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硅中氦离子注入所产生的微孔结构的吸杂作用
被引量:
2
1
作者
闵靖
朱剑豪
吕翔
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期448-451,共4页
高剂量氦离子注入和退火在硅中形成了氦微气泡(bubble)和微孔(cavity).我们用剖面透射电镜显示了微孔的形貌.二次离子质谱和卢瑟福背散射测试表明氦注入引起的微孔层对铜和金有明显的吸杂作用,且在1200℃高温下...
高剂量氦离子注入和退火在硅中形成了氦微气泡(bubble)和微孔(cavity).我们用剖面透射电镜显示了微孔的形貌.二次离子质谱和卢瑟福背散射测试表明氦注入引起的微孔层对铜和金有明显的吸杂作用,且在1200℃高温下吸杂仍具有稳定性.我们还与带氧沉淀的样品作了吸杂效果的比较.
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关键词
硅
氦离子注入
微孔结构
吸杂
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职称材料
题名
硅中氦离子注入所产生的微孔结构的吸杂作用
被引量:
2
1
作者
闵靖
朱剑豪
吕翔
机构
上海市计量测试技术研究院材料分析室
香港城市大学物理和
材料
科学系
美国加州大学伯克利分校电工和计算机科学系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期448-451,共4页
文摘
高剂量氦离子注入和退火在硅中形成了氦微气泡(bubble)和微孔(cavity).我们用剖面透射电镜显示了微孔的形貌.二次离子质谱和卢瑟福背散射测试表明氦注入引起的微孔层对铜和金有明显的吸杂作用,且在1200℃高温下吸杂仍具有稳定性.我们还与带氧沉淀的样品作了吸杂效果的比较.
关键词
硅
氦离子注入
微孔结构
吸杂
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅中氦离子注入所产生的微孔结构的吸杂作用
闵靖
朱剑豪
吕翔
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
2
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职称材料
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