低温背景限红外探测器

根据简并理论分析了光导型红外探测器的噪声机制和背景辐射对探测器的探测率Ｄ＊的影响，从而提出了全新低温背景限探测率红外探测器结构，其Ｄ＊值有较大地提高。

离子注入HgCdTe红外反射谱

运用反射色散方法分析离子注入ＨｇＣｄＴｅ的损伤特性，文中提出了注入区多层模型与实验测量符合。

化学溶液分解法制备LaNiO_3薄膜的研究

采用化学溶液分解法直接在单晶Si(10 0 )衬底上制备了LaNiO3 薄膜 ,研究了不同热处理气氛 (空气和氧气 )对薄膜的结晶性、晶粒尺寸、电阻率以及其上面生长的锆钛酸铅 (PZT)薄膜的影响 .结果发现二种气氛得到的LaNiO3 薄膜的电阻率相差较大 ,其中在氧气中制备的薄膜电阻率仅为在空气中得到的 1/ 2 .对LaNiO3 薄膜的导电机制进行了讨论 .

高温区Hg_（1－x）Cd_xTe光导器件的温度－电阻关系

在２００～３００Ｋ范围内测量了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ的电学参数，并推导了载流子浓度、迁移率、电阻和组分的关系表达式，所得结果与红外光谱测量数据符合．利用ＨｇＣｄＴｅ光导器件的电阻－温度特性确定组分，不需要电阻的精确值。

对纳米硅薄膜高电导机制的探讨

使用超高真空PECVD薄膜沉积系统制备的纳米桂薄膜（nc－Si：H）具有高电导特性。为了探讨其导电机制，先使用K．Yoshida早期提出的两相无序结构有效电导模型分别对晶粒电导和界面电导进行了理论计算。指出，nc－Si：H股中高电导主要来自于细微晶粒的传导，界面可视之为非导体。另一方面，实验证实nc－Si：H股的电导率随平均品粒尺寸减少而增大，具有明显的小尺寸效应。文中首次提出，nc－Si：H膜的微晶粒具有异质结量子点（HQD）特性，并按此模型对nc－Si：H膜的电导率实验曲线进行了讨论。理论与实验结果符合得很好．又得出，硅薄膜结构在其晶态体积百分比Xc=0．30和0．70处呈现出两个明显的相变点。

HgCdTe离子注入掺杂及损伤特性

运用红外反射谱，背散射谱和二次离子质谱等方法研究ＨｇＣｄＴｅ注入Ｂ、Ｐ、Ｉｎ和Ａｓ等元素的掺杂与损伤特性。

气氛掺氮直拉硅单晶中氮关施主的光热电离光谱研究

以光热电离光谱方法指证了减压充氮气氛下生长的微氮直拉硅单晶中的氮关浅施主NRD（NitrogenRelatedDonor）．确认NRD的形成温区为300～800℃，900℃以上退火将被不可逆消除．指出NRD可能有N－O复合体和氧凝聚态浅施主两种形式，各有不同的热处理行为．

2×8元列阵高温超导探测器研制

选用高Tc超导薄膜YBa2Cu3O7－8，引用半导体集成工艺，制出2×8元列阵红外探测器，其探测率D均达到108～109cm·Hz·W－1，工作温度为89K。

亚微米结构高Tc超导探测器研制

应用同步辐射技术对ＹＢＣＯ超导薄膜进行光刻，获得０．８μｍ间隔的折线结构，研制成亚微米结构高Ｔｃ超导薄膜红外探测器，敏感元接收红外辐射能量提高约４２％．器件的最好探测率Ｄ＊达到１．８×１０１０ｃｍＨ１／２ＺＷ－１，工作温度约９０Ｋ．

GaAs表面Si-δ掺杂的调制光谱研究

本文利用光调制光谱(PR）与分子束外延（MBE）结合的方法，原位测量GaAs（001）表面Si－δ掺杂结构样品，排除了FK振荡（FKOs）对St－δ掺杂相关的光谱结构的影响，观察到Si－δ掺杂结构中价带连续态到导带半V-形势阱中子带的跃迁及带间跃迁相对于纯GaAs带间跃迁的红移。用简单的三角势模型，在理论上计算了该掺杂浓度下三角形势阱中电子子带的能级位置，波函数的分布及光吸收系数，与实验观察一致．

高T_c超导4×4元面阵研制

选用高Ｔｃ超导薄膜ＹＢａ３Ｃｕ３Ｏ７－８，引用微加工技术，制出了４×４元面阵红外探测器，超导膜用湿法工艺光刻成折线结构，总线长约２０００μｍ，可提高敏感元工作电阻率。对于４×４元列阵，１６个敏感元公用电极的安排是关键。在设计中，１６个敏感元是同时读取信号，其探测率Ｄ在１．２×１０８～７．２×１０８ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１之间，工作温度为８８Ｋ。

