微波作用下器件失效性分析和高功率微波防护的国内外研究进展;求解了横向扩散金属氧化物场效应管(LDMOSFET)、异质结双极型晶体管(HBT)、高电子迁移率晶体管(HEMT)在高功率脉冲注入下的电热应力场分布以及阈值功率;提出了用瞬态稳压抑制器(TVS)二极管设计微波防护电路的方法。最后分析了当前研究的局限性以及后续研究方向,为电路系统的设计和安全性评估提供参考。
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关键词
高功率微波
横向扩散金属氧化物场效应管
异质结双极型晶体管
高电子迁移率晶体管
瞬态稳压抑制器二极管
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职称材料
题名
高功率微波作用下半导体器件失效和防护分析
被引量:
3
1
作者
张越
周亮
机构
上海交通大学电子信息与电气工程学院射频异质异构集成全国重点实验室
出处
《安全与电磁兼容》
2023年第6期9-20,29,共13页
基金
国家自然科学基金(62325110和62188102)。
文摘
高功率微波(HPM)通过直接或间接耦合产生的电热效应会干扰电子通信设备的工作,甚至造成不可逆转的损伤或损毁。总结了在高功率微波作用下器件失效性分析和高功率微波防护的国内外研究进展;求解了横向扩散金属氧化物场效应管(LDMOSFET)、异质结双极型晶体管(HBT)、高电子迁移率晶体管(HEMT)在高功率脉冲注入下的电热应力场分布以及阈值功率;提出了用瞬态稳压抑制器(TVS)二极管设计微波防护电路的方法。最后分析了当前研究的局限性以及后续研究方向,为电路系统的设计和安全性评估提供参考。
关键词
高功率微波
横向扩散金属氧化物场效应管
异质结双极型晶体管
高电子迁移率晶体管
瞬态稳压抑制器二极管
Keywords
high-power microwave
laterally diffused metal oxide semiconductor
heterojunction bipolar transistor
high electron mobility transistor
transient voltage suppressor diode
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
高功率微波作用下半导体器件失效和防护分析
张越
周亮
《安全与电磁兼容》
2023
3
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