单电子晶体管放大器的数值分析

本文基于单电子隧道效应晶体管的半经典模型，研究了电容耦会单电子隧道晶体管放大器的静态特性和小信号特性．结果表明：单电子晶体管放大器具有灵敏度高，功耗低等优点，缺点是由于几率工作，工作条件受到严格的限制．

电容耦合单电子晶体管有源负载

本文基于单电子隧道效应的半经典模型,由电容耦合单电子晶体管的本征,电流电压特性出发,研究了在各种组态下,电容耦合单电子晶体管有源负载的本征电流电压特性,讨论了它们的交流小信号等效电路。

研究型大学基层党组织带领群众和谐发展的能力研究

当前,研究型大学的发展转型及师资队伍结构的变化使高校基层党组织面临新的挑战。研究型大学作为国家知识创新和高层次人才培养的重要机构,必须结合和谐社会的构建,认真研究和分析当前在带领群众和谐发展过程中面临的挑战和问题,积极推进高校党组织履行职能方式的转变.着力在构建和谐组织氛围、提高领导班子思想发动力、激发群众积极性和职能创新上下功夫.才能适应时代的要求,为构建和谐校园作出应有的贡献。

GaAs MSM光电探测器中电子渡越时间研究

根据 GaAs 材料的电子漂移速度与电场的非线性关系,研究了 GaAs MsM光电探测器电极间电子渡越时间与掺杂浓度 N_D、栅宽 L_g 和工作电压 V 的关系,结果表明,MSM-PD 电极间电子渡越时间存在极小值。对于电极间距离为3.0μm的 MSM-PD,掺杂浓度为1×10^(14)cm^(-3)的MSM-PD。工作电压为2倍平带电压时,电子渡越时间处于极小值。研究结果为设计高速响应 GaAs MSM 光电探测器及建立器件光电响应模型提供了依据。

高性能电子镇流器系统及其专用集成控制器

讨论高性能电子镇流器系统必需具备的电路结构、功率因子校正电路的基本原理，介绍美国微线性公司（Ｍｅｃｒｏ Ｌｉｎｅａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）的电子镇流器专用集成控制器及其构成的高性能电子镇流器电路。

国外电子工业的发展

1 电子工业在经济发达、快速发展国家中的地位1.1 美国的电子工业已成为第一大工业 1985年产值1840亿美元,约占国民总产值15%,现已增加到2350亿美元左右,预计到2000年将占国民生产总值30%.80年代以来美国大力展电子技术为核心的高技术产业,1984年开始执行的星球大战计划,将历时20年耗资1万亿美元,以增强国防、维持电子技术为核心的高技术在世界上的领先地位.在人才资源方面.美国77万名科学家和工程师中电子工业人员已超过18万名.

InP光电子集成电路接收机前端的研究进展

由于具有可集成和器件固有速度的内在优势，ＩｎＰ光电子集成（ＯＥＩＣ）接收机在高速（≥１０Ｇｂ／ｓ）光纤通信系统和波分复用网络（ＷＤＭ）方面具有重要的应用，本文介绍了最近的研究进展。

电子空穴对单电子陷阱存储器的设计与分析

本文论述了由Ti/TiOx/Ti介观隧道结阵列构成的电子空穴对耦合的单电子陷阱存储器 ,结合目前扫描隧道显微镜 (STM)进行纳米加工的特点 ,设计了该存储器的电路结构及其结构参数 ,计算出电路的电容矩阵 ,并用MonteCarlo法对电路特性进行了模拟 .结果表明 ,该存储器与其它单电子存储器有相同的存储特性 。

单电子晶体管研究进展

文章介绍了单电子晶体管的产生背景、工作原理、最新的制备工艺、计算机数值模拟和存在的问题 。

电容耦合三结单电子晶体管特性分析

本文基于电容耦合多个纳米隧道结串联结构的半经典模型，研究了三结单电子晶体管的基本方程，分析了其Ｉ－Ｖ特性，并对三结与两结单电子晶体管的特性进行了比较．结果表明，单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别，且三结单电子晶体管与两结单电子晶体管相比较。

纳米金属氧化物半导体场效应晶体管(NANO-MOSFET)的热电子发射和弹道输运模型

本文首先给出了SOI上纳米金属 氧化物 半导体场效应晶体管 (NANO MOSFET)的结构 ,它是一种非传统MOSFET .NANO MOSFET源漏区采用金属 ,沟道采用本征硅 ,该结构避免了传统MOSFET的短沟道效应 .利用一组基本器件方程式 ,我们模拟并分析了NANO MOSFET的基本特性 .计算表明 ,NANO MOSFET在一定范围内源漏电导受栅极电压显著调控 ,适用于各种数字电路 ,包括存储单元 .另外 ,选取合适的直流偏置点 ,NANO

