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用TOF-SIMS研究半导体芯片铝键合点上的有机沾污 被引量:4
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作者 郑国祥 李越生 +3 位作者 宗祥福 任翀 罗俊一 史刚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第9期702-706,共5页
铝键合点的表面沾污增强了对铝合金化表面的腐蚀,并导致微芯片的失效.过去大量的工作多集中在由等离子工艺引起的含氟的无机沾污;很少接触到键合点的有机沾污.飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)提供了一个探测和分析微芯片... 铝键合点的表面沾污增强了对铝合金化表面的腐蚀,并导致微芯片的失效.过去大量的工作多集中在由等离子工艺引起的含氟的无机沾污;很少接触到键合点的有机沾污.飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)提供了一个探测和分析微芯片键合点上有机沾污的有力武器.作者比较了两个TOF-SIMS的正离子谱,一个是经目检发现键合点有沾污点的芯片,另一个是无沾污芯片.根据对TOF-SIMS特征谱线和离子像的研究,认为沾污点是由某些以CHx和NHy结构组成的有机化合物造成的,并对铝有腐蚀作用.经分析发现这些有机沾污来源于微芯片的工艺过程. 展开更多
关键词 TOF-SIMS 半导体芯片 铝键合点 有机沾污
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半导体发明史回眸及其创新驱动力探讨
2
作者 王学良 《河南科技》 2022年第18期37-41,共5页
本研究回顾了近150年的半导体理论及技术发明史,根据半导体发明史的特征,可将其划分为3个发明历史阶段,即半导体早期发明史、半导体中期发明史和半导体现代发明史,并对半导体发明史中的创新驱动模式进行探讨,接着阐述三大发明创新模式... 本研究回顾了近150年的半导体理论及技术发明史,根据半导体发明史的特征,可将其划分为3个发明历史阶段,即半导体早期发明史、半导体中期发明史和半导体现代发明史,并对半导体发明史中的创新驱动模式进行探讨,接着阐述三大发明创新模式及其对半导体科技发明创新的影响。 展开更多
关键词 发明 半导体发明创新史 创新驱动模式
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铜互连布线及其镶嵌技术在深亚微米IC工艺中的应用 被引量:6
3
作者 张兆强 郑国祥 +3 位作者 黄榕旭 杨兴 邵丙铣 宗祥福 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期407-414,共8页
近几年来 ,随着 VLSI器件密度的增加和特征尺寸的减小 ,铜互连布线技术作为减小互连延迟的有效技术 ,受到人们的广泛关注。文中介绍了基本的铜互连布线技术 ,包括单、双镶嵌工艺 ,CMP工艺 ,低介电常数材料和阻挡层材料 。
关键词 镶嵌技术 铜互连布线 深亚微米 集成电路工艺
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BARC工艺在亚微米光刻中的应用 被引量:2
4
作者 顾志光 孙钧 +1 位作者 郑国祥 龚大卫 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期545-548,558,共5页
在表面强反射膜-多晶硅上进行亚微米光刻时,采用有机BARC(BottomAnti-ReflectiveCoating)工艺,降低了晶片表面的台阶高度,并有效地抑制了驻波效应,获得良好的光刻图形,从而使产品良率提高了6%~7%。
关键词 驻波效应 抗反射膜 亚微米 深亚微米光刻
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集成电路工艺模拟软件SSUPREM4的校验 被引量:2
5
作者 阮刚 庞海舟 冒慧敏 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第8期26-29,共4页
本文对知名的集成电路工艺模拟软件SSUPREM4进行了较仔细的校验,用SSUPREM4模拟了氧化、扩散工艺,并同实验值进行了比较,模拟值和实验值的偏差在10%以内,与集成电路器件模拟软件SPISCES联用校验了SS... 本文对知名的集成电路工艺模拟软件SSUPREM4进行了较仔细的校验,用SSUPREM4模拟了氧化、扩散工艺,并同实验值进行了比较,模拟值和实验值的偏差在10%以内,与集成电路器件模拟软件SPISCES联用校验了SSUPREM4的全工序模拟结果,校验结果有较大参考价值. 展开更多
关键词 集成电路 工艺模拟 软件校验 SSUPREM4
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MOSFET中热载流子效应的计算、实验和模拟
6
