测定外延层电阻率的面接触方法研究

评论了美国科学家Ｃ．Ｃ．Ａｌｌｅｎ等于１９６６年发表的“测定外延层电阻率的点接触方法”之论文的局限性，从而提出了本法文。本方法从理论上解一维Ｐｏｉｓｓｏｎ方程并与Ｃ．Ｃ．Ａｌｌｅｎ法的公式相比较，获得某些公式。文中导出面接触方法雪崩击穿电压Ｖ＾∞Ｎα／Ｖ＾∞Ｂｐ＝０．４５６；同时还导出了点接触方法外延层耗尽层宽度为ｔｍｉｎｐ（μｍ）和面接触方法外延层耗尽层宽度Ｔｍｉａα（μｍ）的比值为Ｔｍｉｎ...