纳米压印技术的最新进展

总结了纳米压印技术的最新进展,其中包括压印工艺、图形赋形方法以及纳米压印技术应用三方面最新的研究成果。在压印工艺的发展方面,大面积滚轴压印的发明最具有产业化意义,它不仅解决了常规平板压印很难大面积压印成型的困难,而且整个过程是一种柔性压印过程,降低了成本,提高了压印效率,但是最小特征尺寸还有待提高;在图形赋形方法的改进中,聚合物探针阵列技术集微米和纳米成型技术于一身,压印效率高,应用前景广阔;在压印技术应用的发展中,光伏电池、电子存储设备以及传感器等为纳米压印技术的应用提供了新的领域。

压印技术制备超高密度Si2Sb2Te5基相变存储阵列

采用低成本、高效率的压印技术实现了高密度相变存储器(PCRAM)存储阵列的制备,开发出Si2Sb2Te5(SST)新材料的4Gbit/inch2存储阵列,存储单元面积为0.04μm2;利用SEM观测压印获得的光刻胶图形阵列以及刻蚀后的SST存储阵列,其单元外形均具有高度的一致性,且单元特征尺寸的3倍标准差均小于6nm;利用AFM研究了SST存储单元的I-V特性,阈值电压为1.56V,高、低电阻态阻值变化超过两个数量级。实验结果表明了SST新材料及压印技术在PCRAM芯片中的应用价值。

利用压印技术制备大面积相变材料阵列

采用高效、低成本的紫外压印技术（UV—IL）在2in．Si／SiO2基Ti／TiN／Si2Sb2Te5（SST）多层膜表面制备了密度为3．8M／In^2的AMONIL点阵结构，并通过反应离子刻蚀得到相变材料SST阵列；电阻与脉冲宽度特性测得SST基PCRAM存储单元SET／RESET电阻值变化约30倍，Ⅰ—Ⅴ特性表明，阈值电压为1．18V。此外，时间分辨XRD原位加热情况下SST薄膜结构变化说明，SST材料的相变发生在200℃～300℃之间。