作者 郑国祥 罗永坚 +3 位作者 杨文清 周思远 蒋蓁 宗祥福 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期182-191,共10页
亚微米 MOSFET的热载流子效应会引起器件的失效 ,文中分析了热载流子效应引起器件失效的机理和物理模型 ,对该效应的内部电场、衬底电流、阈值电压和跨导作了计算 ;使用知名的集成电路器件模拟软件 ATL AS模拟了该效应 ;并对实际 MOSFE... 亚微米 MOSFET的热载流子效应会引起器件的失效 ,文中分析了热载流子效应引起器件失效的机理和物理模型 ,对该效应的内部电场、衬底电流、阈值电压和跨导作了计算 ;使用知名的集成电路器件模拟软件 ATL AS模拟了该效应 ;并对实际 MOSFET作了 I- V特性曲线和跨导变化量随偏压时间变化的实验测试。理论分析、实验结果与模拟结果都符合得很好。为改善MOSFET热载流子效应而提出的 GOL D结构也获得很好的模拟结果。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体晶体管 器件失效 器件模拟 热载流子效应 GOLD结构 场效应晶体管
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微芯片铝键合点上氟沾污物成分的研究
7
作者 郑国祥 李越生 +2 位作者 梁京 宗祥福 罗俊一 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期337-343,共7页
 微芯片铝键合系统的失效是器件可靠性研究的重要课题,铝键合点上的氟沾污加速了对铝合金化表面的腐蚀,导致微芯片的失效。国外的工作多数讨论氟沾污引起失效的机理;很少给出沾污物的系列化学成份。TOFSIMS提供了一个探测...  微芯片铝键合系统的失效是器件可靠性研究的重要课题,铝键合点上的氟沾污加速了对铝合金化表面的腐蚀,导致微芯片的失效。国外的工作多数讨论氟沾污引起失效的机理;很少给出沾污物的系列化学成份。TOFSIMS提供了一个探测和分析微芯片键合点上沾污成份的有力武器,作者比较了两个TOFSIMS的负离子谱,一个是经目检发现键合点上有沾污斑点的芯片,另一个是键合点无沾污的芯片。根据对TOFSIMS特征谱线和离子像的研究,认为沾污点的化学成份主要是铝氟化合物和铝氧氟化合物。进一步的工作发现除微芯片的制造工艺过程外,成品圆片的存放处理也是形成键合点上氟沾污的原因。 展开更多
关键词 铝键合点 微芯片 氟沾污物 可靠性
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集成电路工艺模拟软件SSUPREM4的应用
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作者 朱兆旻 阮刚 +1 位作者 冒慧敏 庞海舟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期29-32,51,共5页
采用集成电路工艺模拟软件SSUPREM4 模拟了氧化、扩散工艺, 并同实验值进行了比较,模拟值和实验值的偏差在10% 以内。与集成电路器件模拟软件S-PISCES联用模拟了SSUPREM4 的全工序, 并把它应用于实际生... 采用集成电路工艺模拟软件SSUPREM4 模拟了氧化、扩散工艺, 并同实验值进行了比较,模拟值和实验值的偏差在10% 以内。与集成电路器件模拟软件S-PISCES联用模拟了SSUPREM4 的全工序, 并把它应用于实际生产。结果表明SSUPREM 4 展开更多
关键词 集成电路 SSUPREM4 工艺模拟软件
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防范SARS疫情应急处置预案在某企业的建立、实施与评估
9
作者 郭凤霞 崔红伟 +3 位作者 张鲁南 王继伟 鲍国良 徐松能 《中国公共卫生管理》 2004年第2期116-117,共2页
运用流行病学、传染病学、健康教育学原理 ,根据SARS疫情发生情况以及传播机理 ,以上海市政府有关文件为依据 ,指导上海市先进半导体制造有限公司建立防范SARS疫情应急处置预案 ,并对预案运行效果进行评估。
关键词 SARS 预防 疫情防范 应急处置预案 严重急性呼吸综合征 传染性非典型肺炎
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基于Ebara的氧化硅CMP机械刮伤机理的分析与解决措施
10
作者 刘丽 李东 +2 位作者 张跃锋 程秀兰 华光平 《集成电路应用》 2006年第1期58-61,57,共5页
化学机械抛光(CMP,chemical mechanical polishing)是当前广泛用于半导体制造0.35um产品及以下工艺产品中的表面平坦化工艺步骤。CMP 的出现为工艺的进一步发展提供了可能,但是CMP 工艺造成的缺陷也带来了成品率的损失,减少缺陷,提高成... 化学机械抛光(CMP,chemical mechanical polishing)是当前广泛用于半导体制造0.35um产品及以下工艺产品中的表面平坦化工艺步骤。CMP 的出现为工艺的进一步发展提供了可能,但是CMP 工艺造成的缺陷也带来了成品率的损失,减少缺陷,提高成品率是 CMP 工程师的重要工作内容。本文就 Ebara CMP 设备研磨垫整理器(dresser)刮伤机理进行了分析和研究,并对此提出了相应的解决措施。 展开更多
