掺铜ZnS纳米材料的制备及光学性质

介绍了在聚乙烯醇衬底中利用离子络合法制备未掺杂和掺铜的 Zn S纳米微粒 .TEM图表明 Zn S纳米微粒较均匀地分布在 PVA衬底上 ,粒径在 1～ 10 nm,且具有类似体材料的立方结构 .与未掺杂 Zn S相比 ,掺铜 Zn S的紫外 -可见吸收光谱没有明显的变化 ;但 PL 光谱的发射峰却从 4 5 0 nm移到了 4 80 nm左右 ,这可能是由于 Zn S的导带和 Zn S禁带中铜的能级 T2

新型蓝光材料:氟代三联(9,9-二苯基)芴的合成及其光电性能研究

使用HF/吡啶法在芴环的4位引入了氟原子,使用五氟氯苯格氏试剂在芴环的9位引入了全氟苯,合成了五个氟取代三联(9,9-二苯基)芴化合物.测量了该系列化合物的电化学、光学和电致发光性能,氟原子的引入提高了化合物的电子传输能力.在溶液和薄膜状态下,该类化合物都呈现出稳定的蓝光发射(色坐标x=0.156,y=0.078).由化合物6f制备的简单器件的启亮电压为6V,最大亮度为452cd/m2.

壳聚糖中ZnS:Mn纳米微晶的制备及其发光特性

利用壳聚糖通过离子络合的方法制备了ＺｎＳＭｎ纳米微晶．壳聚糖含有一些极性基团，既是分散纳米微晶的有机介质，起到孤立微粒、控制粒度的作用，又具有表面修饰作用．通过改变反应物的浓度，得到微晶的尺寸在４．０～７．０ｎｍ（计算值）．用激发和发射光谱观察了量子尺寸效应造成的光学性质的变化．用ＦＴＩＲ光谱分析了微晶和壳聚糖间的络合作用．

vfBGA内部芯片断裂问题

利用 ANSYS软件以有限元分析的方法研究了 vf BGA器件内部芯片断裂问题 .通过建立模型和模型评价得到了适当的三维简化模型及导致芯片断裂的等效应力大小 .根据对测试过程的模拟预测找到了引起芯片断裂的原因 .研究发现 。

两种发光中心掺杂的ZnS纳米微晶研究

利用Na2S溶液沉淀法制得了Mn2+及Cu2+掺杂的ZnS纳米微晶．用X射线衍射测定了微晶的结构及计算了晶粒尺寸．分析了量子尺寸效应造成的光学特性的变化．讨论了ZnS纳米微晶中不同类型发光中心的不同发光行为．

基于CBP:BCzVB:Btp_2Ir(acac)体系的白色有机电致发光器件色度飘移研究

以苯乙烯类化合物BCzVB为蓝色荧光染料,以铱配合物Btp_2Ir(acac)为红色磷光染料,共掺杂到CBP基质中作为发光层,制备了白色有机电致发光器件,研究了该体系发光色度漂移的原因。器件在掺杂CBP:6%BCzVB: 0．2%Btp_2Ir(acac),在．驱动电流从4～200 mA/cm^2变化范围内,发光色坐标从(0．340,0．273)飘移到(0．308, 0．273),色坐标轻微蓝移。对器件发光光谱和亮度-电流密度曲线等分析表明:器件色度的轻微蓝移是由于CBP基质向Btp_2Ir(acac)掺杂剂完全的能量传递、荧光染料BCzVB向磷光染料Btp_2Ir(acac)不完全的能量传递等内在物理过程和磷光染料Btp_2Ir(acac)自身发光饱和等特性共同决定的。