在中国的OLED显示技术专利布局的分析

基于在中国公开的OLED专利申请,文章研究了中国申请人和国外申请人就OLED显示技术在中国的专利布局的相似点与差异点,主要分析其专利申请类型、国内外主要专利申请人及其分布和国内外主要申请人的专利技术领域,由此提出了发展我国OLED显示技术的建议。

薄膜晶体管中绝缘层的研究现状与趋势

本文主要介绍了绝缘层在薄膜晶体管中的重要作用,总结了在薄膜晶体管中应用的绝缘层材料种类及其特点,介绍了不同绝缘层的制备工艺,以及各种制备工艺的原理与特点。最后,通过分析近几年有关薄膜晶体管绝缘层的文献,介绍了薄膜晶体管在制备过程中遇到的主要问题及当前的研究热点,并对未来薄膜晶体管中绝缘层的制备工艺和绝缘材料的研究方向进行了展望。

非晶铟镓锌氧薄膜晶体管银/钛源漏电极的研究

为了适应大尺寸高分辨率显示的技术需求,研究并开发用于非晶铟镓锌氧(a-IGZO)薄膜晶体管(TFT)阵列的低电阻电极非常关键。本文采用磁控溅射制备的金属银为源漏电极,设计并制作了底栅结构的a-IGZO TFT器件。实验发现,具有单层银源漏电极的器件电学特性较差,这是因为银与a-IGZO之间不能形成良好的欧姆接触。另一方面,通过增加钛中间层而形成的Ag/Ti电极在保持低电阻的同时能够有效阻止银原子扩散并与a-IGZO形成较好的接触状态。最终制备的以Ag/Ti为源漏电极的a-IGZO TFT具有明显改善的电学特性,场效应迁移率为1.73cm^2/V·s,亚阈值摆幅2.8V/(°),开关比为2×10~7,由此证明了磁控溅射制备的银电极具有应用于非晶氧化物薄膜晶体管的实际潜力。

基于溶液法制备的高效率磷光有机发光二极管

溶液法制备的有机发光二极管(OLED)虽然有着制作成本低、材料利用率高以及容易大规模生产等优势,但是在器件效率上离传统高温真空热蒸镀法制作的OLED还有很大差距。文章基于一种新型的磷光发光材料Ir(tfmppy)_2(tpip),在利用单一主体材料溶液法制备OLED时发现器件效率不高,同时效率滚降很大。为了提高器件效率,同时减小效率滚降,以多种材料混合作为主体材料。通过改变混合主体材料间的比例关系,以一种简单的器件结构,采用溶液法制作出了高效率的OLED器件。其中,以质量比为7∶21∶12的PVK∶mCP∶TCTA为混合主体材料,掺杂质量比为10%的Ir(tfmppy)_2(tpip)作为发光层的器件,取得了高达55cd/A的电流效率。

基于超薄发光层的有机发光二极管器件的研究

文章采用具有电子捕捉能力的橙红色磷光材料iridium(Ⅲ)bis(2-methyldibenzo-[f,h]quinoxaline)(acetylacetonate)(Ir(MDQ)_2(acac))作为超薄发光层应用于有机发光二极管中。通过对其厚度的优化,发现当发光层厚度为0.1nm时,器件性能最好,最大电流效率达到了28.1cd/A,明显优于采用掺杂发光层的器件。分析了发光材料的载流子捕捉作用对器件载流子平衡及器件电流效率的影响,发现超薄发光层结构几乎不改变器件的电学特性,不会进一步破坏器件载流子平衡,正因如此,大多数磷光材料都可以采用超薄发光层获得很高的效率。

基于纳米金属光栅的透射光谱调制器

纳米金属光栅上的表面等离子体共振(SPR)对临近材料折射率变化敏感,因此通过改变临近材料折射率,可以实现纳米金属光栅透射光谱的颜色调制进而用于显示器件,该调制器具有结构简单、色度和对比度高等特点。通过仿真设计实现了红绿蓝三个子像素的透射彩色显示。实验制备了周期为520 nm、铝厚度为50 nm的双层金属光栅,并通过改变光栅临近材料折射率,实现了空气中为绿色亮态显示、蔗糖溶液中为暗态显示的效果,明暗对比度达到122。从理论和实验两方面证明了基于金属光栅结构的彩色显示和亮度调节的可行性,为未来电浸润显示器件提供了新的设计方案。

陡峭亚阈值摆幅的全溶液法有机场效应晶体管

本工作通过优化高k/低k双绝缘层系统,在同一个有机场效应晶体管(organic field effect transistor,OFET)结构里将大栅绝缘层电容和低沟道层亚带隙态密度结合起来。即使使用厚度大于360 nm的绝缘层,也能实现最小64 mV·dec^(-1)的亚阈值摆幅(subthreshold swing,SS)。这是目前所有已报道的低电压OFETs里最小的SS,甚至能比得上采用22nm技术工艺的Si-FETs。因此,该器件能够在0. 8 V的小电压范围内实现高达105的开关比。并且该器件还表现出了优异的工作稳定性和存储稳定性。将制备的OFET偏置在亚阈值区域,能够实现对低离子浓度和微弱荧光信号的检测。