用改进的MOD法在硅衬底上直接制备高度(100)择优取向的金属性LaNiO_3薄膜的研究

本文报道了用改进的MOD法直接在Si衬底上制备高度择优取向的金属性LaNiO3 (LNO)薄膜的过程及其表征。采用硝酸镧 [La(NO3 ) 3 ]和醋酸镍 [Ni(CH3 COO) 2 ]为原料代替传统的长链羧酸盐 ;以醋酸和水为溶剂来代替常用的甲苯。为了增强薄膜与衬底之间的附着力 ,需要在得到的前驱体溶液中加入适量的甲酰胺 [HCONH2 ]。通过快速热退火 (RTA)方式 ,在 45 0℃到 6 5 0℃之间退火得到了LNO的系列薄膜。XRD结果表明LNO薄膜在 5 0 0℃开始晶化 ,5 5 0℃已晶化完全。晶化的LNO薄膜同时表现出高度的 ( 1 0 0 )择优取向性 ,该结果尚未见有报道。扫描电镜 (SEM)表面形貌分析展示LNO薄膜表面晶粒均匀 ,没有明显的龟裂 ;晶粒尺寸大约在 30～ 5 0nm之间。采用标准的四探针法测量了不同温度下在 6 0 0℃退火得到的LNO薄膜的电阻率 ,结果显示LNO薄膜室温电阻率为 7.6 0× 1 0 -4 Ω·cm ,可作为铁电薄膜的底电极使用。

以LaNiO_3作为底电极的Pb(Zr_(0.3),Ti_(0.7))O_3铁电薄膜的性能研究

采用溶胶—凝胶法在Si(100)衬底上制备了LaNiO3薄膜,采用相同方法在LaNiO3/Si(100)上制备了Pb(Zr0.3,Ti0.7)O3薄膜,对LaNiO3薄膜和Pb(Zr0.3,Ti0.7)O3薄膜的结晶性,表面形貌和电性能进行了研究.

用回熔再生长LPE工艺制备高效AlGaAs／GaAs太阳电池

报道了采用欠饱和溶液的回熔—再生长液相外延（ＬＰＥ）方法制备高效ＡＩｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结构太阳电池的工艺。研究表明，与传统的过冷生长技术相比，回熔工艺对衬底质量的要求不严格，且能形成有利于光生少子被收集的带隙结构。在工艺优化的情况下，获得大阳电池的全面积转换效率在ＡＭ０，１ｓｕｎ的测试条件下为１８．７８％（０．７２ｃｍ２），在ＡＭ１．５，１ｓｕｎ下为２３．１７％。

氮气氛围下热处理的Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3薄膜的低温介电性能研究

采用溶胶凝胶法在LiNaO3(LNO)衬底上制备Na0.5Bi0.5TiO3(NBT)薄膜.部分NBT薄膜在氮气氛围下进行了热处理,记为NBT-N2.在100～400 K的温度范围内,测量了NBT-N2的介电性能.NBT-N2薄膜的介电频谱中出现了损耗峰,存在弛豫现象.利用Arrhenius公式拟合弛豫所对应的激活能,发现在NBT-N2薄膜中存在2个热激活过程:一个对应氧空位电离引入的极化子的跳跃跃迁;另一个对应导电电子与偏离氧八面体中心的Ti离子之间的耦合.此外,采用复阻抗谱分析了NBT-N2薄膜中的介电弛豫过程,在测试温度范围内,随着温度的升高,该弛豫过程逐渐趋向于理想的德拜模型.

LaNiO_3溅射薄膜的光学和电学特性的研究

采用LaNiO3陶瓷靶和射频磁控溅射技术在350℃的K9玻璃衬底上制备出了具有较好(100)择优取向的LaNiO3薄膜。通过对不同厚度薄膜的光学、电学以及薄膜结构等物理特性的测试分析,发现薄膜厚度小于100nm时为非晶结构,厚度大于150nm后出现了具有(100)择优取向的LaNiO3相。非晶结构的LaNiO3具有较高的面电阻和高的光学透射率,而晶化的LaNiO3薄膜具有类似于金属的导电能力和光学特性。薄膜的生长动力学和导电分析结果认为薄膜生长的初期会形成一个非晶过渡层。

氧杂质及热处理过程对Ge-Sb-Te薄膜的光学性质和晶体结构的影响

研究了氧掺杂Ge Sb Te磁控溅射相变薄膜在 4 0 0～ 80 0nm区域的光学常数 (n ,k) ,发现不同氧成分薄膜的光学性质有较大差别 ,经过热处理后薄膜的光学性质也发生了较大变化。由热处理前后薄膜的X射线衍射 (XRD)发现 ,经过退火处理后薄膜发生了从非晶态到晶态的相变。

ArF准分子激光立方氮化硼薄膜的制备

采用ＡｒＦ准分子脉冲激光沉积方法（ＰＬＤ），以六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）作靶在Ｓｉ（１００）衬底上制备氮化硼薄膜。ＸＲＤ及ＦＴＩＲ透射谱测量表明生成的氮化硼薄膜是含有少量六方氮化硼结构的立方氮化硼（Ｃ－ＢＮ）．ＡＥＳ测量表明不同条件下生成的薄膜中Ｎ与Ｂ的相对含量是不同的，最大比例近乎为１：１，薄膜的维氏显微硬度ＨＶ最大值为１５８０ｋｇ／ｍｍ２。

用嵌入原子方法研究Cu(100)面声子色散

本文采用基于密度泛函理论发展的嵌入原子方法,推导了由半经验函数嵌入能和排斥势所表达的表面晶格动力学矩阵公式,以CU(100)面为例,得到了该面三个主要对称方向的色散关系.其中,沿 FX 方向的瑞利声子色散曲线与新近的电子能量损失谱所得实验结果相比,符合较好.文中还讨论了一些表面模的局域程度以及振动方式.