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硅中氦离子注入所产生的微孔结构的吸杂作用 被引量：2
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作者 闵靖 朱剑豪 吕翔 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期448-451,共4页
高剂量氦离子注入和退火在硅中形成了氦微气泡（ｂｕｂｂｌｅ）和微孔（ｃａｖｉｔｙ）．我们用剖面透射电镜显示了微孔的形貌．二次离子质谱和卢瑟福背散射测试表明氦注入引起的微孔层对铜和金有明显的吸杂作用，且在１２００℃高温下... 高剂量氦离子注入和退火在硅中形成了氦微气泡（ｂｕｂｂｌｅ）和微孔（ｃａｖｉｔｙ）．我们用剖面透射电镜显示了微孔的形貌．二次离子质谱和卢瑟福背散射测试表明氦注入引起的微孔层对铜和金有明显的吸杂作用，且在１２００℃高温下吸杂仍具有稳定性．我们还与带氧沉淀的样品作了吸杂效果的比较． 展开更多
关键词 硅 氦离子注入 微孔结构 吸杂
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