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题名基于单像素液晶透镜的自由立体显示技术
被引量:2
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作者
欧阳世宏
陆建钢
崔宏青
苏翼凯
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机构
上海交通大学电子工程系tft-lcd关键材料与技术国家工程实验室
昆山龙腾光电有限公司LCD研发中心
江苏省(龙腾)平板显示技术研究院
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出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期561-564,共4页
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基金
国家自然科学基金(No.60906039)
上海自然科学基金(No.09ZR1414800)
上海曙光计划(No.09SG13)
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文摘
为提高三维显示器的性能,提出了一种动态单像素液晶透镜方法。通过对液晶透镜进行结构建模仿真并根据三维显示技术的光学原理,对像素光源发散角以及液晶内部折射率分布对三维显示的性能影响进行了分析。通过实验结果的对比,发现光源的发散角度对单像素立体显示器的性能有很大影响。通过优化相关参数,可以使自由立体显示系统实现高分辨率和低串扰,改善自由立体显示的性能。
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关键词
三维显示
单像素液晶透镜
高分辨率
低串扰
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Keywords
three dimensional display
single-pixel LC lens
high resolution
low crosstalk
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分类号
TN27
[电子电信—物理电子学]
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题名采用不同透明电极的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管
被引量:7
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作者
詹润泽
谢汉萍
董承远
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机构
上海交通大学电子工程系tft-lcd关键材料与技术国家重点工程实验室
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出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期55-58,共4页
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基金
国家自然科学基金(No.61136004)
上海市自然科学基金项目(No.09ZR1414800)
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文摘
采用透明材料ITO和AZO为源漏电极,在室温下利用射频磁控溅射方法制作了底栅结构的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管。实验发现,制备的薄膜晶体管均表现出了良好的开关特性。其中采用AZO为电极的薄膜晶体管的场效应迁移率为1.95cm2/V.s,开关比为4.53×105,在正向偏压应力测试下,阈值电压的漂移量为4.49V。
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关键词
薄膜晶体管
透明电极
非晶铟镓锌氧化物
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Keywords
thin film transistors
transparent electrodes
amorphous InGaZnO
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分类号
TN321.5
[电子电信—物理电子学]
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