关键词 CMP(化学机械抛光) 超大规模集成电路 缺陷 成品率 刮伤 研磨垫平整器
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表面光电压法研究抛光硅片制造中铁沾污的来源 被引量:5
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作者 罗俊一 沈益军 +4 位作者 李刚 刘培东 张锦心 包宗明 黄宜平 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第1期70-72,66,共4页
铁杂质是硅片制造过程中常见的重金属沾污 ,表面光电压 (SPV)法可很好地用于测定P型硅中铁杂质。本文通过SPV法测试不同流程制造的P型抛光硅片中的铁沾污 ,找到了在P型抛光硅片制造工艺过程中引入铁沾污的主要来源。
关键词 表面光电压法 铁杂质 抛光硅片 半导体材料
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亚微米IC器件中接触孔的填充和铝金属化工艺的技术 被引量:3
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作者 梁京 黄榕旭 +3 位作者 郑国祥 林健 庞海舟 宗祥福 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期614-619,共6页
在亚微米 IC器件的铝金属化工艺中 ,采用了阻挡层和硅化物后 ,发现随着铝淀积温度的升高 ,铝的阶梯覆盖率有所提高 .为克服高温淀积带来的问题 ,采用了两步的冷 /热铝溅射和浸润层等工艺代替原来的铝溅射 .通过研究和一系列的比较实验 ... 在亚微米 IC器件的铝金属化工艺中 ,采用了阻挡层和硅化物后 ,发现随着铝淀积温度的升高 ,铝的阶梯覆盖率有所提高 .为克服高温淀积带来的问题 ,采用了两步的冷 /热铝溅射和浸润层等工艺代替原来的铝溅射 .通过研究和一系列的比较实验 ,发现影响铝填充性能的主要因素为 :热铝淀积温度、热铝淀积功率、Ti浸润层厚度及冷热铝厚度比 .由此得到了适合于实际亚微米 展开更多
关键词 填充 接触孔 金属化工艺 亚微米集成电路
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VLSI中钛硅化物肖特基接触特性与退火条件 被引量:1
13
作者 黄榕旭 蒋聚小 +3 位作者 郑国祥 俞宏坤 任云珠 徐蓓蕾 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期415-424,共10页
基于 Ti Si2 低电阻率的优点 ,采用 Ti制作肖特基二极管。在 VL SI工艺中实现同时完成钛硅化物欧姆接触和肖特基势垒二极管 (SBD)的制作。文中用 AES等技术研究不同退火工艺形成的 Ti/ Si界面形态和结构 ,寻找完善的工艺设计和退火条件... 基于 Ti Si2 低电阻率的优点 ,采用 Ti制作肖特基二极管。在 VL SI工艺中实现同时完成钛硅化物欧姆接触和肖特基势垒二极管 (SBD)的制作。文中用 AES等技术研究不同退火工艺形成的 Ti/ Si界面形态和结构 ,寻找完善的工艺设计和退火条件。此外还测量 Al/ Ti N/ Ti/ Si结构的金属硅化物 SBD的有关特性。通过工艺实验确定 VL 展开更多
关键词 退火 肖特基势垒 VLSI 钛硅化物 接触特性
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一种新的单边高压器件的模拟及参数提取方法 被引量:2
14
作者 曹娜 吴瑞 郑国祥 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期173-177,共5页
单边高压器件具有源、漏电阻不对称且与工作电压成非线形的依赖关系的特点 ,文中提出一种单边高压 MOS器件的模型 ,在不改变 BSIM3 V3模拟模型方程的基础上 ,对 BSIM3 V3模型参数的物理意义和取值进行重新的定义来表示单边高压器件的这... 单边高压器件具有源、漏电阻不对称且与工作电压成非线形的依赖关系的特点 ,文中提出一种单边高压 MOS器件的模型 ,在不改变 BSIM3 V3模拟模型方程的基础上 ,对 BSIM3 V3模型参数的物理意义和取值进行重新的定义来表示单边高压器件的这些特点。同时使用模型参数提取软件 BSIMPro提取了该模型的参数 ,模拟结果与实验数据进行拟合 ,两者符合得很好 ,证明了改进模型的可行性。 展开更多
关键词 BSIM3V3 单边高压MOS 器件模型 参数提取
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光刻技术在微细加工中的应用 被引量:7
15
作者 刘建海 陈开盛 曹庄琪 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第8期37-39,48,共4页
介绍光刻技术中的曝光设备与技术、光刻工艺及工艺控制在集成电路微细加工中的应用。
