离子注入红霉素产生菌诱变高产菌株及其机理初步研究

用４０～６０ｋｅＶ、剂量１×１０１１～５×１０１４ｉｏｎｓ／ｃｍ２的Ｎ＋离子注入红霉素产生菌后可产生可遗传的变异，在一定范围内红霉素产生菌的正向突变分布百分数与离子注入剂量正相关，离子注入后红霉素产生菌的菌落形态和孢子颜色发生变化，经筛选得到了高产突变菌株，摇瓶发酵表明高产突变菌株产量可提高２０％以上。与紫外线诱变相比，离子注入诱变具有突变范围广和突变程度高的特点。ＥＳＲ测试表明离子注入产生的自由基对生物效应基本上无影响，离子注入生物效应主要应由注入离子与生物分子的直接作用引起。对离子注入诱变的机理进行了探讨。

离子注入微生物的生物效应研究

用４０ｋｅＶ、６０ｋｅＶ的Ｎ＋离子束对红霉素产生菌进行了离子注入，发现菌株存活率随注入剂量的增加呈指数衰减，并拟合了存活率—剂量公式。扫描电镜观察发现离子注入导致了红霉产生菌孢子的表面损伤。用１００ｋｅＶＡｓ＋注入大肠埃希氏菌和枯草芽孢杆菌，对注入离子在其体内分布进行了Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射测量和理论估算。