低温背景限红外探测器

根据简并理论分析了光导型红外探测器的噪声机制和背景辐射对探测器的探测率Ｄ＊的影响，从而提出了全新低温背景限探测率红外探测器结构，其Ｄ＊值有较大地提高。

离子注入HgCdTe红外反射谱

运用反射色散方法分析离子注入ＨｇＣｄＴｅ的损伤特性，文中提出了注入区多层模型与实验测量符合。

非致冷双材料红外探测器模拟分析

非制冷双材料红外探测器具有高响应率和低噪声的特点,噪声等效温差接近理论极限。其灵敏度高的基本原理是基于一个比较大的双层材料热膨胀系数和杨氏模量差,通过双材料悬臂结构可以把热转换成机械运动。经过采用ANSYS软件进行有限元模拟,得出材料厚度比与灵敏度、极板位移与电容变化的关系曲线。同时,模拟分析了不同悬臂尺寸的几何模型,得出了相应的优化结构。

化学溶液分解法制备LaNiO_3薄膜的研究

采用化学溶液分解法直接在单晶Si(10 0 )衬底上制备了LaNiO3 薄膜 ,研究了不同热处理气氛 (空气和氧气 )对薄膜的结晶性、晶粒尺寸、电阻率以及其上面生长的锆钛酸铅 (PZT)薄膜的影响 .结果发现二种气氛得到的LaNiO3 薄膜的电阻率相差较大 ,其中在氧气中制备的薄膜电阻率仅为在空气中得到的 1/ 2 .对LaNiO3 薄膜的导电机制进行了讨论 .

基于ANSYS悬臂式RFMEMS开关的力学模拟和疲劳分析

用 ANSYS 软件对 RF MEMS 接触悬臂开关模型进行力电耦合分析,比较了几种情况下的驱动电压,讨论了驱动电压与杨氏模量、悬梁的几何尺寸和电极面积的关系。在力电耦合分析的基础上对开关进行了疲劳特性分析,得出了开关的循环使用次数并与实验结果进行了比较,分析了数据差别比较大的原因,改进了测试开关寿命的方法。

对纳米硅薄膜高电导机制的探讨

使用超高真空PECVD薄膜沉积系统制备的纳米桂薄膜（nc－Si：H）具有高电导特性。为了探讨其导电机制，先使用K．Yoshida早期提出的两相无序结构有效电导模型分别对晶粒电导和界面电导进行了理论计算。指出，nc－Si：H股中高电导主要来自于细微晶粒的传导，界面可视之为非导体。另一方面，实验证实nc－Si：H股的电导率随平均品粒尺寸减少而增大，具有明显的小尺寸效应。文中首次提出，nc－Si：H膜的微晶粒具有异质结量子点（HQD）特性，并按此模型对nc－Si：H膜的电导率实验曲线进行了讨论。理论与实验结果符合得很好．又得出，硅薄膜结构在其晶态体积百分比Xc=0．30和0．70处呈现出两个明显的相变点。

高温区Hg_（1－x）Cd_xTe光导器件的温度－电阻关系

在２００～３００Ｋ范围内测量了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ的电学参数，并推导了载流子浓度、迁移率、电阻和组分的关系表达式，所得结果与红外光谱测量数据符合．利用ＨｇＣｄＴｅ光导器件的电阻－温度特性确定组分，不需要电阻的精确值。

HgCdTe离子注入掺杂及损伤特性

运用红外反射谱，背散射谱和二次离子质谱等方法研究ＨｇＣｄＴｅ注入Ｂ、Ｐ、Ｉｎ和Ａｓ等元素的掺杂与损伤特性。

0.7Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3PbTiO_3薄膜中自极化效应诱导的稳定热释电系数(英文)

采用sol-gel方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3,并研究了其铁电和热释电性质。X射线衍射结果表明薄膜具有高度的(111)择优取向。结果显示,在没有任何极化处理情况下,薄膜具有稳定的热释电系数,达到1.58×10-8Ccm-2K-1。当极化电场高于3倍薄膜的矫顽电场时,薄膜的热释电系数几乎保持不变。撤掉极化电场后,薄膜的热释电系数在10天后仅仅衰减4%左右,远比PZT薄膜稳定。研究发现不同方向极化处理,薄膜的热释电电流具有非对称性,即正向极化时热释电电流随电场增加而增大,负方向极化处理时,热释电电流随电场增加而减小。这些结果显示0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3表现出的优异热释电特性起源于薄膜中的自极化效应。

低阻硅衬底上形成的低损耗共平面波导传输线

在厚膜多孔硅 (PS) /氧化多孔硅 (OPS)衬底上 ,结合聚酰亚胺涂层改善表面 ,研制低损耗、高性能射频 (RF) /微波 (MW)共平面波导CPW(CoplanarWaveguide) .通过在N和P型硅上形成不同厚度PS膜 ,并对其上的CPW进行分析比较 ,厚膜PS与石英的共面波导插入损耗非常接近 ,远小于在 2 0 0 0Ω·cm高阻硅上形成的多晶硅 -氧化硅组合衬底 :在 0 33GHz范围 ,插入损耗小于 5dB/ 1.2cm ;33 4 0GHz范围 ,小于 7.5dB/ 1.2cm .

掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究

利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气 ,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置 ,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为 4meV。此外 ,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系 .

