采用溅射法制备SrGa_2S_4:Ce薄膜

采用ＲＦ溅射技术制备了ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｃｅ薄膜，并获得了发射波长为４４６ｎｍ的纯蓝色发光，其ＣＩＥ色坐标为ｘ＝０１４，ｙ＝００９。研究了ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｃｅ薄膜的激发光谱和发射光谱，采用ＸＲＤ测定了薄膜的晶体结构，采用ＳＥＭ观察了薄膜的表面形貌。同时着重研究了后退火气氛、温度和时间对薄膜发光特性的影响。