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基于紫外纳米压印光刻的氟化混合物模板制备 被引量:2
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作者 胡克想 王阳培华 王庆康 《飞控与探测》 2019年第2期54-58,共5页
不同特征尺度和不同周期的氟化混合物软复制模板,通过使用硅主模板和紫外纳米压印光刻技术制备而成。与聚二甲基硅氧烷和其他聚合物材料相比,光刻胶具有优良的性能,如优良的机械强度、低表面能和良好的热稳定性等。在紫外和热纳米压印... 不同特征尺度和不同周期的氟化混合物软复制模板,通过使用硅主模板和紫外纳米压印光刻技术制备而成。与聚二甲基硅氧烷和其他聚合物材料相比,光刻胶具有优良的性能,如优良的机械强度、低表面能和良好的热稳定性等。在紫外和热纳米压印工艺中,主模板被用作印章。实验结果表明,转移到基底上的图案与主模板非常一致。所制备的氟化混合物复制模板不仅适用于紫外纳米压印,也适用于热纳米压印,并且所加工的复制模板还可被用于制备光电器件,以实现传感、成像、探测、通信和数据存储等领域中的相关功能。 展开更多
关键词 纳米制造 纳米压印曝光 纳米压印设备 氟化混合物复制软模板
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用于各向同性湿法刻蚀中的氮化硅掩膜 被引量:1
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作者 刘亚东 张卫平 +3 位作者 唐健 汪濙海 邢亚亮 孙殿竣 《半导体光电》 CAS 北大核心 2016年第4期495-498,共4页
在硅的各向同性湿法刻蚀过程中,一般选用HNA溶液(即氢氟酸、硝酸和乙酸的混合溶液)作为刻蚀液,而氮化硅以其很好的耐刻蚀性而优先被选为顶层掩膜材料。在硅片上刻蚀不同的结构,通常需要选择不同的刻蚀液配比。而不同配比对于氮化硅掩膜... 在硅的各向同性湿法刻蚀过程中,一般选用HNA溶液(即氢氟酸、硝酸和乙酸的混合溶液)作为刻蚀液,而氮化硅以其很好的耐刻蚀性而优先被选为顶层掩膜材料。在硅片上刻蚀不同的结构,通常需要选择不同的刻蚀液配比。而不同配比对于氮化硅掩膜的刻蚀速率也不一样。分别用PECVD和LPCVD两种方法在〈111〉型硅片上沉积了厚度为560和210nm的氮化硅薄膜,研究和对比了它们在8种典型配比刻蚀液下的刻蚀速率,为合理制作所需要厚度的氮化硅掩膜提供有益参考。 展开更多
关键词 各向同性刻蚀 掩膜 氮化硅 刻蚀速率
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MEMS半球谐振陀螺的角速度积分及其FPGA设计 被引量:4
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作者 赵万良 成宇翔 +4 位作者 孙殿竣 唐健 刘朝阳 欧彬 张卫平 《半导体光电》 CAS 北大核心 2017年第1期40-44,共5页
微电子机械系统(MEMS)半球谐振陀螺是MEMS微陀螺领域的研究热点,能工作在角速度积分模式下,具有体积小、质量轻、功耗低、成本低、对称性高、Q值高,以及精度高等优点。文章给出了一种微型半球谐振陀螺的结构,研究了其工作原理以及检测方... 微电子机械系统(MEMS)半球谐振陀螺是MEMS微陀螺领域的研究热点,能工作在角速度积分模式下,具有体积小、质量轻、功耗低、成本低、对称性高、Q值高,以及精度高等优点。文章给出了一种微型半球谐振陀螺的结构,研究了其工作原理以及检测方法,设计了一种数字式MEMS半球谐振陀螺仪的角速度积分工作模式方案及其FPGA实现方法,以完成目前MEMS半球谐振陀螺的角速度积分模式的控制与检测工作。 展开更多
关键词 微电子机械系统 半球谐振 角速度积分 控制 FPGA
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