针刺镇痛后大鼠脑中脑啡肽mRNA的基因表达及其与Fos的共存

目的大鼠尾部伤害性刺激的电针抑止甩尾反射后观察脑内ＰＰＥｍＲＮＡ的表达与Ｆｏｓ的共存变化。方法成年大鼠，分对照、电流尾部伤害性刺激、颧穴电针镇痛等组作成脑切片经脑啡肽（Ｅｎｋ）ｍＲＮＡ原位杂交，观察基因表达。部分切片再用Ｆｏｓ免疫组化法观察共存。结果伤害性刺激和针刺镇痛后均可在端脑、下丘脑、中脑、脑桥和延脑许多部位见到不少ＥｎｋｍＲＮＡ基因表达神经元，其中额区皮质表达痛组主要在内侧，而镇痛组主要在外侧，蓝斑和ＰＡＧ背侧部痛组更显著。其他各部则镇痛组更明显；并且孤束核、网状外侧核、三叉神经脊束核和延髓头端内侧部表达细胞数镇痛组明显较多，具有统计上的显著性。在ＥｎｋｍＲＮＡ和Ｆｏｓ的共存切片中，总能见到单纯ＥｎｋｍＲＮＡ、单纯Ｆｏｓ和共存神经元的存在。结论针刺和痛刺激均能激活内阿片肽基因表达，但程度上有差异。

钙拮抗剂的皮肤不良反应

钙拮抗剂又称钙通道阻滞剂(calciumchannel blockers,CCB),从化学结构上大致分为二类,即二氢吡啶类和非二氢吡啶类.二氢吡啶类包括硝苯地平(nifedpine,Nif)、尼索地平(nisoldpine,Nis)、尼莫地平(ni-modipine,Nim)、尼卡地平(nicardipine,Nic)和氨氯地平(amlodipine,Aml)等十多种;非二氢吡啶类包括维拉帕米(verapamil,Ver)、地尔硫草(diltiazem,Dil)和尼可地尔(nico-randil)等.CCB的临床适应证虽广,但其不良反应表现也多,几乎涉及机体各个系统.目前国际上有关CCB不良反应的研究倍受瞩目,我们已系统介绍了几类较受重视的CCB不良反应研究近况,在此重点论述CCB的皮肤不良反应,以引起我国临床工作者重视.

RNA的向下印迹法

ＲＮＡ的向下印迹法田启，周敬修（上海医科大学基础医学院医学神经生物学国家重点实验室）Ｓｏｕｔｈｅｒｎ建立了印迹杂交法，即将琼脂凝胶电泳分离的ＤＮＡ转移至硝酸纤维薄膜上进行杂交分析，此法已成为分子生物学研究的重要手段，称此为Ｓｏｕｔｈｅｒｎｂｌｏｔｔｉ...

二氢埃托啡耐受后小鼠脑内cAMP含量的减少及氨基酸含量的增加

目的：探讨二氢埃托啡（ＤＨＥ）耐受的机制．方法：放免法及反相高效液相色谱荧光检测法测定环腺苷一磷酸（ｃＡＭＰ）及谷氨酸（Ｇｌｕ）、门冬氨酸（Ａｓｐ）、谷氨酰氨（Ｇｌｎ）、ＧＡＢＡ的含量．结果：ＤＨＥ反复ｓｃ８ｄ后产生耐受．小鼠去小脑全脑Ｇｌｕ、Ａｓｐ、ＧＡＢＡ的基础含量分别由对照组的１４１±２１、３０±０４、１８±０８升高至耐受组的１７２±２２、４１±０６、３２±１０μｍｏｌ／ｇ组织，Ｇｌｎ的含量无明显改变．下丘脑及纹状体的ｃＡＭＰ基础含量分别由对照组的２７１±３８、１８９±３１降至耐受组的９６±１５、６５±２１ｎｍｏｌ／ｇ组织，大脑皮层ｃＡＭＰ的含量无明显改变．结论：ＤＨＥ耐受与脑内Ｇｌｕ、Ａｓｐ、ＧＡＢＡ基础含量的升高及下丘脑、纹状体内ｃＡＭＰ的基础含量的降低有关．