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上海公共交通卡系统总体方案
1
作者
严洪范
《电子与金系列工程信息》
2001年第3期40-44,共5页
关键词
上海公共交通卡总体方案
专用集成电路
城市交通
下载PDF
职称材料
一种减少金属线Al空洞的金属线溅射膜工艺
2
作者
无
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2007年第6期11-11,共1页
本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域,具体涉及一种金属线溅射膜工艺。为了有效地解决金属线Al空洞问题,本发明在溅射完Al后,不溅射Ti,用N2气等离子体处理Al表面,使其表面形成一层薄的AlN膜(缓解Al和TiN之间的应力),而后...
本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域,具体涉及一种金属线溅射膜工艺。为了有效地解决金属线Al空洞问题,本发明在溅射完Al后,不溅射Ti,用N2气等离子体处理Al表面,使其表面形成一层薄的AlN膜(缓解Al和TiN之间的应力),而后直接溅射TiN膜,金属层结构为Ti/TiN/Al/AlN/TiN;刻蚀后金属线无需退火,
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关键词
ALN
金属线
膜工艺
溅射
空洞
半导体集成电路
TIN膜
制造工艺技术
下载PDF
职称材料
题名
上海公共交通卡系统总体方案
1
作者
严洪范
机构
上海华虹(集团)有限公司
出处
《电子与金系列工程信息》
2001年第3期40-44,共5页
关键词
上海公共交通卡总体方案
专用集成电路
城市交通
分类号
U491 [交通运输工程—交通运输规划与管理]
U12 [交通运输工程]
下载PDF
职称材料
题名
一种减少金属线Al空洞的金属线溅射膜工艺
2
作者
无
机构
上海
集成电路研发中心
有限公司
上海华虹(集团)有限公司
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2007年第6期11-11,共1页
文摘
本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域,具体涉及一种金属线溅射膜工艺。为了有效地解决金属线Al空洞问题,本发明在溅射完Al后,不溅射Ti,用N2气等离子体处理Al表面,使其表面形成一层薄的AlN膜(缓解Al和TiN之间的应力),而后直接溅射TiN膜,金属层结构为Ti/TiN/Al/AlN/TiN;刻蚀后金属线无需退火,
关键词
ALN
金属线
膜工艺
溅射
空洞
半导体集成电路
TIN膜
制造工艺技术
分类号
TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
上海公共交通卡系统总体方案
严洪范
《电子与金系列工程信息》
2001
0
下载PDF
职称材料
2
一种减少金属线Al空洞的金属线溅射膜工艺
无
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2007
0
下载PDF
职称材料
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