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Gd_5Ge_4中磁场温度诱导的磁结构相变研究
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作者 洪芳 袁淑娟 +4 位作者 周同 郁黎明 安康 曹世勋 赵新洛 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期2038-2040,共3页
最近的研究表明,在低温低场时,Gd5Ge4的一级磁结构相变被阻止而进入一种磁玻璃态,即在反铁磁母体中随机分布着铁磁团簇。结合这一最新研究结果,通过对Gd5Ge4样品不同低温的磁场诱导的磁化强度进行两次循环测量,研究发现在不同条件下Gd5... 最近的研究表明,在低温低场时,Gd5Ge4的一级磁结构相变被阻止而进入一种磁玻璃态,即在反铁磁母体中随机分布着铁磁团簇。结合这一最新研究结果,通过对Gd5Ge4样品不同低温的磁场诱导的磁化强度进行两次循环测量,研究发现在不同条件下Gd5Ge4的磁结构相变存在可逆性与不可逆性,并结合磁玻璃态进行了分析讨论。验证了Gd5Ge4的等温磁化行为和结构变化的一致性,这为证明在磁和晶格之间存在耦合作用提供了直接的实验证据,揭示了一级磁结构相变对巨磁热效应的产生起了重要作用。 展开更多
关键词 Gd5Ge4 磁结构相变 磁玻璃态
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