纳米硅/导电聚合物复合负极的制备与性能

以商业低成本铝硅合金粉为硅源,利用酸蚀法制备纳米硅(Si)颗粒,通过原位聚合法制得3种纳米硅/导电聚合物复合材料:硅/聚吡咯(Si@PPy)、硅/聚苯胺(Si@PANl)和硅/聚3,4-乙烯二氧噬吩(Si@PEDOT)等导电聚合物包覆不仅可为硅颗粒提供导电网络,而且能够缓冲硅颗粒在充放电过程中的体积膨胀以500mA/g妁电流,在0.005-1.500V充放电,Si@PPy、Si@PANI和Si@PEDOT的首次可逆比容量分别为1526mAh/g、845mAh/g和592mAh/g,第100次循环的比容量分别为1265mAh/g,610mAh/g和558mAh/g,平均库仑效率约99%,比容量与循环性能较未包覆的纯硅得到改善.