用液相浸渍 裂解聚硅烷工艺制备了C C SiC复合材料,对比了C C与C C SiC复合材料的氧化及烧蚀性能,用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析了氧化与烧蚀前后的微观结构及物相变化.结果表明:C C SiC复合材料使C C复合材料的氧化起始温度从50...用液相浸渍 裂解聚硅烷工艺制备了C C SiC复合材料,对比了C C与C C SiC复合材料的氧化及烧蚀性能,用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析了氧化与烧蚀前后的微观结构及物相变化.结果表明:C C SiC复合材料使C C复合材料的氧化起始温度从500℃提高到700℃;在600℃和700℃恒温氧化条件下,C C SiC复合材料比C C复合材料的氧化速率分别降低38%和47%,失重率分别降低35%和47%;C C SiC复合材料的耐烧蚀性能优于C C复合材料.展开更多
文摘用液相浸渍 裂解聚硅烷工艺制备了C C SiC复合材料,对比了C C与C C SiC复合材料的氧化及烧蚀性能,用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析了氧化与烧蚀前后的微观结构及物相变化.结果表明:C C SiC复合材料使C C复合材料的氧化起始温度从500℃提高到700℃;在600℃和700℃恒温氧化条件下,C C SiC复合材料比C C复合材料的氧化速率分别降低38%和47%,失重率分别降低35%和47%;C C SiC复合材料的耐烧蚀性能优于C C复合材料.