DB-FIB电子束辅助沉积Pt法在FA中的应用实例

双束聚焦离子束(DB-FIB)已经成为半导体工业中,尤其是失效分析(FA)工作中非常重要的工具。当进行表面缺陷的分析时,为了保证缺陷的完整性,在离子束铣削之前往往会在缺陷上沉积一层Pt薄膜作保护层。DB-FIB将离子束和电子束集成在一套设备中,因而允许使用常规的离子束辅助沉积(IA-CVD)和电子束辅助沉积(EA-CVD)技术。讨论了一个铝焊垫(Pad)表面缺陷分析的案例。采用常规LA-CVD沉积Pt层的方法,造成缺陷损伤,棱心消失,界面模糊。而采用EA-CVD沉积Pt层的方法,造成的损伤极小,缺陷保留完整,最终分析得出该Pad表面缺陷是由于原电池反应所产生的表面缺陷。

荧光灯电子镇流器常用的灯丝预热电路与分析

该文主要介绍了四类荧光灯电子镇流器常用的灯丝预热电路结构,并进行相关的对比分析。

轨道交通闸机控制系统中智能识别系统的优化

针对现有轨道交通自动检票闸机智能识别系统的不足,设计了一种基于步态识别算法和人体识别算法相结合新的智能识别系统。该系统利用红外传感器取代图像摄像头采集通行信息,并采用知识-规则库的规则序列提高了识别速度和准确性。实验证明,识别算法的设计是有效的。

单电子晶体管/场效应管混合存储单元数值分析

基于背景电荷不敏感单电子晶体管／场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的特性工作，以半经典的单电子正统理论为基础，采用计算机数值模拟的方法，分析了背景电荷不敏感单电子晶体管／常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性．提出了存储单元中分别以三结电容耦合单电子晶体管和单电子旋转栅替代双结单电子晶体管的新结构，其主要思想是通过增加单电子器件中的串联隧道结数来抑制各种噪声．模拟结果表明，新结构的系统性能，特别是抗噪声性能有一定提高．

微电子器件封装铜线键合可行性分析

虽然在集成电路封装工艺中金导线键合是主流制程,但是目前采用铜导线替代金导线键合已经在半导体封装领域形成重要研究趋势。文章对微电子封装中铜导线键合可行性进行了分析,主要包括铜导线与金导线的性能比较(包括电学性能、物理参数、机械参数等),铜导线制备和微组织结构分析,铜导线焊合中的工艺研发及铜导线焊合可靠性分析等。当今半导体生产商关注铜导线不仅是因为其价格成本优势,更由于铜导线具有良好的电学和机械特性,同时文中也介绍了铜导线键合工艺存在的诸多问题和挑战,对将来铜导线在集成电路封装中的大规模应用和发展具有一定的参考意义。

基于X86架构的系统虚拟机技术与应用

介绍了基于X86的主流泛虚拟化(Paravirtualization)及完全虚拟化技术(Full-virtualization)尤其是芯片虚拟化技术的支持。描述了两个实现泛虚拟化技术的系统虚拟机Denali及XEN,阐述了完全虚拟化的发展现状,以及支持两种技术结合的解决方案,展望了虚拟机技术的发展前景及其应用。

OFDM雷达信号模糊函数分析

为了解决正交频分复用(Orthogonal frequency division multiplexing,OFDM)信号雷达波形设计的问题,推导了OFDM雷达信号的单周期模糊函数,给出了单周期模糊函数与调制码字序列的关系。讨论了多周期模糊函数,分析了其旁瓣特性,提出一种抑制OFDM信号雷达多普勒旁瓣的相参脉冲串处理方法。以Barker码作为调制码字序列,给出了仿真结果。与传统方法相比,该文的方法不需要对已调制信号进行计算,而直接由调制码字序列得到OFDM雷达信号的周期模糊特性。

CVD 金刚石涂层刀具附着力的研究

以压痕法涂层破碎时的负荷来评估附着力，采用稀盐酸对衬底进行表面处理，在ＣＶＤ沉积过程中添加适量粘结促进剂以压抑金属钴的催化墨化作用，沉积合适的厚度，可在硬质合金衬底上得到高附着力的金刚石涂层刀具．用该刀具对含碳化硅颗粒的铝基复合材料进行切削试验，得到了满意的结果．