基于扇出型封装塑封材料性能的表征研究

扇出型封装在塑封过程中会出现芯片偏移及翘曲等缺陷,详细了解环氧塑封材料(EMC)的特性能够准确预测封装材料、结构、塑封工艺对塑封效果的影响。针对用于扇出型封装的EMC材料采用动态机械分析仪、差示扫描量热仪、流变仪测试其动态力学性能、固化动力学性能、流变学性能和热容,并建立可用于有限元分析的材料特性数学模型。结果表明,EMC在150℃等温固化60 min后具有最少残余固化;100℃环境下黏度随温度增加速率最快;时温等效原理可预测实验频率以外的力学行为。模型曲线与实验数据的拟合优度均大于0.982,材料表征模型满足准确性与适用性的要求。

TSV转接板空腔金属化与再布线层一体成型技术

为满足射频微波应用的需求并实现三维异质集成,提出了一种带有大尺寸空腔结构的硅通孔(TSV)转接板,研究了其空腔金属化与表面金属再布线层(RDL)一体成型技术。首先,刻蚀空腔并整面沉积一层2μm厚的SiO2;然后,在不损伤其他部分绝缘层的条件下,通过干法刻蚀完成TSV背面SiO2刻蚀;最后,通过整面电镀实现空腔金属化和RDL一体成型,并通过金属反向刻蚀形成RDL。重点研究了对TSV背面SiO2刻蚀时对空腔拐角的保护方法,以及在形成表面RDL时对空腔侧壁金属层的保护方法。最终获得了带有120μm深空腔的TSV转接板样品,其中空腔侧壁和表面RDL的金属层厚度均为8μm。