关键词 光刻 深亚微米 曝光分辨率 微细加工 微电子
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制造业过程控制中的测试保证方法研究 被引量:1
16
作者 金雁 罗俊一 +2 位作者 蒋蓁 罗永坚 郑国祥 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期431-438,共8页
制造市场的激烈竞争要求制造业开发一种保证产品质量的过程控制 ,而不是依靠常规检测来找出造成重大经济损失的废品。在产品生产过程的研究中 ,文中采用连续校准的方法 ,给出确定和控制测量误差的过程测试保证方法。这个方法的应用和产... 制造市场的激烈竞争要求制造业开发一种保证产品质量的过程控制 ,而不是依靠常规检测来找出造成重大经济损失的废品。在产品生产过程的研究中 ,文中采用连续校准的方法 ,给出确定和控制测量误差的过程测试保证方法。这个方法的应用和产品统计过程控制 (SPC)共同确定了产品的结果 ,即当在过程控制的测量中确定了有关测量误差后 ,相应的产品测试结果误差也就确定了 。 展开更多
关键词 过程测试保证 过程控制 制造业
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Ti/Al/TiN金属化结构中应力空洞的形成机理
17
作者 蒋聚小 郑国祥 +1 位作者 黄榕旭 宗祥福 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期487-491,共5页
在 VLSI的金属化中 ,应力引起的失效是个引人关注的问题 ,应力释放形成空洞严重影响器件的可靠性。VLSI工艺实践中 ,发现 Ti/Ti N/Ti/Al/Ti N的金属化结构经过热退火后 ,铝条上出现空洞。对于铝空洞形成机理进行了研究与分析 ,发现张应... 在 VLSI的金属化中 ,应力引起的失效是个引人关注的问题 ,应力释放形成空洞严重影响器件的可靠性。VLSI工艺实践中 ,发现 Ti/Ti N/Ti/Al/Ti N的金属化结构经过热退火后 ,铝条上出现空洞。对于铝空洞形成机理进行了研究与分析 ,发现张应力的释放是空洞的成因 ;而在热退火时 ,作为浸润层的 Ti与 Al反应生成Ti Al3。 展开更多
关键词 Ti/Al/TiN金属化结构 应力 空洞 退火 浸润层
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适用于异步微处理器的16位自定时ALU
18
作者 管超 葛元庆 +1 位作者 吴瑞 周润德 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期342-346,共5页
针对嵌入式微处理器设计中提出的高性能 ,低功耗的要求 ,提出了一种面向异步微处理器的由动态电压级联逻辑电路 (DCVS)构成的 1 6位自定时 ALU。在综合考虑面积、速度、功耗及指令的统计分布情况下 ,该
关键词 嵌入式微处理器 异步微处理器 ALU 动态电压级联逻辑电路
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B^+、As^+离子注入工艺模拟模型的比较
19
作者 庞海舟 阮刚 +2 位作者 杨文清 郑国祥 曹永明 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期407-412,共6页
对离子注入分布杂质浓度模拟的不同模型进行了简短的回顾,介绍了在Suprem Ⅳ中采用的双Pearson 分布模型。通过对B+ 及As+ 在不同剂量和能量下对硅中的注入,采用SIMS进行浓度分布测试,对双Pearson
关键词 半导体器件 离子注入工艺 B^+ As^+
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硅外延厚度稳定性控制 被引量:3
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作者 刘贵明 《集成电路应用》 2021年第3期24-27,共4页
分析表明,外延工艺因其能够严格控制掺杂浓度及表面完美性而广泛用于Bipolar、BiCMOS、功率器件,瞬态电压抑制器及超结器件等集成电路。批量生产中的核心问题是产品参数的稳定性控制,良率的提高及成本的降低。BICMOS及超结器件集成电路... 分析表明,外延工艺因其能够严格控制掺杂浓度及表面完美性而广泛用于Bipolar、BiCMOS、功率器件,瞬态电压抑制器及超结器件等集成电路。批量生产中的核心问题是产品参数的稳定性控制,良率的提高及成本的降低。BICMOS及超结器件集成电路中,外延层厚度的稳定直接影响到器件击穿电压性能。外延厚度的稳定性受压力和温度的影响,但影响最大的是硅源气体的流量。结合实际生产讨论了影响外延层厚度稳定的主要因素,通过控制DCS/TCS的流量稳定性,使得外延层厚度得到良好的控制,降低了产品报废率,提高了经济效益。 展开更多
关键词 集成电路制造 外延厚度 DCS气体流量 气体压力 TCS传输方式 TCS气体流量
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