气氛掺氮直拉硅单晶中氮关施主的光热电离光谱研究

以光热电离光谱方法指证了减压充氮气氛下生长的微氮直拉硅单晶中的氮关浅施主NRD（NitrogenRelatedDonor）．确认NRD的形成温区为300～800℃，900℃以上退火将被不可逆消除．指出NRD可能有N－O复合体和氧凝聚态浅施主两种形式，各有不同的热处理行为．

〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射-探测性能理论研究

根据光整流效应辐射太赫兹理论,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射性能.通过与〈110〉、〈111〉晶向对比,当晶体方位角为0°或180°时,利用〈331〉晶向ZnTe单晶辐射太赫兹信号可以与〈111〉晶向相当,强于〈110〉晶向.利用电光取样原理,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹探测性能,通过理论计算为〈331〉晶向ZnTe晶体有效辐射太赫兹波提供理论依据.

2×8元列阵高温超导探测器研制

选用高Tc超导薄膜YBa2Cu3O7－8，引用半导体集成工艺，制出2×8元列阵红外探测器，其探测率D均达到108～109cm·Hz·W－1，工作温度为89K。

相位连续可调毫米波MEMS移相器的研制

MEMS毫米波相移器是MEMS毫米波相控阵天线的关键部件之一,它的性能直接决定了毫米波相控阵天线的性能。该文介绍毫米波MEMS相移器的设计,研究低损耗衬底,Au,AlxSi1-x可动膜对下拉电压和传输损耗的影响,测试表明:21桥相位连续可调的分布式压控开关阵列一毫米波相移器在35GHz时,启动电压5V,20V时相移量达到372°/3.5 mm,并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量。

亚微米结构高Tc超导探测器研制

应用同步辐射技术对ＹＢＣＯ超导薄膜进行光刻，获得０．８μｍ间隔的折线结构，研制成亚微米结构高Ｔｃ超导薄膜红外探测器，敏感元接收红外辐射能量提高约４２％．器件的最好探测率Ｄ＊达到１．８×１０１０ｃｍＨ１／２ＺＷ－１，工作温度约９０Ｋ．

GaAs表面Si-δ掺杂的调制光谱研究

本文利用光调制光谱(PR）与分子束外延（MBE）结合的方法，原位测量GaAs（001）表面Si－δ掺杂结构样品，排除了FK振荡（FKOs）对St－δ掺杂相关的光谱结构的影响，观察到Si－δ掺杂结构中价带连续态到导带半V-形势阱中子带的跃迁及带间跃迁相对于纯GaAs带间跃迁的红移。用简单的三角势模型，在理论上计算了该掺杂浓度下三角形势阱中电子子带的能级位置，波函数的分布及光吸收系数，与实验观察一致．

高T_c超导4×4元面阵研制

选用高Ｔｃ超导薄膜ＹＢａ３Ｃｕ３Ｏ７－８，引用微加工技术，制出了４×４元面阵红外探测器，超导膜用湿法工艺光刻成折线结构，总线长约２０００μｍ，可提高敏感元工作电阻率。对于４×４元列阵，１６个敏感元公用电极的安排是关键。在设计中，１６个敏感元是同时读取信号，其探测率Ｄ在１．２×１０８～７．２×１０８ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１之间，工作温度为８８Ｋ。

用改进的MOD法在硅衬底上直接制备高度(100)择优取向的金属性LaNiO_3薄膜的研究

本文报道了用改进的MOD法直接在Si衬底上制备高度择优取向的金属性LaNiO3 (LNO)薄膜的过程及其表征。采用硝酸镧 [La(NO3 ) 3 ]和醋酸镍 [Ni(CH3 COO) 2 ]为原料代替传统的长链羧酸盐 ;以醋酸和水为溶剂来代替常用的甲苯。为了增强薄膜与衬底之间的附着力 ,需要在得到的前驱体溶液中加入适量的甲酰胺 [HCONH2 ]。通过快速热退火 (RTA)方式 ,在 45 0℃到 6 5 0℃之间退火得到了LNO的系列薄膜。XRD结果表明LNO薄膜在 5 0 0℃开始晶化 ,5 5 0℃已晶化完全。晶化的LNO薄膜同时表现出高度的 ( 1 0 0 )择优取向性 ,该结果尚未见有报道。扫描电镜 (SEM)表面形貌分析展示LNO薄膜表面晶粒均匀 ,没有明显的龟裂 ;晶粒尺寸大约在 30～ 5 0nm之间。采用标准的四探针法测量了不同温度下在 6 0 0℃退火得到的LNO薄膜的电阻率 ,结果显示LNO薄膜室温电阻率为 7.6 0× 1 0 -4 Ω·cm ,可作为铁电薄膜的底电极使用。

LaNiO_3薄膜热稳定性的研究

LaNiO3导电金属氧化物薄膜在现代应用科学研究中作为电极和过渡阻挡层倍受青睐,它具有很好的导电特性和稳定性。该文采用射频溅射法制备了具有(100)择优取向的赝立方结构LaNiO3-x薄膜,并进行了原位热处理。实验结果表明,在265°C的处理条件下,LaNiO3薄膜表现出不稳定性,晶格中的氧在2h内失去了2.7%。氧的损失对晶格结构没有明显影响,但薄膜的导电性能明显下降,折射率和消光系数也具有相同幅度的下降。对薄膜的应用具有一定的影响。该文从LaNiO3薄膜的导电机理方面对实验现象给出了分析和解释。