金纳米粒子LB单层膜的制备及其I-V特性

在不同条件下采用LB技术制备了金纳米粒子单层膜，并利用SEM对所得到的薄膜的表面形貌进行表征。结果表明决定薄膜质量的关键因素是表面压。将表面压控制在22～26mN／m的范围内以较慢的拉膜速度在Si（100）基底上进行拉膜，可以得到大面积金纳米粒子的均匀致密单层膜。在室温下测量两点之间单层膜的I-V特性，得到了非欧姆特性，这是由电子在电场作用下发生隧穿产生的。